本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板布局注意事項。

橋式結構SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關聯，因此導致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據具體情況，參考本系列文章中介紹的抑制方法，采取適合的措施。

最后，作為總結，在下面匯總了每篇相關文章的鏈接和關鍵重點。

1

什么是柵極－源極電壓產生的浪涌？

本文的關鍵要點

?近年來，SiC MOSFET被越來越多地用于電源和電力線路中的開關應用，其工作速度非常快，快到已經無法忽略由于其自身封裝電感和外圍電路布線電感帶來的影響。

?因此，特別是可能會在柵極－源極間電壓中產生意外的浪涌，需要對此采取對策。

2

浪涌抑制電路

本文的關鍵要點

?在開關側和非開關側均會出現柵極－源極電壓（VGS）的正浪涌，但是尤其會造成問題的是SiC功率元器件LS導通時在非開關側（HS）出現的正浪涌。

?由于應用SiC功率元器件時，基本都需要包括其他浪涌在內的浪涌抑制對策，因此需要增加浪涌抑制電路。

3

正電壓浪涌對策

本文的關鍵要點

?通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。

?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。

?如果柵極驅動IC沒有控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。

?作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導通抑制電容器來處理。

4

負電壓浪涌對策

本文的關鍵要點

?通過采取措施防止柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。

?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。

?如果柵極驅動IC沒有控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。

?作為米勒鉗位的代替方案，通過結合使用鉗位肖特基勢壘二極管和誤導通抑制電容器，與正浪涌之間取得平衡，從而達到優化的目的。

5

浪涌抑制電路的電路板布局注意事項

本文的關鍵要點

?浪涌抑制電路的電路板布局要考慮大電流高速開關的情況。

?盡量將寄生電容、電感、電阻控制得更低。

?盡量減少回流線環路，以便有效地控制EMI（電磁干擾）。