【2022 年 1 月 17日，德國慕尼黑訊】最大化減少研發和成本的投入，以及確保中壓氮化鎵（GaN）開關的穩健和高效運行，是現代電力電子系統設計的幾個核心要求。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）依照其戰略性設計GaN產品組合，不斷加強全系統解決方案，推出EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200V單通道門極驅動器IC系列產品。新的系列產品不僅提升了CoolGaN?肖特基柵（SG）HEMT的性能，同時也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。該門極驅動器系列產品可廣泛應用于DC-DC轉換器、電機驅動器、電信、服務器、機器人、無人機、電動工具和D類音頻放大器等領域。

　　1EDN71x6G系列產品具有可選上拉和下拉驅動強度特性，無需柵極電阻即可實現波形和開關速度優化，因此可使功率級電路布局面積更小，BOM元器件數量更少。驅動能力最強和開關速度最快的的驅動器產品（1EDN7116G）適用于多并聯的半橋組合電路。驅動能力最小和開關速度最慢的驅動產品（1EDN7146G）可用于需求dv/dt變化緩慢的應用，如電機驅動或小晶片GaN（高RDS（on）、低Qg）HEMTs。不僅如此，每款產品都有不同的消隱時間，并與最小建議死區時間、最小脈沖寬度和傳播延遲成正比。

　　真差分邏輯輸入（TDI）功能不僅可消除低邊應用中由于接地反彈電壓而造成的錯誤觸發風險，還能讓1EDN71x6G能夠處理高邊側應用。此外，所有系列產品均采用有源米勒鉗位技術，該技術有非常強的下拉功能，可以避免感應開啟。這為抵抗柵極驅動器回路中的毛刺電壓提供了更強的魯棒性，尤其是在驅動具有高米勒比的晶體管時。

　　此外，1EDN71x6G提供有源自舉鉗位，以避免在死區時間時對自舉電容過度充電。這實現了自舉電源電壓調節，無需額外的調節電路即可對高邊側晶體管的柵極形成保護。如有需要（如在無法完全優化PCB布局的情況下），該產品系列還可提供帶有可調負關斷電源的可編程電荷泵，以此取得額外的米勒感應導通抗擾度。

　　供貨情況

　　用于CoolGaN SG HEMT的1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G四款EiceDRIVER HS 200 V單通道柵極驅動器IC，現在可在PG-VSON-10套裝中訂購。