隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設(shè)計者來說,功率器件的選型尤為重要。
本文推薦基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時也可以減小變壓器等器件的體積。
基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的電路框圖如下:

充電樁電源模塊功率段部分框圖
基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK,耐壓1200V,Rds 32mΩ,持續(xù)電流84A,T0247-4封裝,用于充電樁電源模塊上有以下優(yōu)勢:
1、Rds 32mΩ,相較于傳統(tǒng)的Si MOSFET,導通內(nèi)阻更低,損耗更小,可以提高系統(tǒng)效率;
2、反向恢復時間典型值僅27nS,開關(guān)頻率更快,周邊器件可以小型化,節(jié)省空間;
3、耐壓1200V,電流典型值84A,對于目前市面上三相380VAC的電源模塊,不管哪個功率段的都適用;
4、TO247-4封裝,為功率器件的常用封裝,可以與市面上科銳C3M0032120K、羅姆SCT3040KR、英飛凌IMZ120R045M1、安森美NTH4L040N120SC1等眾多的品牌器件直接進行兼容替換使用;
5、結(jié)溫-55℃~+150℃,寬溫工作范圍,可以滿足產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的使用,保證產(chǎn)品的性能;
另外,基本半導體為國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件知名品牌,目前已有很多頭部大客戶的成功應(yīng)用案例,設(shè)計者可以放心選用。
審核編輯 :李倩
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9678瀏覽量
233644 -
充電樁
+關(guān)注
關(guān)注
155文章
3050瀏覽量
89647 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3469瀏覽量
52369
原文標題:耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK替代C3M0032120K用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ
文章出處:【微信號:國芯思辰,微信公眾號:國芯思辰】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
B3M系列碳化硅MOSFET在高效高防護戶儲逆變器中的應(yīng)用
SiC碳化硅MOSFET功率半導體銷售培訓手冊:電源拓撲與解析
簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品
onsemi碳化硅MOSFET NTH4L075N065SC1:高效功率轉(zhuǎn)換的理想之選
onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望
半導體碳化硅(Sic) MOSFET 驅(qū)動電路的詳解;
傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析
基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊
B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴苛需求
基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK
評論