對(duì)于SBD而言,半導(dǎo)體由n型層組成,因此金屬充當(dāng)二極管的陽(yáng)極。同樣地,只有電子是載流子,SBD變成了類似MOSFET的單極元件。
硅的能級(jí)不同于金屬(能隙)。該能級(jí)因金屬元素而異。符號(hào)ΦB用于表示不同的能隙。Pt(鉑)是一種具有大能隙的金屬。V(釩)或Ti(鈦)是具有小能隙的金屬。采用ΦB大的金屬,泄漏電流小,但是正向電壓VF大。采用ΦB小的金屬,則情況相反。

文章來源:東芝半導(dǎo)體
審核編輯:湯梓紅
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