電路中，晶體管常常被用來當做開關使用。晶體管用作開關時有兩種不同的接線方式：高邊（high side）和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管（BJT）或者場效應管（MOSFET）。
2023-02-16 16:00:31
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過程中SiC MOSFET的高短路電流會產生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測與保護。同時，電流關斷速率也需要控制在一定范圍內，防止關斷時產生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:073173 
;1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC
2023-08-03 11:09:572587 
談談SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:133282 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:193288 
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。
2025-03-26 16:52:161890 
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路，或者鉗位電路，與變壓器原邊并聯其目的是吸收MOSFET在關斷時，引起的突波，尖峰電壓電流到那時MOSFET是壓控器件，為什么在關斷時會引起尖峰電壓電流？怎么在三極管BJT的應用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
二極管的Vf特性，。Vgs為0V即MOSFET在關斷狀態下，沒有通道電流，因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的，SiC的帶隙更寬，Vf比
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
研究開發法人科學技術振興機構合作開發，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導通電阻（以往產品的1
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
通和關斷狀態之間轉換。在150°C時，Si MOSFET的RDS(on) 導通電阻是25°C時的兩倍（典型值）；而SiC MOSFET的應用溫度可達到200°C，甚至是更高的額定溫度，超高的工作溫度簡化
2019-07-09 04:20:19
電路（簡稱“RC 電路”）的功率加以限制。關斷尖峰電壓越高，SiC 器件電壓應力越大，器件壽命則越短，因此在滿足關斷尖峰電壓盡可能低的前提下使 RC 電路的功率最小，這樣可以延長價格昂貴的 SiC
2025-04-23 11:25:54
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
什么樣的現象。綠色曲線表示高邊SiC-MOSFET的柵極電壓VgsH，紅色曲線表示低邊的柵極電壓VgsL，藍色曲線表示Vds。這三個波形都存在振鈴或振蕩現象，都不容樂觀。比如一旦在低邊必須關斷的時間點
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優勢.更小的尺寸及更輕的系統.降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
低邊和高邊電流監測器的架構和應用是什么
2021-03-11 07:39:28
MOSFET和逐漸成熟的高壓GaN MOSFET，這些器件都有非常廣泛的應用，這里不一一舉例，而這些常用的應用按驅動劃分的話，我覺得可以分為低邊驅動和非低邊驅動，低邊驅動例如PFC中的MOSFET
2016-11-28 13:38:47
功率器件類型。 美高森美的SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構成的相臂拓撲，每個開關具有低至2.1 mOhms 的極低RDSon，并提供用于溫度監控的內部熱敏電阻
2018-10-23 16:22:24
。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
，那個地方不合理，那個需要改正；4、可以跟帖說明該電路原理圖或者此類原理圖設計時的注意事項和難點；【今日電路】如圖是一個低邊MOSFET電路。請問：1.過快關斷MOS管是有壞處的，因為漏源dv/dt過高
2019-01-03 14:31:42
` 首先萬分感謝羅姆及電子發燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數字電源）有五年多的開發經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
）BR UVLO (Under Voltage Lock Out)ZT引腳觸發屏蔽功能熱關斷內置1700V SiC MOSFET降頻功能輕負載時Burst模式工作逐周期過流保護VCC UVLO
2022-07-27 11:00:52
SiC-MOSFET關斷時導通該MOSFET，強制使Vgs接近0V，從而避免柵極電位升高。評估電路中的確認使用評估電路來確認柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅動電路示例，柵極驅動L為負電壓驅動。CN1
2018-11-27 16:41:26
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
功率MOSFET的感性負載關斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數不一樣。驅動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求一款低邊MOSFET驅動,輸入電壓12V,電流1A以上，且一顆芯片驅動兩個MOSFET?
2020-03-18 09:31:32
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統天下的局面。據統計，目前國內多家龍頭企業已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
測試，并觀察波形。在雙脈沖測試電路的高邊（HS）和低邊（LS）安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS開關、LS始終OFF（柵極電壓=0V）。圖1所示的延長電纜已經直接焊接
2022-09-20 08:00:00
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
理解了BD7682FJ-LB作為SiC-MOSFET用IC最重要的關鍵點，接下來介紹其概要和特點。＜特點＞小型8引腳SOP-J8封裝低EMI準諧振方式降頻功能待機時消耗電流低：19uA無負載時消耗電流低
2018-11-27 16:54:24
我用ucc27324這片驅動芯片給驅動，分別給低邊的MOS和高邊的MOS驅動。高邊的MOS和驅動芯片之間已加隔離變壓器和隔直電容，但是占空比很小，所以關斷時候負壓很小，總是會被誤觸發。低邊的MOS關斷時候是零電壓，也不可靠。有沒有什么辦法在改動很少的情況下加上可靠的負壓關斷（至少-2V）？
2019-06-27 09:12:37
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
CMRR低（典型值<60dB），易受SiC MOSFET高速開關產生的高頻EMI影響，造成波形畸變，嚴重者會導致炸管。光隔離探頭的改進：
1.低寄生參數設計：
1pF寄生電容幾乎不
2025-04-08 16:00:57
Vishay宣布，推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141737 由于SiC MOSFET開關速度較快，使得橋式電路中串擾問題更加嚴重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關速度的提升，也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結構封裝
2018-01-10 15:41:22
3 相較于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高開關速度與低通態電阻特性增加了其瞬態波形的非理想特性與對雜散參數影響的敏感性，對其瞬態建模的精度提出更高的要求。通過功率開關器件瞬態過程的時間
2018-02-01 14:01:343 Intersil公司推出帶有集成高邊和低邊MOSFET的3A同步降壓穩壓器---ISL85003和ISL85003A。
2018-04-24 10:30:001645 
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電
2020-06-15 14:19:404976 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:202594 
在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:291100 從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:201447 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-08 13:43:211627 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。
2023-02-12 15:29:034588 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，
2023-02-16 09:40:105634 
EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態參數如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導
2023-02-23 09:20:464 本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:571699 
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。
2023-02-24 11:49:191295 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:582279 
3.1 驅動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低，但只有驅動電壓達到18V～20V時才能完全開通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產品手冊中單管
2023-02-27 14:41:0910 如何為SiC MOSFET選擇合適的驅動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產品與傳統硅IGBT或者MOSFET參數特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性
2023-01-12 14:33:033281 相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:335126 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:022427 深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:122229 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:261150 
怎么提高SIC MOSFET的動態響應？ 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應，并提供一些
2023-12-21 11:15:521411 SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:562548 
功率模塊從硅IGBT技術過渡到基于SiC MOSFET技術是不可避免的。然而，從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術的商業化，因為它們已經被認為具有較高的寄生電感。
2024-05-08 17:43:581879 
極電壓的敏感性比IGBT更高，所以對SiC MOSFET使用高驅動電壓的收益更大。為了防止寄生導通，SiC MOSFET往往還需要負壓關斷。如果一個SiC MOSFET使用了Vgs=-5V~20V的門
2024-05-13 16:10:171487 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464 第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401447 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們在電力電子領域具有廣泛的應用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現出顯著優勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31741 
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關行為深度研究與波形解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備和新能源汽車產業
2025-09-01 11:32:272688 
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關行為深度解析，特別是其本征體二極管的關斷特性 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力
2025-09-01 08:53:461470 
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