二極管正逐漸取代傳統硅二極管,成為工程師的重要選擇。一、為什么高頻電源越來越依賴SiC肖特基二極管?與傳統硅快恢復二極管相比,SiC肖特基二極管在物理材料層面就具
2025-12-29 10:05:21
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車工業級SiC肖特基二極管選型需遵循“參數匹配、可靠性優先、成本可控”原則,根據OBC功率等級、電壓平臺及工作環境,優先選擇通過車規認證、熱性能優異、適配高頻工況的產品。
2025-12-24 13:25:30
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DZR265AC零偏置肖特基二極管檢波器DZR265AC是HEROTEK的“DZR 系列”零偏置肖特基二極管檢波器,無需外偏壓,具高平坦度等優勢,是射頻微波檢測測量佳選,適用于高頻等場景,應用涵蓋
2025-12-22 09:53:26
在當今電子設備對電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下,碳化硅(SiC)肖特基二極管憑借其卓越的性能,逐漸成為電源設計領域的熱門選擇。本文將詳細介紹安森美(onsemi)的一款40 A
2025-12-05 10:52:49
341 
MBRD30150CT TO-252肖特基二極管
2025-12-03 16:50:28
0 MBRD30100CT TO-252肖特基二極管
2025-12-03 16:47:30
0 MBRD3060CT TO-252肖特基二極管
2025-12-03 16:46:14
0 MBRD3045CT TO-252肖特基二極管
2025-12-02 16:51:50
0 作為電子工程師,我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅(SiC)肖特基二極管的出現,為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55
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在電力電子領域,不斷追求更高的效率、更快的開關速度和更小的系統尺寸,碳化硅(SiC)肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導體的首選。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅肖特基二極管,了解其特點、性能參數以及應用場景。
2025-12-01 16:01:54
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在電力電子領域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探討它的特性、參數和應用。
2025-12-01 15:55:06
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在電子工程領域,功率半導體器件的性能對于整個系統的效率、可靠性和成本起著至關重要的作用。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NDSH30120C-F155 碳化硅(SiC)肖特基二極管,看看它如何憑借先進的技術和出色的特性,為各類應用帶來新的突破。
2025-12-01 15:40:35
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MBRD30200CT TO-252肖特基二極管
2025-11-28 16:15:10
0 MBRD20200CT TO-252肖特基二極管
2025-11-28 16:13:54
0 在當今電子設備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時代,功率半導體器件的性能提升至關重要。碳化硅(SiC)肖特基二極管作為新一代功率半導體,憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應用領域的首選。今天,我們就來深入探討 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管。
2025-11-28 14:15:39
205 MBRD20150CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 18:04:57
0 MBRD20100CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 17:58:33
1 MBRD10200CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 17:52:31
0 MBRD10100CT TO-252肖特基二極管
2025-11-27 17:49:41
0 MBRD2060CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:28:01
0 MBRD2045CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:25:26
0 MBRD1060CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:19:16
0 MBRD1045CT TO-252肖特基二極管
2025-11-26 17:17:31
0 在電子電路設計中,肖特基二極管作為高頻、低功耗應用的理想選擇,其選型至關重要。德昌推出的SOD-123封裝肖特基二極管系列,憑借其低正向壓降、快速反向恢復時間和高可靠性,廣泛應用于電源管理、高頻
2025-11-25 16:55:43
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SB1545L TO-277肖特基二極管,電流:15A 45V
2025-11-03 16:10:47
0 SB10100L TO-277肖特基二極管,電流:10A 100V
2025-11-01 17:42:35
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2025-11-01 17:13:17
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2025-11-01 17:12:01
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2025-11-01 16:32:03
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2025-11-01 16:25:04
0 SS3200F SMAF肖特基二極管,電流:3A 200V
2025-11-01 16:24:22
0 SS3150F SMAF肖特基二極管,電流:3A 150V
2025-11-01 16:23:46
0 SS310F SMAF肖特基二極管,電流:3A 100V
2025-11-01 16:22:41
0 SS34F SMAF肖特基二極管,電流:3A 40V
2025-11-01 16:17:42
0 SS2150F SMAF肖特基二極管,電流:2A 150V
2025-10-31 17:50:18
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2025-10-31 17:36:36
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0 SS12F SMAF肖特基二極管,電流:1A 20V
2025-10-30 17:55:03
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2025-10-29 16:47:55
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2025-10-29 16:45:59
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2025-10-28 17:52:22
0 SS52 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:5A 20V
2025-10-28 17:49:04
0 SS3200 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:3A 200V
2025-10-28 17:22:26
0 SS32 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:2A 20V
2025-10-28 16:41:37
0 SS2200 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:2A 200V
2025-10-28 16:39:23
0 SS2150 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:2A 150V
2025-10-24 18:21:44
0 SS28 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:2A 80V
2025-10-23 18:09:27
0 SS24 SMA/DO-214AC肖特基二極管,電流:2A 40V
2025-10-23 17:29:07
0 二極管。盡管如此,設計人員仍需要進一步提升器件效率。 利用碳化硅器件實現這一目標有兩種途徑:一是降低漏電流,二是減少因熱阻引起的損耗。盡管實現這些目標具有挑戰性,但合并引腳肖特基 (MPS) 二極管提供了一種解決方案。MPS 器件還能提高肖特基二極管的浪涌電流性能。 本文將介紹 S
2025-10-01 15:18:30
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SB320 - SB3100肖特基二極管規格書資料
2025-09-23 15:10:44
0 肖特基二極管與普通硅二極管(PN結二極管)最核心的結構差異,就在于它沒有P+外延層(或P型半導體層),取而代之的是金屬-半導體結(肖特基結)。 圖表1 肖特基二極管的結構差異 1.更低的正向壓降
2025-09-22 16:40:13
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MBRF10200CT肖特基二極管規格書資料
2025-09-18 17:29:27
0 由此可知,肖特基二極管和整流二極管是互補的二極管。肖特基憑借其超低正向壓降和超快開關速度在低壓、高頻、高效率領域占據主導地位。整流二極管則憑借其高反向電壓、低反向漏電流和低成本在高壓和工頻整流應用中
2025-08-22 17:14:10
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在功率電子領域,碳化硅(SiC)技術正逐步取代傳統硅基器件。作為寬禁帶半導體的代表,SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現了性能突破。寬禁帶半導體材料碳禁帶寬度(SiC:3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:57
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2025-07-18 18:34:21

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2025-07-17 18:29:59

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2025-07-14 18:33:30

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2025-07-14 18:32:51

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布,在其持續壯大的功率電子器件產品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07
912 Wolfspeed 推出新型頂部散熱(TSC) 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優化熱管理并節約能耗 Wolfspeed 正在擴展其行業領先的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:32
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?讓我們一探究竟!1什么是反向恢復?在傳統硅功率器件中,反向恢復現象主要與它們內部的寄生二極管有關,指二極管從導通狀態(正向偏置)切換到反向阻斷狀態(反向偏置)時
2025-07-02 17:06:53
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在現代電子電路中,肖特基二極管憑借其獨特的物理特性,成為高頻、低壓場景的核心器件。這類二極管核心結構為金屬 - 半導體結(肖特基結),以“快、省、穩”三大核心優勢,廣泛應用于開關電源、新能源汽車
2025-05-20 10:48:57
1085 肖特基二極管是一種由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二極管,也可稱為肖特基勢壘二極管,屬于金屬半導體結型二極管。作為一種低功耗、超高速半導體器件,其主要特點是正向導通壓降小、反向恢復時間短和開關損耗小,因此廣泛應用在變頻器、開關電源、模塊電源、驅動電路等場合。
2025-05-06 17:45:47
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在電源設計、DC-DC轉換、逆變器等高功率應用中,單顆肖特基二極管(SchottkyDiode)往往無法滿足電流或電壓的需求,此時就需要通過并聯或串聯的方式來提升器件的承載能力。但由于肖特基二極管
2025-04-18 09:36:05
960 
在高溫環境下,肖特基二極管(SchottkyDiode)以其低正向壓降和快速開關特性被廣泛應用于電源管理、電機驅動及新能源系統中。然而,由于其PN結被金屬-半導體接觸結構取代,其溫度特性與普通PN結
2025-04-17 12:39:51
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壓降與快恢復特性,在提升逆變器效率、降低熱損耗方面扮演了至關重要的角色。一、為何選用肖特基二極管?光伏逆變器工作頻率高、電流密度大,對二極管的開關速度和功耗要求極
2025-04-16 09:30:34
882 
和極低的反向恢復時間,廣泛應用于輸出整流、續流和保護電路中,有效提升了整個系統的轉換效率。與傳統的普通整流二極管相比,肖特基二極管采用金屬-半導體接觸結構,具備低正向
2025-04-15 09:37:43
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隨著新能源汽車市場的迅猛發展,充電系統作為其關鍵組成部分,對效率、體積和可靠性提出了更高要求。肖特基二極管(SchottkyDiode)因其低正向壓降、快恢復特性、開關速度快等優勢,成為新能源汽車
2025-04-14 10:14:37
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在電源設計中,MDD高效率整流管對轉換效率、功率損耗和系統穩定性起著關鍵作用。常見的MDD高效整流管主要包括肖特基二極管和超快恢復二極管。它們在工作原理、性能參數及適用場景上各有優劣,如何選擇合適
2025-04-01 09:46:01
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,能有效減少開關損耗,提高電路效率。快恢復二極管主要應用于開關電源(SMPS)、功率因數校正(PFC)、電機驅動、逆變器、電力電子設備等高頻電路中。2.快恢復二極管
2025-03-27 11:11:26
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二極管(FRD)因其短反向恢復時間(trr)和低開關損耗,成為提升開關電源效率的關鍵元件。本文MDD將探討快恢復二極管在開關電源中的作用及如何優化其應用來提高轉換效率
2025-03-25 09:39:56
848 
使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
2025-03-20 11:16:59
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的封裝首先我們的清楚二極管的類型有一下幾種1、普通二極管2、快恢復二極管3、超快恢復二極管4、肖特基二極管優缺點:1、普通二極管的特性都是單一導通,是一個用 P
2025-03-04 14:02:49
0 結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象,比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31
752 /DC轉換器等,滿足多種電子設備的電源轉換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度
2025-02-27 17:32:44
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40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35
763 
的電源轉換需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流
2025-02-26 17:07:13
727 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS
2025-02-25 18:13:42
813 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標準,具備超快速開關、零反向恢復電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-25 17:44:07
772 
、100% UIS 測試等特點,有助于提高系統效率、減少散熱需求、避免熱失控,可應用于消費類開關電源、PFC 或 DC/DC 級的升壓二極管、AC/DC 轉換器等領域。 *附件:SiC
2025-02-25 17:03:23
871 
轉換器。 碳化硅(SiC)屬于第三代半導體,派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有更高的耐
2025-02-25 16:01:30
888 
電流、適用于高頻操作等特性,有助于提升系統效率,降低散熱需求,在并聯使用時也不會出現熱失控問題。可應用于消費類開關模式電源(SMPS)、功率因數校正(PFC)或DC/DC 階段的升壓二極管以及 AC/DC
2025-02-25 15:44:15
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系數、高浪涌電流、100% UIS測試等特性,可提高系統效率,減少散熱需求,在并聯使用時無熱失控風險。 *附件:SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管.pdf 電氣特性
2025-02-25 14:18:58
844 
在電力電子和開關電源設計中,快恢復二極管和肖特基二極管是兩類高頻應用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關場景,但其工作原理、性能特點及適用場景存在顯著差異。一、結構差異快恢復二極管(FRD)結構
2025-02-24 15:37:56
1812 
高效率整流二極管廣泛應用于電力電子、電源轉換以及其他需要高效能量轉換的電子設備中。與傳統二極管相比,高效率整流二極管具有更低的正向壓降、更高的開關速度和更低的能量損失,從而大幅提升系統的整體效率
2025-02-21 11:21:15
1036 
電子發燒友網站提供《PSC1065H-Q SiC肖特基二極管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:11:34
0 電子發燒友網站提供《PSC2065J SiC肖特基二極管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:09:49
1 SiC(碳化硅)肖特基二極管正逐步取代傳統的FRD(快恢復二極管),成為新一代電力電子設備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢背后的原因,并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應用方面的優勢。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管
2025-02-06 11:51:05
1085 
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 高頻開關模式電路,如采用連續傳導模式 (CCM) 的功率因數校正 (PFC) 電路,需要開關損耗低的二極管。對采用 CCM 模式的傳統硅
2025-01-26 22:27:00
1633 
肖特基二極管(Schottky diode), 肖特基二極管的物理結構基于金屬- N 型半導體結,因而具有很低的正向壓降和極快的開關速度。
2025-01-24 15:54:44
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電子發燒友網站提供《AN029:了解SiC功率肖特基二極管的數據表.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:40:42
0 電子發燒友網站提供《AN028:SiC功率二極管的可靠性.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:38:36
0 在現代電子技術中,高功率整流二極管是不可或缺的組件之一。它們不僅能夠承受高電流和高電壓,而且在轉換電能時具有高效率。 一、高功率整流二極管的基本原理 高功率整流二極管基于半導體材料的單向導電性工作
2025-01-15 09:35:35
1530 和應用上有著明顯的區別。 一、工作原理的差異 整流二極管 :整流二極管的主要功能是將交流電(AC)轉換為直流電(DC)。它利用二極管的單向導電性,只允許電流從陽極流向陰極,從而實現整流作用。整流二極管在電路中通常用
2025-01-14 18:11:08
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