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Diodes方案:AP66x00Q/AP64x03Q車用開關轉換器解決EMI問題

Diodes 達邇科技半導體 ? 來源:Diodes 達邇科技半導體 ? 2025-07-14 10:16 ? 次閱讀
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在開關轉換器中,由于快速開關,電壓和電流波形的上升沿和下降沿變化更快。急劇的變化會在高頻下產生大量能量,成為開關模式電源供應中EMI(電磁干擾)的主要來源。這種高頻能量會在電源供應的諧振腔內產生振鈴。

Diodes公司提供多樣化的車用DC-DC降壓轉換器控制器,全都經過優化,可減少EMI。

舉例來說,Diodes公司的AP66x00Q/AP64x03Q3A DC-DC降壓轉換器,設計用于和符合汽車標準的理想二極管MOSFET控制器AP74700Q搭配使用,確保符合EMC電磁兼容性)規范。

上述兩款器件可組成DDB103R3示范電路板,詳細信息請參閱使用手冊。

簡介

快速開關電源轉換器應用廣泛,能為多個市場中的各類產品提供高效轉換。然而,快速開關時間可能會因為電磁干擾 (EMI) 而產生問題。

由于快速開關,電壓和電流波形的上升沿和下降沿變化更快。急劇的變化會在高頻下產生大量能量,成為開關模式電源供應中 EMI 的主要來源。這種高頻能量會在電源供應的諧振腔內產生振鈴。

EMI 行為需符合監管要求,這取決于產品應用類型,而且汽車、消費和工業市場的要求也各不相同。為了符合監管要求,通常需要 EMI 濾波,這會在整體系統中占用大量空間、體積和成本,因此必須了解適用于不同產品應用的標準。

本文首先講解開關轉換器中 EMI 的來源和類型,然后介紹工業市場和汽車市場產品監管標準差異,最后討論 Diodes 公司使用的技術,使其 DC-DC 開關轉換器符合嚴格的汽車標準。

開關轉換器中的 EMI

EMI 發射有兩種類型:傳導和輻射。傳導發射通過連接到電源轉換器的電線和走線進行。由于噪聲集中在電路中的特定端子或接頭,因此在設計初期采用良好的電路板配置和濾波器設計,能確保符合傳導發射要求。

輻射發射問題則更加棘手。PCB 上所有負載電流的器件都會輻射電磁場,電路板上的每條走線都是天線,每塊鋪銅平面都是諧振器。因此,只有純正弦波或直流電壓才不會在整個信號頻譜上產生噪聲。

電源供應設計人員只有在測試系統后,才能了解輻射發射的危害程度,并且只有在設計完成后,才能進行輻射發射測試。

為了減輕 EMI,可使用濾波器衰減特定頻率下的信號強度。加裝金屬和電磁屏蔽罩有助于衰減部分輻射發射,而鐵氧體磁珠和其他類型的濾波器則有助于減少 PCB 走線的傳導發射。EMI 雖然無法完全消除,但可以衰減至不干擾其他通信或數字元器件的程度。

傳導發射 EMI 標準

多個管理機構監管由設備產生的傳導和輻射發射可接受程度,從而維持電磁兼容性 (EMC)。

針對消費市場,在歐盟境內用于通信和 IT 終端設備的供電產品應符合歐洲發射標準 CISPR 32/EN 55032。該標準適用于多媒體設備,并已生效成為協調 EMC 規范標準。

針對工業、科學和醫療 (ISM) 射頻 (RF) 的 EMI,國際產品標準為 CISPR 11,其中還有專門針對部分工業終端設備的系統級EMC 測試標準。例如,IEC 61131-2 定義的發射要求,適用于工廠自動化和流程控制應用中廣泛使用的可編程邏輯控制器 (PLC)。

對于汽車電子產品設計人員而言,CISPR 25 詳細說明了相關傳導發射測試。此國際標準適用于汽車元器件和模塊,并根據接地配置,使用一個或兩個5μH/50Ω人工網絡進行測量。

該標準“保護車載接收器”不受特定頻段下 150kHz 至 108MHz 頻率范圍內測量的傳導噪聲影響。這些頻率范圍分布在 AM 廣播、FM 廣播和移動服務頻段中,如圖 1 所示。

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圖 1:CISPR 25 第 4 類與第 5 類傳導發射限制

CISPR 25 規定了峰值 (PK)、準峰值 (QP) 和平均值 (AVG) 信號檢測器的傳導發射限制。表 1 列出了第 1 類至第 5 類的限制。CISPR 25 中最嚴格的要求為第 5 類。這些限制相當具有挑戰性,特別是 VHF 和 FM 頻段 (68MHz 至 108MHz) 中的 18dBμV 平均值 (或 38dBμV 峰值) 限制,因為濾波元器件中的寄生效應會降低此頻段下的 EMI 濾波衰減效果。

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表 1:各類傳導 EMI 限制

車用輻射發射 EMI 標準

CISPR 25 包括車輛無線電接收標準,因此對各種無線電服務頻段定義了限制。該標準適用于元器件或模塊發射測量,以及使用車內天線進行的整車發射測試。

圖 2 顯示汽車產品應用元器件/模塊使用峰值 (PK) 和 AVG 檢測器的第 5 類輻射發射限制。最低測量頻率針對 150kHz 至 300kHz 的歐洲長波 (LW) 廣播頻段,最高頻率為 2.5GHz (藍牙Wi-Fi 傳輸)。使用標稱輸出阻抗為50Ω的線性極化電場天線進行測量。

CISPR 25 的輻射發射測試標準比 FCC 或 CISPR 22 (適用于消費產品) 更加嚴格,接收器與待測設備 (DUT) 距離為 1 米,而 CISPR 22 則為 10 米。

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圖 2:使用內襯吸波材料屏蔽外殼 (ALSE) 測試的 CISPR 25 第 5 類輻射限制

適用汽車產品應用的 DC-DC 降壓轉換器

讓我們來看一個高速電源轉換器的實際例子,了解該轉換器如何符合汽車領域的 EMC 標準。AP66x00Q/AP64x03Q 3A DC-DC 降壓轉換器,設計用于和符合汽車標準的理想二極管 MOSFET 控制器 AP74700Q 搭配使用。

AP74700Q 支持 3.2V 到 65V 的寬廣輸入工作范圍,能夠控制許多常見的直流電壓軌,例如 12V、24V 或更高的汽車電池系統。外接 N 通道功率 MOSFET (例如AP66x00Q/AP64x03Q)時,可在單向電源路徑上和反向電壓情況下提供低損耗 20mV 正向電壓降整流器。

Diodes 公司的 DDB103R3 示范電路板為上述元器件提供簡單易用的評估系統。板上包括 AP74700Q、AP66x00Q/AP64x03Q,以及一個 EMI 輸入濾波器 (詳見圖 3)。電路板展示了一個系統級解決方案,具有反向電壓保護、ISO 7637-2 瞬態脈沖保護 (使用適當的 TVS)、符合 CISPR 25 第 5 類標準的 EMI 濾波,以及 DC-DC 降壓轉換器。

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圖 3:DDB103R3 示范電路板

示范電路板的輸入濾波器包含一個共模扼流圈,兩側接有電容器,形成 Pi 配置,并串聯一個包含電感器電容器的 LC 低通濾波器。這一組合使電路板符合 CISPR 25 第 5 類標準。

AP66x00Q/AP64x03Q 集成功率 MOSFET 開關 (AP66300Q 的高側為 120mΩ、低側為 55mΩ,AP66200Q 的高側為 185mΩ、低側為 80mΩ),提供高效降壓 DC-DC 轉換。

此外,器件的輸出級經過優化,可減少 EMI。例如專門的柵極驅動器方案,可在不犧牲 MOSFET 導通和關斷時間的情況下,抑制開關節點振鈴,從而減少 MOSFET 開關引起的高頻輻射 EMI 噪聲。

已使用 DDB103R3 電路板對 AP66x00Q/AP64x03Q 進行 EMI 測試,確保符合傳導和輻射發射的 CISPR 25 第 5 類限制。圖 4 顯示 AP66x00Q/AP64x03Q 在 500kHz 下開關的測試板電路圖。

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圖 4:DDB103R3 示范電路板電路圖

測試期間,較高的負載會導致更多的 EMI,但這符合預期。即便使用階段濾波器,待測設備 (DUT) 有時仍需通過屏蔽才能消除所有產生的噪聲,才能符合 EMI 限制。建議將屏蔽層連接至 0V,從而實現最佳 EMI 性能。

結論

如今快速開關轉換器會導致傳導和輻射EMI的問題,因此必須小心謹慎,確保電源系統符合相關的 EMC 標準。

CISPR 25 第 5 類是最嚴格的標準,規定了汽車應用產品的標準。即便是精心設計的開關轉換器,如果未采用多級濾波和屏蔽技術,也無法滿足此標準。

來源:Diodes Incorporated

作者:Diodes 公司 DC-DC 事業部 DC-DC 產品線經理 Tu Bui

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原文標題:理解車用開關轉換器中的 EMI 問題

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