MOSFET特征

在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競爭對手，但隨著MOSFET的耐壓提高，導通電阻隨之成倍增長，MOSFET耐壓和導通電阻的正比增長，制造者和應用者不得不以成倍的成本來解決MOSFET電壓與電流間的矛盾。即便如此，平面高壓MOSFET在額定結溫下的導通電阻仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結溫、額定電流條件下的導通電阻很高，耐壓800V以上的導通電阻更是高得驚人，導通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應用受到極大限制。

MOSFET的低開關損耗在集成電路中應用

MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關導通，有IDS通過，實現功率轉換。而MOSFET開關頻率則受柵源電壓頻率控制，從而實現頻率轉換。低開啟的MOSFET的開啟電壓，僅需要零點幾伏，開啟電流也僅幾毫安，導通損耗非常低，因此常用于大規模集成電路。

MOSFET頻率特征在開關電源中應用

在開關電源結構中，交流電經防雷單元，防輻射濾波單元等電路后進入橋堆整流，在整流輸出端得到約交流電壓的1.4倍的直流電壓，經高頻變壓器初級繞組，到MOSFET漏級，柵極則受驅動芯片或可調頻的驅動電路控制而高頻開關導通，產生高頻脈沖的漏源電流，從而在高頻變壓器的次級繞組中產生的感應電流經高頻整流后為負載供電，高頻變壓器次繞組中產生的電壓與繞組匝數相關。因此，改變開關電源電路中元器件的規格和高頻變壓器的結構和型號，可為不同場合、不同功率的電路供電。

高壓MOSFET系列

公司簡介

MDD是國內少數采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌，15年的行業深耕，一直專注于半導體領域。在科技研發與創新的基礎上，積累了厚實的研發設計能力，同時還建立全流程的封裝測試產線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件產品。

MDD致力滿足客戶高品質需求，目前產品已廣泛應用于汽車電子、新能源、工控、電源、家電、照明、安防、網通、消費電子等多個領域，并具有UL、RoHS和REACH等多項認證，可為客戶提供可靠、優質和定制化的半導體解決方案商。

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