作者：賽普拉斯半導體存儲器產品部門 資深主任應用工程師Jayasree Nayar

　　對于網絡應用來說，選擇合適的同步SRAM是至關重要的，因為網絡應用需要增加帶寬來達到更好的系統性能。系統設計人員需要明白不同種同步SRAM技術的特色和優勢，從而可以為他們的應用選擇正確的同步SRAM存儲器。

　　選擇合適同步SRAM的重要因素包括：密度，反應時間，速度，讀寫比率，以及功耗。了解了這些因素如何影響性能，可靠性和價格，設計人員就可以為他們的應用選擇最佳的同步SRAM。

　　同步SRAM有如下分類：

　　圖1：同步SRAM種類

　　Std.Sync: 標準同步

　　FT: Flow Through

　　PL:Pipelined

　　SCD: 單周期取消片選Single Cycle Deselect

　　DCD: 雙周期取消片選Double Cycle Deselect

　　QDR: 四倍速Quad Data Rate

　　DDR: 雙倍速Double Data Rate

　　標準同步SRAM

　　標準同步SRAM通常用于工業電子，儀器儀表，和軍事應用。其經常用作數據緩存(臨時存儲)，可以通過其高速、單倍速(SDR)接口隨機存取。標準同步 Burst SRAM對于受控讀寫操作來說是很理想的。客戶可以選擇Flow-through 或Pipelined結構，線性和交叉存取burst模式，也就是SCD和DCD。

　　Flow-through SRAM:Flow-through器件在輸入端有一個寄存器。在時鐘上升沿，捕獲器件的地址和控制。在讀操作時，允許請求的數據流入器件輸出端，因此在第一個周期會讀出數據。在寫操作時。地址，控制和數據在同一個時鐘上升沿捕獲。

　　Pipelined SRAMs: Pipelined 和flow-through SRAM的區別是，pipelined器件在輸入和輸出端都有一個寄存器。在讀操作時，數據可以流入pipeline器件輸出寄存器。在下一個時鐘周期，數據鎖存在器件輸出端。這和flow-through器件有所區別，這是因為從pipelinedSRAM 出來的數據會比flow-through的晚一個周期。然而，pipeline器件可以工作在比flow-through器件更高的頻率，因為訪問會有幾個周期的中斷。pipeline器件的寫操作和flow-through器件相同。

　　Pipelined SRAM包括單周期取消片選(SCD)和雙周期取消片選(DCD)兩種類型。這決定了在器件取消片選以后需要多長時間使數據總線進入三態。三態定義為傳輸線設為高阻狀態。

　　●單周期取消片選(SCD)：I/O總線在片選結束一個周期后進入三態。

　　●雙周期取消片選(DCD)：I/O總線在片選結束兩個周期后進入三態。

　　總體來說，pipelined SRAM可以比flow-through SRAM工作在更高的頻率上。

　　在反應時間很重要的應用中，flow-through器件更合適，如果速度更重要，那么pipeline器件更合適。

　　如果系統的讀/寫比率為1:1，那么標準同步的Flow-through 和Pipelined SRAM就都不合適了，NoBL SRAM更合適。