驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關(guān)需要設(shè)計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整，彼此配合。于是這里的設(shè)計重點不再只是以開關(guān)為中心……
2018-06-22 09:19:28
6067 
SiC適合高壓領(lǐng)域，GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
2019-05-04 23:15:4815246 本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571760 
SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:494103 與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。
2013-12-30 09:15:351055 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013830 
（SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:534300 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:411404 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:245619 
功率半導體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:025396 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元，預計2021年至2027年的復合年增長率將
2021-05-21 14:57:182771 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:185484 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領(lǐng)域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
(51, 51, 51) !important]隔離式柵極驅(qū)動器的要求已經(jīng)開始變化，不同于以前的。對于SiC和GaN，寬柵極電壓擺幅、快速上升/下降時間和超低傳播延遲。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動器
2019-07-16 23:57:01
，不需要進行電導率調(diào)制就能夠以MOSFET實現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，并且實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
環(huán)節(jié)拆解材料成本GaN器件：GaN外延片成本占比較高，目前主流仍采用硅或碳化硅（SiC）異質(zhì)襯底，其中硅基GaN成本較低（約50?100/片，6英寸），但性能受限；SiC基GaN性能更優(yōu)，但成本高昂
2025-12-25 09:12:32
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運行。該器件采用行業(yè)標準
2021-08-04 11:50:58
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
應用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD的優(yōu)勢是得益于SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速，因此可大幅降低恢復損耗，實現(xiàn)高效率??2.同樣
2018-11-29 14:33:47
目睹GaN 在4G 基站方面的優(yōu)勢，在這一領(lǐng)域中，GaN 已經(jīng)開始替代硅LDMOS。對于5G 來說，GaN 在高頻范圍內(nèi)工作的能力有助于其從基站演變至小型蜂窩應用，從而進入移動設(shè)備。越過基礎(chǔ)設(shè)施：將
2017-07-28 19:38:38
以及免執(zhí)照5GHz頻譜的使用等。 這些短期和中期擴容技術(shù)以及最終的5G網(wǎng)絡(luò)將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內(nèi)品牌尚不具備競爭優(yōu)勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
功率開關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價格已與硅開關(guān)相當，特別是在考慮到連鎖效益的情況下。 隨著電動汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
可能陷入熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高，VF變高，不會熱失控。但是VF上升，因此IFSM比Si-FRD低。SiC-SBD的優(yōu)勢從SiC-SBD的這些特征可以看出，替代Si-PND/FRD
2019-07-10 04:20:13
0.13微米幾何設(shè)計規(guī)則與0.5微米幾何設(shè)計規(guī)則
2019-04-09 22:43:50
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
，新企業(yè)搶占市場的背景下，該專案將提升歐盟工業(yè)、一級和二級供應商以及產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)的競爭力。專案組將針對目標應用開發(fā)新的拓撲結(jié)構(gòu)和架構(gòu)，在實驗室層面模擬操作環(huán)境，推進目前急需的還是空白的技術(shù)、元件和展示產(chǎn)品
2019-06-27 04:20:26
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅(qū)動逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
“功率半導體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331846 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:113205 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1236743 
了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復雜的多級控制拓撲來解決面臨的挑戰(zhàn)。
2018-06-05 13:45:005682 需求仍然強勁的ST，目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場效應管的唯一供應商。推出650V SiC，可與高性能IGBT競爭，并能替代超結(jié)器件。
2018-05-31 09:01:185873 雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐，但世易時移，新興市場為其應用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:206060 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:005391 
與SiC/GaN開關(guān)的驅(qū)動相關(guān)的一個關(guān)鍵方面是它們需要其在高壓和高頻條件下工作。在這些條件下，根本不允許使用容性或感性寄生元件。設(shè)計必須精雕細琢，在設(shè)計電路板路由、定義布局時務必特別小心。
2018-10-11 10:26:174317 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:094604 
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:003682 自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世，GaN在射頻功率應用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件幾乎同時
2019-05-09 10:25:185447 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:575002 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導體的潛力，并且在射頻應用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3113407 作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
之際，氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）達到了足夠的成熟度并獲得了足夠的吸引力，從而留下了其他潛在的替代品，從而引起了全球工業(yè)制造商的足夠關(guān)注。 在接下來的幾年中，重點是調(diào)查與材料有關(guān)的缺陷，為新材料開發(fā)定制的設(shè)計，
2021-04-01 14:10:192851 
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效固態(tài)照明中使用的高亮度LED的首選材料。 但是
2021-04-04 06:17:002050 
11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體的新興市場
2020-11-16 10:19:322918 今日寬禁帶半導體聯(lián)盟秘書長陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042991 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) MOSFET和超級結(jié)MOSFET競爭。
2022-04-01 11:05:195310 半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:018317 寬帶隙半導體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213282 
半導體應用中替代現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。新世紀之初，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 已經(jīng)足夠成熟，并獲得足夠的牽引力，將其他潛在的替代品拋在身后，并得到全球工業(yè)制造商的充分關(guān)注。
2022-07-27 15:52:591521 我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來芯片設(shè)計的前沿。
2022-07-27 15:44:031101 AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26965 
在基本半導體特性（帶隙、臨界電場和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特，臨界電子場為 0.23 MV/cm，而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:294352 
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。基于 GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應該得到適當?shù)墓芾恚@使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:572305 
(GaN) 和碳化硅 (SiC) 已達到足夠的成熟度并獲得足夠的吸引力，從而將其他潛在替代品拋在腦后，從而得到全球工業(yè)制造商的足夠重視。
2022-08-05 11:58:281284 
GaN和 SiC令人印象深刻的品質(zhì)使它們深受業(yè)內(nèi)人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產(chǎn)和供應需求的挑戰(zhàn)，因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用性。這是因為隨著氮化鎵 (GaN) 和碳化硅
2022-08-08 15:19:371388 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:062014 云計算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗，但它們成為標準技術(shù)還需要一些時間。
2023-01-11 14:23:18919 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:151764 GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備，其中許多每天運行數(shù)小時，因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05891 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06977 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216119 
SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV
2023-05-19 09:51:431303 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392004 
碳化硅(SiC)是一種新興的新型寬禁帶(WBG)材料，特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用。然而，大家對它的諸多不了解限制了設(shè)計人員對它的充分利用。圖1：SiC晶圓圖片有些人認為，氮化鎵(GaN)是硅
2023-08-18 08:33:052215 
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：
2023-10-09 14:24:367167 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:227 設(shè)計人員正在尋求先進技術(shù)，從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導體技術(shù)，從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:002333 
近日，國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上正式發(fā)布，并在行家極光獎頒獎典禮上成功斬獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”。
2023-12-19 10:27:381755 隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展，SiC/GaN 功率器件的應用越來越廣泛，工程師經(jīng)常要測量頻率高達數(shù)百 kHz，電流高達數(shù)十安培的功率電路。
2024-03-13 10:50:201883 
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-11-20 16:21:412094 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于800V OBCM應用的基于GaN和SiC的500kHz諧振雙向DC/DC設(shè)計.pdf》資料免費下載
2025-01-22 14:53:0639 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電動汽車的SiC演變和GaN革命.pdf》資料免費下載
2025-01-24 14:03:073 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動汽車(EV
2025-03-07 11:10:29954 
，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學習、交流-1400+最新全球汽車動力系統(tǒng)相關(guān)的報告與解析已上傳知識星球?qū)дZ：在半導體產(chǎn)業(yè)的競技場上，Si、SiC與GaN正上演一
2025-08-07 06:53:441554 
傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動因與SiC模塊應用系統(tǒng)級優(yōu)勢深度研究 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源
2025-09-07 14:57:042117 
的逆變器則主要采用了SiC。 ? 但近年來GaN開始向著全功率市場擴展，甚至朝著SiC的光儲、家電等優(yōu)勢領(lǐng)域進發(fā)，這或許意味著GaN將改變當前功率半導體領(lǐng)域的競爭格局。 ? GaN 增速開始超越SiC ? 同為第三代半導體材料，GaN與SiC其實各有優(yōu)勢，并且正
2024-07-04 00:10:009580
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