借鑒作用。##采用 BCDMOS工藝制造高壓功率MOSFET器件，它的局限性多于采用優(yōu)化MOSFET工藝制造的器件。通常，采用BCDMOS工藝制造的芯片的單位面積 RDS（on）值會(huì)高出許多。
2014-03-11 10:38:30
7471 電源管理芯片廣泛應(yīng)用于板級電源系統(tǒng)中，包括控制器和功率MOSFET。但對于大電流電源管理芯片，基于不同半導(dǎo)體工藝的技術(shù)特點(diǎn)，即控制器和MOSFET所需要工藝的差別，可能無法使用同一半導(dǎo)體制程把兩者
2023-03-15 10:17:574390 
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:432171 
MOSFET 組成了同步降壓結(jié)構(gòu)，在小型的 ESOP8 封裝內(nèi)最大程度集成了低 RON 的功率器件和控制線路， 提升了驅(qū)動(dòng)效率，使得芯片能實(shí)現(xiàn)最高5A 的驅(qū)動(dòng)電流。PC1253 采用高側(cè)電流檢測方法， 這種方式
2024-07-25 15:12:49
`一、產(chǎn)品綜述H6902芯片是一款具有自動(dòng)調(diào)節(jié)頻率、寬輸入范圍的電流模式升壓（BOOST）芯片，且具有同步升壓功能和可調(diào)限流功能。該電源芯片內(nèi)部全集成低內(nèi)阻功率 MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出
2020-10-14 14:24:07
MOSFET封裝伸援助之手 滿足芯片組移動(dòng)新功能
2021-05-10 06:54:58
用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
功率mosfet 在中國IC市場中有很大的市場，2010年預(yù)計(jì)整個(gè)MOSFET的市場收益大于160億。主要的應(yīng)用使數(shù)據(jù)處理如： 臺式電腦，筆記本，還有家電，汽車和工業(yè)控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過程，也討論過開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關(guān)
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
：考慮二極管反向恢復(fù)后：關(guān)斷損耗：驅(qū)動(dòng)損耗：功率MOSFET的選擇原則與步驟（1）：選擇原則（A）：根據(jù)電源規(guī)格，合理選擇MOSFET 器件（見下表）：（B）：選擇時(shí)，如工作電流較大，則在相同的器件額定
2021-09-05 07:00:00
具有二顆背靠背的二極管，這種結(jié)構(gòu)有什么優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？是不是這種結(jié)構(gòu)不存在寄生體二極管？
回復(fù)：這種結(jié)構(gòu)因?yàn)楣に囋蛑饕糜趩?b class="flag-6" style="color: red">芯片電源芯片，垂直結(jié)構(gòu)功率MOSFET管的源極和P體區(qū)相連接，因此，寄生體
2025-11-19 06:35:56
MOSFET。2、N溝通和P溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)N溝道的功率MOSFET連接方式：電源輸入正極連接到D極，由S極輸出；驅(qū)動(dòng)電壓的正加在G極，驅(qū)動(dòng)電壓的負(fù)加在S極。P溝道的功率MOSFET連接方式
2016-12-07 11:36:11
了具備MOSFET寄生參數(shù)和電路板寄生參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝傳統(tǒng)的TO247（即：電源電流路徑和驅(qū)動(dòng)電流路徑是相同的）。第三節(jié)將對最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析，以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
開關(guān)，現(xiàn)在可以采用集成控制器，這些集成器件針對各種功率級別和應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，通常可分為雙芯片式和單芯片式兩類。雙芯片式包括控制器芯片和MOSFET芯片，而單芯片式僅有一個(gè)芯片，一般采用BCDMOS工藝
2018-09-27 15:28:58
概述 FM7318A是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式PWM控制芯片，適用于全電壓18W離線式反激開關(guān)電源，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。 為了保證芯片正常工作，F(xiàn)M7318A針對
2020-07-06 10:57:25
深圳市三佛科技有限公司 介紹KP32512SGA 輸出12V非隔離PWM控制功率開關(guān)芯片
KP3251X系列KP32512SGA是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場
2025-10-22 15:20:45
MP9583是一個(gè)降壓穩(wěn)壓內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET。完成連續(xù)的3A輸出電流在寬輸入電源范圍內(nèi)出色的負(fù)載和線路控制。 電流模式工作提供快速瞬態(tài)反應(yīng)和簡化環(huán)路穩(wěn)定。
2021-04-27 07:40:32
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競爭力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。一、概述OC5860 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)
2020-05-11 11:42:56
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯(lián)連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過芯片級創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
可以減小內(nèi)部源極布線的電感，從而允許MOSFET實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率。TO263-7L采用7引腳封裝，采用開爾文連接，適合表面安裝。TO268-2L采用雙引腳封裝，中間沒有引腳，以確保最佳的爬電距離。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
概述：TC427是TELCOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款1.5A雙高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。雙列直插DIP或貼片SOIC 8腳封裝。輸出峰值電流1.5A，最大輸入電壓18V。
2021-05-18 07:50:05
，TO-247-4這種帶輔助源極管腳的封裝形式對碳化硅MOSFET這種高速功率開關(guān)帶來的優(yōu)勢。 02 從數(shù)據(jù)的角度去分析共源雜散電感對開關(guān)損耗的影響 （1）雙脈沖測試時(shí)的重要注意事項(xiàng)---電流探頭的相位
2023-02-27 16:14:19
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器線路驅(qū)動(dòng)器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚?fù)載。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙
2020-10-14 16:57:53
<br/> 功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：<br/> 1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)
2010-08-12 13:58:43
實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時(shí)候，它顯露出一些惱人的局限性。確實(shí)，你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)
2025-06-03 15:39:43
背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)的充電泵，使用P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)。2、選取封裝類型功率MOSFET的溝道類型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：（1）溫升和熱
2019-04-04 06:30:00
功率場效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動(dòng)功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開關(guān)電源中常用的開關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開關(guān)電源具有體積小、重量輕
2021-11-12 08:50:12
LTC1981的典型應(yīng)用 - 采用SOT-23封裝的單和雙微功率高側(cè)開關(guān)控制器。 LTC 1981 / LTC1982是低功耗，獨(dú)立的N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器。內(nèi)部電壓Tripler允許在不使用任何
2020-06-10 09:16:41
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
` 本帖最后由 wangka 于 2011-9-23 17:23 編輯
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難
2011-09-23 17:22:52
功能。該電源芯片內(nèi)部全集成低內(nèi)阻功率 MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出的同時(shí)，大大簡化了外部電路設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗，高效率電源開關(guān)。用戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)環(huán)路，獲得在所有條件下最優(yōu)瞬態(tài)性能
2019-12-04 16:53:35
功能。該電源芯片內(nèi)部全集成低內(nèi)阻功率 MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)大功率輸出的同時(shí)，大大簡化了外部電路設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗，高效率電源開關(guān)。用戶可靈活地通過外部補(bǔ)償建立動(dòng)態(tài)環(huán)路，獲得在所有條件下最優(yōu)瞬態(tài)性能
2019-11-07 14:59:48
在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
`大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)`
2012-08-20 16:15:28
如何實(shí)現(xiàn)高壓MOSFET控制器簡化非隔離開關(guān)的設(shè)計(jì)？
2021-10-12 11:44:30
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個(gè)的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì)社（茨城縣）進(jìn)行；包裝
2018-08-24 16:56:26
推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，帶有精確的電流監(jiān)控，電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
電路，即可實(shí)現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達(dá) 15W 的隔離電源。VPS8703 內(nèi)部集成兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET 和兩個(gè) P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及兩個(gè)功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1（上）所示為采用HiperLCS器件的功率級結(jié)構(gòu)簡圖，其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
簡化電源測試的SPST雙極性功率開關(guān)
2019-04-03 14:23:32
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET來說，通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí)，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
10KHz的PWM控制MOSFET驅(qū)動(dòng)中功率直流電機(jī)，該直流電機(jī)額定工作電壓為12V，最大功率250W，在調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)，在電源輸入端已加TVS管、電感、電容濾波等處理下，電源紋波仍然極大，原因應(yīng)該是直流電機(jī)通斷瞬間對電源產(chǎn)生了影響！不知道大家可有較好的辦法？
2019-09-20 04:18:57
小功率電源芯片。銀聯(lián)寶科技小功率電源芯片既有直插式封裝的，也有表面黏貼式封裝的。小功率電源芯片的應(yīng)用范圍十分廣泛，發(fā)展電源管理芯片對于提高整機(jī)性能具有重要意義，對小功率芯片的選擇與系統(tǒng)的需求直接相關(guān)。銀聯(lián)寶根據(jù)客戶需求開發(fā)最優(yōu)化的電源方案、定制方案。免費(fèi)咨詢電話：400-778-5088
2017-06-08 16:27:14
請問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-mode power
supplies，SMPS）的整流組件，不過，在選用MOSFET時(shí)有一些注意事項(xiàng)。
功率MOS
2008-08-27 23:07:59
389 摘要：本應(yīng)用筆記介紹了一種獨(dú)立的隔離SPST (單刀/單擲)雙極性電源開關(guān)，用于產(chǎn)生200A、75V瞬變信號。該開關(guān)能夠用來測試電源或電源IC，用于高速電路的測試，開關(guān)的通、斷時(shí)間可
2009-04-27 14:25:2020 用電源管理芯片簡化 ACPI規(guī)范:The Advanced Configuration and Power Interfacespecification (ACPI; [1]), written
2009-05-12 11:14:3638 摘要：本應(yīng)用筆記介紹了一種獨(dú)立的隔離SPST (單刀/單擲)雙極性電源開關(guān)，用于產(chǎn)生200A、75V瞬變信號。該開關(guān)能夠用來測試電源或電源IC，用于高速電路的測試，開關(guān)的通、斷時(shí)間可
2009-04-24 13:50:091155 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:571007 開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專
2010-03-01 11:00:181883 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:221113 
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜?b class="flag-6" style="color: red">電源效率的提升。功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421581 
用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:181196 雙路微功率低電壓電源管理芯片-MIC2777
MIC2777芯片是Micrel公司生產(chǎn)的雙路電源管理器，它內(nèi)含固定和可調(diào)等兩個(gè)欠壓探測器，并具
2010-01-13 10:23:143440 RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一狀況。和硅雙極型晶
2011-05-28 16:18:2468 關(guān)于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)的 研究
2011-10-11 19:27:56191 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決該難題的辦法之一就是充分利用在MOSFET技術(shù)和封
2012-10-09 13:53:28873 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 利用功率元件簡化1kW電源設(shè)計(jì) 的PDF。
2016-01-06 18:03:430 電源設(shè)計(jì)——利用功率元件簡化1kW電源設(shè)計(jì)
2016-05-24 16:45:550 介紹 半導(dǎo)體冷MOSFET新技術(shù)熱增強(qiáng)，wdfn6 2x2 506an包非常小，專門解決電源便攜式設(shè)備的管理挑戰(zhàn)同步降壓和升壓電路，高，低側(cè)負(fù)載鋰離子電池和開關(guān)，充電電路。本技術(shù)筆記討論雙位
2017-05-11 17:29:553 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2017-09-14 09:55:0225 電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0213589 
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2018-10-11 08:33:007499 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Si4953ADY雙P溝道MOSFET電源芯片資料免費(fèi)下載。
2018-12-27 08:00:0038 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們在高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關(guān)穩(wěn)壓器，如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:004543 
【工程師小貼士】一個(gè)MOSFET也能簡化設(shè)計(jì)；快速芯片烘烤時(shí)間計(jì)算法
2019-07-12 16:17:414098 HM8205雙N溝道功率Mosfet的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載
2021-02-23 08:00:0010 LTC1155：雙高端微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-09 09:23:405 功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較，功率MOSFET具備電源開關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢
2022-08-16 14:30:561634 某些電源架構(gòu)要求電源排序器（或系統(tǒng)管理器）控制下游功率MOSFET，以允許功率流入分支電路。如果輸入電源電壓至少比電源輸出電壓高5V，則可以在電源輸出端放置一個(gè)功率MOSFET，并增加一些電平轉(zhuǎn)換電路。
2023-02-09 12:07:581452 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中使用的任何大功率開關(guān)電源的組成部分。此外，這些MOSFET是難以為散熱能力最小的筆記本電腦產(chǎn)品指定的組件。本文提供了計(jì)算這些MOSFET的功耗和確定其工作溫度的分步說明。然后，通過逐步完成多相、同步整流、降壓型CPU內(nèi)核電源的一個(gè)30A相位的設(shè)計(jì)來說明這些概念。
2023-03-13 09:50:492135 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2023-11-01 08:24:312168 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:290 功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子領(lǐng)域尤其是電源管理
2024-05-31 17:51:431799 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《解決芯片級功率MOSFET的組裝問題.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-27 11:17:240 密度和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25273 
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