封裝技術伴隨集成電路發明應運而生，主要功能是完成電源分配、信號分配、散熱和保護。伴隨著芯片技術的發展，封裝技術不斷革新。封裝互連密度不斷提高，封裝厚度不斷減小，三維封裝、系統封裝手段不斷演進。隨著集成電路應用多元化，智能手機、物聯網、汽車電子、高性能計算、5G、人工智能等新興領域對先進封裝提出更高要求，封裝技術發展迅速，創新技術不斷出現。

　　于大全博士在分享中也指出，之前由于集成電路技術按照摩爾定律飛速發展，封裝技術跟隨發展。高性能芯片需要高性能封裝技術。進入2010年后，中道封裝技術出現，例如晶圓級封裝（WLP，WaferLevelPackage）、硅通孔技術（TSV，ThroughSiliconVia）、2.5DInterposer、3DIC、Fan-Out等技術的產業化，極大地提升了先進封裝技術水平。

　　當前，隨著摩爾定律趨緩，封裝技術重要性凸顯，成為電子產品小型化、多功能化、降低功耗，提高帶寬的重要手段。先進封裝向著系統集成、高速、高頻、三維方向發展。

　　圖1展示了當前主流的先進封裝技術平臺，包括Flip-Chip、WLCSP、Fan-Out、EmbeddedIC、3DWLCSP、3DIC、2.5Dinterposer等7個重要技術。其中絕大部分和晶圓級封裝技術相關。支撐這些平臺技術的主要工藝包括微凸點、再布線、植球、C2W、W2W、拆鍵合、TSV工藝等。先進封裝技術本身不斷創新發展，以應對更加復雜的三維集成需求。當前，高密度TSV技術/Fan-Out扇出技術由于其靈活、高密度、適于系統集成，而成為目前先進封裝的核心技術。

　　圖1先進封裝技術平臺與工藝

　　封裝技術的發展得益于互連技術的演進和加工精度的顯著提高。目前三種主要用于集成電路（IC）芯片封裝的互連技術分別為：引線鍵合技術（WireBond，WB）、倒裝芯片技術（FlipChip，FC）和硅通孔技術（ThroughSiliconVia，TSV）。由于現代微電子晶圓級加工能力的大幅度提升，晶圓級封裝的布線能力億達到微米量級。從線寬互連能力上看，過去50年，封裝技術從1000μm提高到1μm，甚至亞微米，提高了1000倍。微凸點互連節距也從幾百微米，發展到當前3DIC的40微米節距，很快將發展到無凸點5微米以下節距。

　　圖2主要封裝技術發展