式電源?(SMPS)。 ? 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度
2022-05-19 10:50:42
2606 
Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982 
日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 日前發布的器件在小型封裝內含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩壓器靜態工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211873 汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073575 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
。 ? 創新單級拓撲，6.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能，過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級式拓撲設計，因為需要經過兩個階段的轉換，效率受到限制；其次是在電路上設計復雜，元器件數量多，導致體積和重量較高，同時
2025-02-05 07:55:0011359 
通訊應用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓撲的電源模塊。這些拓撲使用高性能半橋驅動器實現高頻操作和高效率。半橋柵極驅動器采用的技術已在業界成功應用了數十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內實現高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設計還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數據通信，工業電源轉換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現半橋拓撲功率轉換器所需的所有功能。 該
2019-08-23 04:45:06
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統級功率密度Jonathan Harper，安森美半導體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
集成是固態電子產品的基礎，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅動著整個行業的發展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術的發展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產品
2020-10-28 09:10:17
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環境
2025-03-17 09:59:21
的推出，為業界提供了最佳功率密度和低傳導損耗。FDMC8010采用飛兆半導體的PowerTrench技術，非常適合要求在小空間內實現最低RDS(ON)的應用，包括：高性能DC-DC降壓轉換器、負載點
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
克服了上述問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創新、電路優化與封裝設計，實現了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關損耗，提升高頻應用下的轉換效率和功率密度。
高邊直驅設計： 獨特的浮動通道設計，支持直接驅動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
MOSFET 技術，具備高功率密度、低電感、高溫運行能力和出色的開關性能。核心特點：高功率密度：模塊體積和重量僅為標準 62mm 模塊的一半，適合緊湊型設計。低電感設計：寄生電感低至 6.5–6.7 nH
2025-09-11 09:48:08
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數設計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應用程序。在升壓PFC設計中，采用了GaNSense功率ic，以實現更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。這必然導致選用本身效率更高的轉換器拓撲。本文闡述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級（IPS）技術應用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式
2022-04-12 11:07:51
功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。這必然導致選用本身效率更高的轉換器拓撲。本文闡述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級（IPS）技術應用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式
2022-06-14 10:14:18
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
升壓從動器PFC通過調整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關損耗和循環能量，提高系統效率顯著提高
2023-06-16 09:04:37
LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器，集成了輔助偏置電源，為電信，數據通信，工業電源轉換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現半橋拓撲功率轉換器所需的所有功能。 該
2022-11-10 07:46:30
在現有空間內繼續提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產品系列實現
2019-03-01 09:52:45
的FDMF8811是業界首款100 V橋式功率級模塊，優化用于全橋和半橋拓撲。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。與分立方案相比，FDMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
的BLDC電機時，功率密度就是游戲的代名詞。TI新的功率模塊解決方案可在前所未有的水平上實現這一目標。其他信息有關這些新功率模塊的更多信息，請查看具有40V CSD88584Q5DC的18V / 1kW
2017-08-21 14:21:03
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數據中心
2020-10-27 10:46:12
在現有空間內繼續提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
%和39%。改善導通電阻與柵極電荷乘積（優值系數，FOM），不僅能夠提高總體的系統效率，還能夠使DC/DC轉換器實現更高的功率密度和更高的開關頻率。為驗證從TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業界公認的汽車封裝，針對牽引逆變器和電機驅動器進行了優化。為了提供汽車級HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
達100A的電流處理能力等特性，使該系列產品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應用方面樹立了全新的標準。OptiMOS 3產品用于要求高效率和高功率密度的功率轉換和電源管理系統，應用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
進一步減小，甚至消除。 結論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設計工程師設計出更高功率密度的產品。開關性能的優化可使許多應用選用一個更低電壓等級的MOSFET，從而全面優化通態電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
48V 電壓驅動至電路板。那么，還有什么其他辦法可以在不增加成本的前提下提高數據中心的功率密度呢？本文概述了一種兩級架構解決方案——以一種靈活的、可調節的、高性價比方式，將 48V 電壓驅動至負載點
2021-05-26 19:13:52
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
驅動器，采用基于傳感器的梯形控制。本設計采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術，將兩個采用半橋配置的 FET 集成到一個 SON 5x6 封裝中，從而實現極高的功率密度。本設計使用兩個并聯的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
集成來減小系統體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節
2022-11-07 06:45:10
，上世紀80年代即出現了分布式電源系統，致使可以采用小型電源組件供給單個電路板安裝。例如，提供桌面個人計算機的開關電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
需求所制定之更嚴格的規範要求，其二，是由於半導體功率元件及各種磁性元件、儲能元件的技術更臻於成熟，價格低廉。對各式電源轉換器的規格要求，除高功率密度及高轉換效率外，低待機功率損耗及滿足特定額定輸出功率
2018-12-05 09:48:34
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。為了應對挑戰，飛兆半導體研發了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:041121 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對大電流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款
2016-02-17 15:10:151602 
2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值系數 （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:112189 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551806 通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。 分析顯示，在研發功率
2017-11-24 06:21:01944 
功率級模塊。FDMF8811模塊為業界首款面向半橋和全橋DC-DC轉換器的100V橋式功率級模塊，采用高性能PowerTrench? MOSFET 技術減少了轉換器應用中的開關振鈴。
2018-05-17 15:47:001562 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉換而設計，用于具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。
2020-03-20 16:57:445320 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2020-08-07 18:52:00
0 開關型電源（SMPS）在通常便攜式計算機中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:009639 機電元件集成來減小系統體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151460 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 MASTERGAN4 是一種先進的功率系統級封裝，在半橋配置中集成了瑪瑙驅動器和兩個增強型 GaN 功率晶體管。集成功率 GaN 具有 650 V 漏源阻斷電壓和 225 mΩ RDS（ON），而嵌入式柵極驅動器的高端可由集成自舉二極管輕松供電。
2021-06-12 09:24:002131 
的散熱
通過機電元件集成來減小系統體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據
2022-01-14 17:10:262447 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
低 27 %，為通信、服務器和數據中心電源應用提供了高效解決方案，同時實現柵極電荷下降 60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內先進水平，該參數是 600 V MOSFET 在功率轉換應用中的關鍵指標(FOM)。
2022-02-26 13:25:352298 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2022-05-31 09:47:063203 
電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:114328 
N 溝道器件實現高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:121359 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:203471 
在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢，能夠幫助廠商大幅提升系統密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅動或電力系統等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311819 
隨著汽車行業逐步縱深電氣化，我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
通過GaN電機系統提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:271259 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281095 
在電力電子系統的設計和優化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
2024年1月4日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:011489 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
RDS(ON) 達到業內先進水平，提高功率密度、能效和熱性能
2024-03-08 09:12:151375 
MOSFET旨在進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用中的功率密度，并顯著增強熱性能，從而為用戶帶來更為出色的性能體驗。
2024-03-12 10:38:141480 BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊，
2024-04-11 09:22:271998 
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 電子發燒友網站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費下載
2024-08-26 09:34:041 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298 
Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級專為同步降壓應用而設計，可提供大電流、高效率和高功率密度，并將關斷電流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45353 
Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^?^ 集成功率級專為大電流、高效率和高功率密度同步降壓應用而設計。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01348 
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