近期,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司榮獲“晶圓清洗設(shè)備及其晶圓定位裝置、晶圓定位方法”專利,專利號cn113539918b,授權(quán)日期為2024年5月17日,申請日期為2021年6月30日。

該發(fā)明涉及一種晶圓清洗設(shè)備及晶圓定位裝置、定位方法。其中,晶圓定位裝置主要用于帶有定位部的晶圓定位,其結(jié)構(gòu)包括密封腔體、密封蓋、承載組件、定位組件和導(dǎo)向組件。密封蓋可開合地安裝在密封腔體上,承載組件可旋轉(zhuǎn)地置于密封腔體內(nèi),用于承載晶圓并使其繞軸旋轉(zhuǎn);定位組件則安裝在密封腔體內(nèi),與定位部配合實現(xiàn)晶圓定位;導(dǎo)向組件則位于承載組件上方的密封腔體內(nèi),與承載晶圓的邊緣部分間隙配合,引導(dǎo)晶圓運動。此發(fā)明能提升晶圓定位裝置的穩(wěn)定性,防止晶圓在定位過程及定位后受污染。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5408瀏覽量
132282 -
清洗設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
54瀏覽量
7543 -
北方華創(chuàng)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
57瀏覽量
11085
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
晶圓工藝制程清洗方法
晶圓工藝制程清洗是半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié),直接決定芯片良率與器件性能,需針對不同污染物(顆粒、有機物、金屬離子、氧化物)和制程需求,采用物理、化學、干法、復(fù)合等多類技術(shù),適配從成熟制程到先進制程的全
半導(dǎo)體制造中晶圓清洗設(shè)備介紹
制程的不斷進步,顆粒物尺寸逐漸向納米級趨近,去除難度顯著增加,晶圓表面殘留顆粒數(shù)量也激增,疊加圖形尺寸持續(xù)縮小,進一步加劇了清洗工作的復(fù)雜性。因此,高性能晶
晶圓清洗的核心原理是什么?
晶圓清洗的核心原理是通過 物理作用、化學反應(yīng)及表面調(diào)控的協(xié)同效應(yīng) ,去除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬離子及氧化物等污染物,同時確保表面無損傷
晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的
晶圓清洗設(shè)備概述
晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來自范德華力的物理吸附作用,因此業(yè)界主要采用物理或化學方法對顆粒物進
晶圓表面清洗靜電力產(chǎn)生原因
表面與清洗設(shè)備(如夾具、刷子、兆聲波噴嘴)或化學液膜接觸時,因材料電子親和力差異(如半導(dǎo)體硅與金屬夾具的功函數(shù)不同),發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移。例如,晶圓
晶圓制備工藝與清洗工藝介紹
晶圓制備是材料科學、熱力學與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次
晶圓擴散清洗方法
晶圓擴散前的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除表面污染物(如顆粒、有機物、金屬離子等),確保擴散工藝的均勻性和器件性能。以下是晶圓擴散
晶圓高溫清洗蝕刻工藝介紹
晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此,在目前市場需求的增長情況下,我們來給大家介紹一下詳情。 一、工藝原理 清洗原理 高溫
晶圓濕法清洗工作臺工藝流程
晶圓濕法清洗工作臺是一個復(fù)雜的工藝,那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是,既然是復(fù)雜的工藝每個流程都很重要,為此我們需要仔細謹慎,這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達到最佳效果。 晶
北方華創(chuàng)微電子:晶圓清洗設(shè)備及晶圓定位裝置專利
評論