閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導體) 的一種基本的電學參數。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導電溝道。有幾種方法可以確定
2025-11-08 09:32:38
7048 
針對SiC MOSFET模塊應用過程中出現的串擾問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:218498 
偏 HTGB試驗；其次，針對高壓SiC MOSFET 的特點進行了漏源反偏時柵氧電熱應力的研究。試驗結果表明，在高壓 SiC MOSFET 中，漏源反偏時柵氧的電熱應力較大，在設計及使用時應尤為注意。
2024-01-04 09:41:545025 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應用的關鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩定性和使用壽命，因此，如何有效驗證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業界關注的焦點。
2025-03-24 17:43:272363 
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。
2025-03-26 17:42:302015 
了市場上第一款SiC MOSFET，采用平面柵結構的CMF20120D。到了2015年，羅姆率先實現溝槽柵結構SiC MOSFET的量產，這種結構更能夠發揮
2023-03-18 00:07:006425 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準向漏極施加負電壓，體二極管為正向偏置狀態。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應掌握的特征 性能評估事例的設計目標和電路使用評估板進行性能評估測量方法和結果重要檢查點MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態響應和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內提供與之相同的導通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時具備更高的電流密度和更低的導通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導
2019-07-09 04:20:19
問題，因此，需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻 [7-11] 通過對雙脈沖電路進行仿真和實驗研究，給出了緩沖吸收電路參數的優化設計方法，但都是以關斷
2025-04-23 11:25:54
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管（JFET）的形式出現。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積小（可實現小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產品中使用的功率開關器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進行了對兩個波形進行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導通時間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經過了半個小時的帶載實驗，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對于
2020-06-10 11:04:53
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
性能如何？650V-1200V電壓等級的SiC MOSFET商業產品已經從Gen 2發展到了Gen 3，隨著技術的發展，元胞寬度持續減小，比導通電阻持續降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
低壓共源共柵結構是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
儀器設備的說明書，并按正確的方法使用。三、正確的測量方法實例 1 和 2 被測信號的特點都是對大地存在共模電壓，在觀測的頻率下共模電壓對大地的源阻抗較低。而單端探頭和通用示波器是接大地的，那么直接連接測量
2019-10-23 07:00:00
康華光主編的模電中講到N型的增強型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時候，而增強型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
使用各種不同的數字示波器進行相關電氣信號量的測量，測量的時候都需要與示波器相匹配的探頭，與示波器相匹配的探頭種類也非常多，包括無源探頭(包括高壓探頭，傳輸線探頭)、有源探頭（包括有源單端探頭、有源差
2017-12-13 11:48:36
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環路
2023-02-20 17:21:32
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測量MOSFET的DS的電壓時候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
絕大多數情況下都取決于IC的規格，因此雖然不是沒有方法，但選用專為SiC-MOSFET用而優化的電源IC應該是上策。具體一點來講，在規格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET的驅動電壓為VGS
2018-11-27 16:54:24
的電壓，但可以通過一些方法間接地進行測量。例如，可以在整流橋的輸出端使用一個電容耦合器將直流信號轉換為交流信號，然后再使用高壓無源探頭進行測量。這樣可以將整流橋輸出的直流信號轉換為交流信號，使得高壓無源
2025-07-11 09:21:49
21520 負責控制 SiC MOSFET 的開關過程。
為確保測量精度，漏源電壓和柵極電壓采用光隔離電壓探頭（Micsig MOIP200P）進行測量，該探頭具有200 MHz帶寬、180dB的高
2025-04-08 16:00:57
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關于計算，柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模塊將總是能夠在關閉狀態下開關MOS(如果MOS沒有損壞)。R33/R86的比例已經選得很好。
2018-09-23 11:17:008802 無源電壓探頭是目前最常用的示波器探頭類型。無源探頭中沒有像晶體管或放大器這類有源器件，因此不需要給探頭供電.所以工程師使用示波器的入門級探頭通常是無源探頭。無源探頭由導線和連接器制成，在需要補償或
2021-04-25 14:39:372944 有經驗的工程師都知道，如果我們要使用 數字示波器來進行電源測量的話，就必須先測量MOSFET開關器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測試測量任務
2021-04-29 15:05:441733 共模電壓高壓差分信號，VGs2為低共模電壓低壓差分信號，VDS2為高壓對地信號。根據信號類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測量，VDS2既可采用高阻無源探頭測量，也可采用差分探頭測量
2021-09-27 08:51:151283 
建立的探頭模型和對暫態電壓精確測量實驗分析 1、實驗平臺 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測試平臺，以驗證所建立的探頭模型和對暫態電壓精確測量所做的分析，實驗平臺
2022-03-31 17:32:271252 本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發散振蕩）的性能，并研究了它們在利用零電壓開關的電路中的性能。
2022-05-07 16:27:453909 
具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關。這里的重點是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:452722 
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。
2022-09-17 10:02:421967 
（需要使用探頭自帶的小螺絲刀來調整，調整時把探頭連接到示波器補償輸出測試位置），以與示波器輸入電容匹配，以消除低頻或高頻增益。下圖的左邊是存在高頻或低頻增益，調整后的補償信號顯示波形如下圖的右邊所示。 無源探頭的
2022-10-12 16:30:412923 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:062014 。 對于是否需要標準無源探頭以外的其他探頭，您可能會碰到一個難題。考慮到標準的無源探頭是針對大范圍探測連接而設計的通用工具，如果要測量具有快速上升/下降時間的高速信號，建議采用具有足夠帶寬的有源探頭。同樣，差分或電流信號的測量也好
2023-02-02 13:38:162877 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時，觀察到的波形會發生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察到的波形會與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:211447 
本文的關鍵要點?在某些位置測量波形時，觀測到的波形可能與實際波形不同。?理想的做法是測量位置要應盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22870 
關鍵要點?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內，就會受到磁通量變化的影響，而體現在觀測波形上。
2023-02-09 10:19:22816 
一般來說無源電壓探頭包含無源探頭，高阻無源電壓探頭，低阻無源電壓探頭，無源高壓探頭等四個探頭。
2023-02-20 15:24:475702 常用的無源電壓探頭都有補償調節電容，適用于不同的示波器，必須在初始測量前進行校準，否則會嚴重影響波形的顯示。 步驟一，打開示波器，讓示波器熱機持續一段時間。有些數字示波器需要在熱機后期執行自校準程序
2023-02-21 15:27:421312 
無源探頭測量原理是一種基于物理原理的測量方法，它利用物理信號和物理器件之間的相互作用來進行測量。無源探頭測量原理通常應用于機器狀態監測、位移測量和電特性測量等領域。 無源探頭測量原理中關鍵在于利用
2023-02-23 15:27:291384 
MOSFET手冊推薦柵源電壓-4/15V；模塊給出的都是-5/20V的推薦驅動電壓，實際調研過程中模塊用的都是-4/20V；基于Cree三代芯片模塊建議開通電壓17 20V，實現更低的導通損耗，關斷電壓-5V
2023-02-27 14:41:09
10 紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項。 橋式結構SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關聯，因此導致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區
2023-04-27 11:55:029391 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 泰克探頭是一種常用的測試工具，主要用于測量電流和電壓。它的操作方法簡單易懂，可以幫助用戶快速準確地測量電器設備中的電流和電壓，為維護和保養設備提供便利。下面詳細介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:192279 摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:343040 
在電子學和電路領域中，無源探頭是一種常見的工具，用于測量電路中的電壓和電流。然而，對于初學者來說，可能會對無源探頭的具體用途和功能產生困惑。本文將詳細介紹無源探頭的定義、用途以及它們是用來測量電壓
2023-06-29 10:32:101789 
在電子領域中，無源探頭是一種被廣泛使用的儀器，用于測量和探測電路中的信號。與有源探頭不同，無源探頭不需要外部電源供電，而是通過電路中的電壓或電流來工作。然而，有一種特殊類型的無源探頭，即無源探頭在沒有任何電壓輸入的情況下仍然具有偏置電壓。
2023-08-15 15:12:371415 示波器有源探頭和無源探頭的區別是什么？ 示波器是一種測量電信號的工具，它可以通過觀察電壓隨時間的變化來提供信號的詳細信息。為了進行示波器測量，需要使用探頭將信號連接到測量設備上。探頭可以分為兩種
2023-09-04 16:47:342151 SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
示波器電流探頭可以測量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測量電流信號的工具，它可以將電流轉換為可觀測的電壓信號。然而，實際上示波器電流探頭并不能直接測量電壓，它只能間接測量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:321809 普通探頭如何測量電壓？ 普通探頭是一種常見的電子測試工具，用于測量電壓。本文將詳盡、詳實、細致地講解普通探頭如何測量電壓的原理、使用方法、注意事項等方面的內容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:403455 詳細介紹電流探頭測量小電流的方法和技巧? 電流探頭是廣泛應用于電子測試和測量的一種設備，其主要作用是測量電路中的電流大小。在許多情況下，我們需要測量的是小電流，因此掌握電流探頭測量小電流的方法
2024-01-08 16:09:111793 無源探頭的輸入電容有什么影響? 無源探頭是一種廣泛應用于電子儀器領域的探頭，用于測量電路中的電磁場和電壓等參數。在使用無源探頭時，輸入電容是不可避免的一個參數。輸入電容的大小以及特性會對無源探頭
2024-01-08 16:09:141252 高頻示波器無源探頭如何選擇合適的檔位？ 高頻示波器無源探頭用于測量高頻信號，它是將被測信號與示波器相連接的一個重要組成部分。選擇合適的檔位是使用無源探頭時需要考慮的一個重要問題。本文將詳細介紹高頻
2024-01-08 16:36:191814 如何使用無源探頭進行差分測量? 您可以使用兩個無源探頭進行偽差分測量。為此，您必須使用示波器上的數學函數。將探頭連接至通道。1 和 ch. 2 分別反轉通道。2 然后使用數學函數添加ch。1
2024-03-21 10:27:141354 
MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的柵源振蕩是指在工作過程中，出現的柵極與源極之間產生
2024-03-27 15:33:283305 示波器是電子工程師和電子愛好者必備的測試設備之一，而無源探頭則是示波器測量過程中常用的接觸式測量工具。本文將介紹無源探頭的使用技巧，幫助讀者更好地利用無源探頭進行有效的電信號測量。 1. 無源探頭
2024-04-03 10:29:101490 
在柵極電荷方法中，將固定測試電流（Ig）引入MOS晶體管的柵極，并且測量的柵極源電壓（Vgs）與流入柵極的電荷相對應。對漏極端子施加一個固定的電壓偏置。
2024-04-10 14:22:023592 
在電子測試和測量中，電壓探頭是一種常用的工具，用于測量電路中的電壓信號。然而，電壓探頭本身會引入一定的延遲，這可能會對測量結果產生影響。本文將介紹電壓探頭延遲的計算方法，并探討其在實際應用中的重要性
2024-04-28 10:28:571322 
高壓無源探頭是一類特殊設計的測試探頭，它們能夠承受較高的電壓，并且通常用于測量高壓電路的電壓波形。
2024-05-19 16:12:401430 常重要的，可以幫助工程師分析電路的性能并進行故障診斷。本文將介紹無源探頭電壓降額曲線的原理、應用和特點。 原理 無源探頭電壓降額曲線的測量原理基于電路中的歐姆定律和基爾霍夫電壓定律。簡單來說，當一根金屬導線連接電
2024-06-13 09:36:141228 
電流探頭是電子測量領域中常用的工具，用于測量電路中的電流。它們通常用于連接示波器或多用途數字測量儀器，以便觀測和分析電流波形。本文將介紹電流探頭的使用方法以及一些測量技巧，幫助您更好地進行電流測量
2024-06-17 13:42:011908 
的基本結構和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱為柵氧化物。當柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時，柵氧化物下方的襯底表面形成導電溝道，實現源極和漏極之間的導通。
2024-08-01 09:19:552997 是測量隔離電壓信號的常用選擇。它測量的是兩個輸入信號之間的差值，而不是單個信號相對于地的電壓。差分探頭具有高共模抑制比(CMRR)，這意味著它能夠有效地抑制兩個輸入信號共有的噪聲和干擾信號，例如來自電源或其他外部源的干
2024-11-18 11:12:271492 
文章對比了無源探頭與高壓探頭在設計原理、性能參數及應用場景上的差異，指出無源探頭適用于低電壓測量，高壓探頭適合高電壓環境，兩者各有優劣。
2025-10-09 16:18:37246
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