松下元器件公司發布了散熱特性較該公司原產品提高28％的肖特基勢壘二極管（SBD）“DB2P系列”（圖1）。可用于智能手機、平板終端和筆記本電腦機身電源電路部分。預定從2012年12月開始量產，月產量為300萬個。

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　　一般來說，元器件的封裝尺寸和散熱特性存在此消彼長的關系。小型封裝品雖然可以提高部件的安裝密度，但因面積變小散熱特性就會變差，因此必須采用降低部件安裝密度等的散熱設計。而擁有高散熱特性的產品雖然可高密度安裝，但為保持高散熱特性，就需要擴大封裝尺寸。因此，最終無論哪種情況都存在部件安裝面積要增大的課題。

　　此次的開發品通過采用改進了引線封裝（Lead package）形狀的封裝“PMCP（power mount CSP）”，在提高散熱性的同時實現了小型化（圖2）。據稱，通過優化了向電路基板的散熱量和向空氣中的散熱量，兼顧了小型化和散熱性。新產品“DB2P40100L”在使散熱特性提高28％的同時，使體積較該公司原產品“DB2J41100L”縮小了39％，并將厚度減薄53％（圖3）。散熱特性方面，開發品的接合溫度為147℃（電流：1A，外部氣溫：25℃時），而原產品為203℃。外形尺寸為1.6mm×1.2mm×0.33mm。

　　DB2P40100L的正向電壓（VF）低至0.39V（最大值，1A時）也是特點之一。二極管在電壓逐漸上升并超過VF時，開始流過正向電流（IF）。因此，VF以下的電壓就損失掉了。通過降低VF，電源就能以低損失電壓向產品供電。

　　此次的開發品與該公司原產品相比VF降低了33％。據稱，是以150nm工藝規則的加工技術形成JBS構造而實現的。JBS構造是指，在金屬與半導體的接合部——肖特基結區域，以相等間隔形成微細的P型半導體，從而抑制肖特基結部產生的逆向漏電流的構造。



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