国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

gan基電力電子器件

汽車玩家 ? 來源:嘉德IPR ? 作者:愛集微 ? 2020-03-16 15:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

該GaN功率器件可以應用在快速充電設備中, 令其避免出現受高溫熔斷的情況,進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。

集微網消息,我們使用的手機充電器中常用的功率器件就是三極管,其主要用于功率開關管,即能承受較大電流,漏電流較小,在一定條件下有較好飽和導通及截止特性的三極管,而若是用于快速充電,則其通過的電流相對較大,因此會令其產生較多的熱量,現有的三極管均會裝有相應的散熱部,但其主要是對于基板及芯片進行散熱,而引腳與基板及芯片連接時通常使用金屬導線實現連接,因此其在工作中,引腳及金屬導線處的熱量會出現散出不及時的情況,特別對于金屬導線處,承受高溫較長時間,會令其燒斷,進而令此功率器件失效。

如果能夠設計一種對引腳與基板及芯片之間連接用的金屬導線進行有效散熱的功率器件,就可以解決此類問題,為此,同輝電子申請了一項名為“一種應用于快速充電的GaN功率器件”(申請號 201920241611 .3)的實用新型專利,申請人為同輝電子科技股份有限公司。

同輝電子快速充電的GaN功率器件專利

圖1 GaN功率器件剖視圖

上圖為此專利中提出用于快速充電的GaN功率器件剖視圖,整個器件都圍繞基板1來完成。

可以看到在基板1的上側壁固定安裝的是氮化鎵芯片2,而在基板1的下側壁固定安裝金屬板3,金屬板3主要用來將基板1及氮化鎵芯片2處的熱量導走。我們通過固定在金屬板3上面的封裝體4將基板1和氮化鎵芯片2封裝在內,封裝體4可以實現對基板1及氮化鎵芯片2處進行保護。

另外在封裝體4的左側壁嵌入有引腳5,引腳5與基板1或氮化鎵芯片2之間固定連接有金屬導線6,同時,引腳5還與外界電路板相連,并通過金屬導線6與基板1和氮化鎵芯片2相連,金屬導線6的外側壁套接有導熱硅膠管7、導熱環8以及第一導熱桿9。封裝體4的上側壁還固定安裝散熱裝置10,散熱裝置10可以將封裝體4上側的熱量散出。

該GaN功率器件可以應用在快速充電設備中,在使用時,基板1及氮化鎵芯片2處產生的熱量通過導熱環氧樹脂層18后從金屬板3導出實現散熱,引腳5處產生的熱量通過導熱硅膠板13和第二導熱桿14后從散熱裝置10處散出,且通過隔板11的隔熱作用,使引腳5處產生的熱量中的大部分不會傳導到金屬導線6處,而金屬導線6處的熱量經過導熱硅膠管7、導熱環8和第一導熱桿9后,一部分從金屬板3處散出,一部分從散熱裝置10處散出,實現金屬導線6及整體的散熱,對金屬導線6處實現高溫下的保護,令其避免出現受高溫熔斷的情況,進而確保此功率器件在進行快速充電時能夠很好的運行使用。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 三極管
    +關注

    關注

    145

    文章

    3719

    瀏覽量

    127937
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    21

    文章

    2366

    瀏覽量

    82215
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    電流探頭在電力電子器件特性測試中的應用技術

    電流探頭在電力電子器件測試中關鍵作用,用于高頻、大動態范圍、相位精度和抗干擾測量,支持開關特性、導通特性和損耗測試。
    的頭像 發表于 02-05 09:55 ?204次閱讀

    小米公布射頻器件研發成果:低壓硅GaN PA首次實現移動端驗證

    電子發燒友網綜合報道 小米公布GaN射頻器件研發新進展!在近期舉行的第 71 屆國際電子器件大會(IEDM 2025)上,小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的
    的頭像 發表于 12-18 10:08 ?2168次閱讀
    小米公布射頻<b class='flag-5'>器件</b>研發成果:低壓硅<b class='flag-5'>基</b><b class='flag-5'>GaN</b> PA首次實現移動端驗證

    IV曲線測試儀:電子器件的“性能解碼師”

    IV曲線測試儀:電子器件的“性能解碼師” 柏峰【BF-CV1500】在半導體研發的實驗室、光伏組件的生產車間,或是電子設備的故障診斷現場,IV曲線測試儀都是不可或缺的“核心工具”。它通過精準調控電壓、采集電流,繪制出電子器件的電
    的頭像 發表于 11-12 14:51 ?410次閱讀
    IV曲線測試儀:<b class='flag-5'>電子器件</b>的“性能解碼師”

    Leadway GaN系列模塊的功率密度

    場景提供高性價比的全國產解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破: GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠超傳統硅
    發表于 10-22 09:09

    芯干線GaN器件在電源系統的應用優勢

    自從氮化鎵(GaN器件問世以來,憑借其相較于傳統硅半導體的多項關鍵優勢,GaN 被廣泛認為是快速充電與工業電源應用領域中的變革性技術。
    的頭像 發表于 10-21 14:56 ?2752次閱讀
    芯干線<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>器件</b>在電源系統的應用優勢

    基于物理引導粒子群算法的SiGaN功率器件特性精準擬合

    ? ? ? ?在高壓功率電子領域,硅氮化鎵(GaN-on-Si)肖特基勢壘二極管(SBD)因其優異的性能與成本優勢展現出巨大潛力。然而,Si與GaN材料之間嚴重的晶格失配導致外延層中
    的頭像 發表于 09-26 16:48 ?1100次閱讀
    基于物理引導粒子群算法的Si<b class='flag-5'>基</b><b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>特性精準擬合

    CDM試驗對電子器件可靠性的影響

    電子器件制造和應用中,靜電放電(ESD)是一個重要的可靠性問題。CDM(帶電器件模型)試驗是評估電子器件在靜電放電環境下的敏感度和可靠性的重要手段。通過CDM試驗,可以有效識別器件
    的頭像 發表于 08-27 14:59 ?1050次閱讀
    CDM試驗對<b class='flag-5'>電子器件</b>可靠性的影響

    詳解電力電子器件的芯片封裝技術

    電力電子器件作為現代能源轉換與功率控制的核心載體,正經歷著從傳統硅器件向SiC等寬禁帶半導體器件的迭代升級,功率二極管、IGBT、MOSF
    的頭像 發表于 08-25 11:28 ?2713次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>電力</b><b class='flag-5'>電子器件</b>的芯片封裝技術

    MOCVD技術丨實現6英寸藍寶石基板GaNLED關鍵突破

    在半導體照明與光電子領域,氮化鎵(GaN發光二極管(LED)憑借其卓越性能,長期占據研究焦點位置。它廣泛應用于照明、顯示、通信等諸多關鍵領域。在6英寸藍寶石基板上,基于六方氮化硼(h-BN)模板
    的頭像 發表于 08-11 14:27 ?1941次閱讀
    MOCVD技術丨實現6英寸藍寶石基板<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>基</b>LED關鍵突破

    【案例集錦】功率放大器在半導體光電子器件測試領域研究中的應用

    的“守門人”。關于光電子器件電子器件是一類基于半導體材料光電效應等物理機制,實現光信號與電信號相互轉換的電子器件。當光線照射半導體材料時,電子吸收光子能量產生
    的頭像 發表于 06-12 19:17 ?1640次閱讀
    【案例集錦】功率放大器在半導體光<b class='flag-5'>電子器件</b>測試領域研究中的應用

    新成果:GaNVCSEL動態物理模型開發

    團隊開發了 GaNVCSEL的動態物理模型 ,揭示了器件內部載流子輸運行為對激光器動態特性的影響規律。 GaN材料固有的極化特性導致GaN
    的頭像 發表于 06-05 15:58 ?557次閱讀
    新成果:<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>基</b>VCSEL動態物理模型開發

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性
    的頭像 發表于 05-15 15:28 ?2095次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>與SiC功率<b class='flag-5'>器件</b>深度解析

    功率GaN的新趨勢:GaN BDS

    是能夠實現電流的雙向導通和電壓的雙向阻斷,顯著提升電力電子系統的效率與集成度。 傳統的MOSFET等開關器件,一般只能允許電流單向導通,比如硅MOSFET要實現反向的電流,需要外接反
    發表于 04-20 09:15 ?1572次閱讀

    電機控制器電子器件可靠性研究

    控制器電子器件在儲存狀態下的可靠性。純分享帖,需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件:電機控制器電子器件可靠性研究.pdf 【免責聲明】本文系網絡轉載,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請第一時間告知,刪除內容!
    發表于 04-17 22:31

    電力電子器件的換流方式

    由于采用電力電子器件作為開關器件,各支路間電流的轉移必然包含著電力電子器件開關狀態的變化,它包括關斷退出工作的已處通態的
    的頭像 發表于 03-12 09:58 ?1448次閱讀
    <b class='flag-5'>電力</b><b class='flag-5'>電子器件</b>的換流方式