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電子發燒友網>電源/新能源>一文了解SiC MOS的應用

一文了解SiC MOS的應用

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SiC MOS卓越性能的材料本源

。本文通過對比Si,4H-SiC和GaN的材料特性,系統的闡述SiC MOS卓越性能的材料本源。 參見圖對于平面MOS來說其導通電阻主要由三部分組成,即溝道電阻(Rch), 器件外延層電阻 (Repi)和襯底電阻Rsub。其中器件外延層電阻和器件耐壓有著強相關的關系。表列出30V,100V和
2024-09-23 15:14:001544

方正微電子:2025年車規SiC MOS年產能將達16.8萬片

年底將增至1.4萬片/月,并在2025年具備年產16.8萬片車規級SiC MOS的生產能力。同時,GaN(氮化鎵)產能已達4000片/月。此外,方正微電子還計劃在2024年底啟動Fab2的8英寸SiC
2024-10-16 15:27:214088

詳解MOS管電容參數

在現代電子電路設計中,MOS管無疑是最常用的電子元件之
2024-11-06 09:55:547330

詳解SiC單晶生長技術

高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。
2024-11-14 14:51:322891

詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-11-14 14:53:373521

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。
2024-11-14 14:55:093480

深度了解SiC的晶體結構

SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,因其內部結構堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能存在的晶體缺陷。
2024-11-14 14:57:048707

詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝,重點介紹其與Si的不同之處。
2024-11-20 17:38:411536

SiC MOS管的結構特點

硅碳化物(SiC)是種重要的半導體材料,近年來因其優越的物理和化學特性而在功率電子器件中受到廣泛關注。SiCMOS管
2025-03-03 16:03:451428

GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別

如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據材料特性分析具體應用。
2025-03-14 18:05:172381

方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡介

方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA(1200V 2.1mΩ)是款專為新能源車主驅逆變器設計的高性能SiC MOS功率模塊,旨在提供高效、可靠的主驅電控解決方案。
2025-07-31 17:22:171297

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