本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
1760 
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率密度電力電子。通過(guò)對(duì)比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143566 
今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來(lái)越多大功率密度、高能效應(yīng)用場(chǎng)景中的主角。
2025-10-31 16:21:589412 
GaN-on-Si技術(shù)可用來(lái)降低LED及功率元件的成本，將有助固態(tài)照明、電源供應(yīng)器，甚至是太陽(yáng)能板及電動(dòng)車的發(fā)展.
2013-09-12 09:33:291827 在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，具有更快的開關(guān)速度、更高的擊穿強(qiáng)度和高導(dǎo)熱性。
2022-07-29 10:52:002073 
近年來(lái)，電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體
2022-08-22 09:44:015287 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:2914900 
高性能模擬射頻、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010寬帶功率放大器模塊，擴(kuò)展了硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率放大器產(chǎn)品組合。
2019-01-30 13:50:577340 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114437 
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對(duì)目前主流的GaN Class D應(yīng)用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時(shí)采用自主設(shè)計(jì)的半橋電路測(cè)試平臺(tái)對(duì)200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，靜電防護(hù)技術(shù)不斷提高，無(wú)論是在LED器件設(shè)計(jì)上，還是在生產(chǎn)工藝上，抗ESD能力都有明顯的進(jìn)步，但是，GaN基LED畢竟是ESD敏感器件，靜電防護(hù)必須滲透到生產(chǎn)全過(guò)程
2013-02-19 10:06:44
五、 LED靜電防護(hù)技術(shù) 1、一般靜電防護(hù)的基本思路： 1）從元器件設(shè)計(jì)方面，把靜電保護(hù)設(shè)計(jì)到LED器件內(nèi)，例如大功率LED，設(shè)計(jì)者在承載GaN基LED芯片倒裝的硅片上，設(shè)計(jì)靜電保護(hù)二極管，這時(shí)
2013-02-20 09:25:41
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來(lái)分類等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國(guó)產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
在射頻領(lǐng)域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術(shù)的供應(yīng)商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術(shù)以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續(xù)波（CW）射頻功率晶體管產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術(shù)而制成。GaN-on-SiC 方法結(jié)合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導(dǎo)熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
設(shè)計(jì)。基于雙向6.6kw OBC和3.0kW LV-DC/DC的一體化“二合一”設(shè)計(jì)，本文提出了一種高效散熱方案采用Navitas集成驅(qū)動(dòng)GaN-Power-IC器件的技術(shù)。CCMPFC的開關(guān)頻率設(shè)置為
2023-06-16 08:59:35
OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計(jì)可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度，降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來(lái)了進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)遇提高電動(dòng)汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
數(shù)據(jù)中心應(yīng)用服務(wù)器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動(dòng)駕駛車輛激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡(luò)線跟蹤等應(yīng)用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導(dǎo)損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
。在這次活動(dòng)中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強(qiáng)氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強(qiáng)型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導(dǎo)通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是最高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN 器件比Si 和GaAs 有更強(qiáng)抗輻照能力，同時(shí)GaN又是高熔點(diǎn)材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
參數(shù)極其敏感，因此相較于傳統(tǒng)的Si基半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路，GaN的驅(qū)動(dòng)要求更為嚴(yán)苛，因此對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路的研究很有意義。在實(shí)際的高壓功率GaN器件應(yīng)用過(guò)程中，我們用GaN器件和當(dāng)前主流的SJ MOSFET在
2021-12-01 13:33:21
原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中，微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。但是，通過(guò)微細(xì)化可以改善的性能僅限于100V
2019-07-08 06:09:02
”毫不夸張，為滿足市場(chǎng)需求，需求不時(shí)完善各種運(yùn)用電路、易用封裝、復(fù)合品、額定電流、額定電壓的產(chǎn)品陣容，要求具有多元化的技術(shù)積聚。 在功率電子元器件范圍，羅姆擁有業(yè)界頂級(jí)水平的產(chǎn)品陣容，在Si基超級(jí)
2012-11-26 16:05:09
請(qǐng)問(wèn)一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 采用直流磁控反應(yīng)濺射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多種襯底上制備了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和組分進(jìn)行了分析,通過(guò)優(yōu)化工藝參數(shù),得到了提高薄膜擇優(yōu)取向的
2011-06-24 16:31:030 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:311384 該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過(guò)1百萬(wàn)小時(shí)，成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題，適用于中高壓硅基GaN功率器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2018-01-04 15:36:5317586 
松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。
2018-09-30 14:36:334536 目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:382043 目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:038442 
該GaN功率器件可以應(yīng)用在快速充電設(shè)備中, 令其避免出現(xiàn)受高溫熔斷的情況，進(jìn)而確保此功率器件在進(jìn)行快速充電時(shí)能夠很好的運(yùn)行使用。
2020-03-16 15:34:304274 
科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時(shí)，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時(shí)該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:574183 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013311 
介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
依托先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計(jì)方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場(chǎng)板的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管
2021-07-14 16:46:551772 與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率，隨著5G通信和新能源汽車的迅猛發(fā)展，GaN快充技術(shù)也隨之受到關(guān)注。
2021-12-24 09:46:132142 新成果展示：高性能肖特基功率二極管的設(shè)計(jì)與制備——助力GaN基功率電子器件物理模型的開發(fā)與完善 GaN基功率器件憑借其高電子漂移速度和遷移率、高耐壓特性與熱穩(wěn)定性、低導(dǎo)通電阻和開啟電壓等優(yōu)異特性被
2021-12-27 09:56:26929 
器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應(yīng)用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)和許多電網(wǎng)應(yīng)用。這
2022-07-29 10:35:012194 
意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨(dú)特的設(shè)計(jì)和封裝專業(yè)知識(shí)
2022-08-03 10:44:571285 
。與此同時(shí)，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進(jìn)，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當(dāng)今市場(chǎng)上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導(dǎo)通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點(diǎn)）和
2022-08-04 11:17:551186 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計(jì)人員越來(lái)越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161672 
的操作。 將 GaN 與其他材料集成在技術(shù)上具有挑戰(zhàn)性。很難將金剛石和GaN與導(dǎo)熱界面和界面處的低應(yīng)力結(jié)合。該建模使GaN器件能夠充分利用單晶金剛石的高導(dǎo)熱性，從而為大功率解決方案實(shí)現(xiàn)出色的冷卻效果。由于其他標(biāo)準(zhǔn)過(guò)程中的熱膨脹系數(shù)不同
2022-08-08 11:35:183194 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來(lái)。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:403153 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動(dòng)態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國(guó)內(nèi)外眾多科研團(tuán)隊(duì)的目光，近些年已取得了重要進(jìn)展。
2022-12-15 16:25:351894 氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:060 ，肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）是功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中
的核心組件之一，而實(shí)現(xiàn)具有低開啟電壓和超高耐壓的GaN基SBD是目前所追求的主要目標(biāo)。為此，依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD
仿真平臺(tái)，我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)并成功制備了一種新型的GaN基SBD，實(shí)現(xiàn)器件性能的大幅改
2023-02-16 15:13:290 依托先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計(jì)方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場(chǎng)板的GaN
基準(zhǔn)垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:384 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:162258 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:002558 
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:362158 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 其未來(lái)應(yīng)用前景廣闊，具有很高的實(shí)用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件，碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導(dǎo)率，這意味著在高溫或高電壓應(yīng)用中具有
2023-12-21 11:27:091237 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會(huì)得到更大助推。
結(jié)合高集成度電源設(shè)計(jì)，以及優(yōu)化的宇航
2024-01-05 17:59:041670 
珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
2024-04-10 18:08:092856 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢(shì)。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875 
近日，無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動(dòng)電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:241287 GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN與驅(qū)動(dòng)電路一體化，讓電源工程師在GaN的應(yīng)用更簡(jiǎn)單容易。
2024-11-15 10:37:361137 
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問(wèn)題的方法
2025-01-16 10:55:521229 
中的未來(lái)前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì)。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551181 
如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2025-03-14 18:05:172382 電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15674 
，使得載流子輸運(yùn)機(jī)制趨于復(fù)雜，傳統(tǒng)仿真手段難以精準(zhǔn)再現(xiàn)其正向?qū)ㄌ匦浴Ｄ芊裆疃冉馕鋈毕菸锢聿?jù)此構(gòu)建高精度模型，成為優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵。 圖1. Si基GaN肖特基二極管截面示意圖 ? ? ? ?針對(duì)這一難題，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)獨(dú)辟蹊徑，成
2025-09-26 16:48:581017 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281693 
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