與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，可大幅提升器件與系統的功率密度、工作頻率與能量轉換效率，隨著5G通信和新能源汽車的迅猛發展，GaN快充技術也隨之受到關注。

GaN功率器件產品和技術解決方案供應商聚能創芯推出純國產技術30W~120W氮化鎵PD快充方案，涵蓋熱門的30W單口，65W三口，100W單口和120W四口，并可根據客戶需求定制，其中120W四口PD快充采用PFC+LLC架構，次級同步整流，輸出固定電壓。多口輸出采用二次降壓方案，實現接口獨立快充和功率智能分配。聚能創芯下設全資的GaN外延公司聚能晶源，與政府合作設立GaN晶圓制造公司聚能國際，產品線還包括GaN功率器件，電壓為650V，導阻55~350mΩ，封裝PQFN8*8mm，開關速度快，減小無源器件需求，耐高溫抗輻照。

11月1日，聚能創芯與世強達成戰略合作，授權世強全線代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等產品，聚能創芯產品等相關資料已在世強硬創平臺上線。

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原文標題：提供GaN功率器件產品和技術解決方案，聚能創芯簽約世強

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審核編輯:湯梓紅