作為其打造無線供電用控制IC的第一款新產品，ROHM的BD57011GWL是根據作為無線供電標準備受矚目的WPC（Wireless Power Consortium）最新Qi標準Low Power Ver1.1開發的。這雖然是個單芯片產品，但發熱量更低，與以往產品相比，供電時的溫升可降低約75%，縮減貼裝面積的同時實現了低發熱。不僅如此，搭載了業界首創的位置偏差檢測功能，可檢測位置偏差時的充電效率下降情況，因此，有助于提高設備的工作效率。

　　ROHM同時指出，提高無線充電效率關鍵在于降低發熱，增大電流，減少損失。另外，FOD （Foreign Object Detection /異物檢測功能）是最新的Qi標準所規定的有義務搭載的項目，金屬物體存在于收發器之間時，金屬發熱可能導致機殼變形或燒傷，搭載FOD可防患于未然，使設備安全性能顯著提高。要想實現FOD，需要發送側與接收側復雜的對接技術。

　　8D57011GWL滿足QI標準Low Power Ver1.1的規定。因此，按該標準要求搭載了FOD（異物檢測功能），可輕松實現配套設備使用時的高安全性。

　　通過融合本公司的模擬技術與集團公司LAPIS Semiconductor的數字技術，ROHM使FOD得以實現。實際上，接收側進行功率損耗計算時，可通過外置電阻設定每個接收單元不同損耗誤差的微調量，因此，實現了極具靈活性且高精度的FOD。這是ROHM為節能減排做出的另一個貢獻。

　　SiC功率器件助力低功耗

　　技術發展到今時今日，Si功率器件的優勢已逐漸被SiC器件所取代。與以往的硅材料功率元器件相比，這種以碳化硅作為原材料制作而成的功率器件具有低導通電阻、高速開關、高溫作業的特點，因此許多研究機構和廠商將其視為新一代功率元器件，并一直致力于對它的研發。

　　一直以“理想器件”備受期待的SiC功率器件近年來已得以問世。作為知名的功率器件廠商，ROHM已批量生產SiC二極管和SiC-MOSFET，并于2012年3月開始批量生產內置上述兩種元器件的功率模塊。

　　雖然新型的器件在功能上有了顯著的提升，但囿于當前價格等因素的影響，限制了其大規模采用，而ROHM將全面推動SiC元器件的普及作為其目標。

　　ROHM指出，相對于已經具有大量采用實績的SiC-SBD而言，SiC-MOSFET和全SiC功率模塊的真正采用現在才開始。相對以往硅材質器件的性能差別和成本差別的平衡將成為SiC器件真正普及的關鍵。ROHM在兩個方面進行著技術開發：①基于SiC電路板大口徑化，降低SiC器件成本②相對硅材質器件，開發在性能上具有絕對優勢的新一代SiC器件。今后，ROHM將通過擴大普及SiC器件，助力于全球范圍內實現節能和減少CO2的排放。

　　通過這篇文章，相信大家已經對ROHM為了節能減排在電源管理方面做的努力。期望在未來能夠見到ROHM更多的新產品。