安森美 (onsemi) 肖特基勢壘二極管是超低正向壓降器件，專為緊湊型電子系統中的高效開關和整流而設計。在10mA時正向電壓低至0.34V，最大反向電壓為70V，這些二極管在低電壓、高頻應用中具有出色的性能。NSR0170提供SOD-323、SOD-923和X2DFNW2微型封裝，十分適合空間受限的設計，如便攜式電子設備、直流-直流轉換器及反轉極性保護電路。快速開關能力和低漏電流特性使該器件成為現代電子設計的可靠選擇，能夠提升功率效率、改善熱管理。

數據手冊：*附件：onsemi NSR0170肖特基勢壘二極管數據手冊.pdf

特性

• 正向壓降低至560mV（10mA時）
• 反向電流僅為25nA（50V反向電壓時）
• 持續正向電流：70mA
• 耗散功率：240mW（最小走線條件下）
• 超快切換速度
• 電容低至2pF
• NSV前綴型號非常適合汽車及其他需要特定現場/控制變更需求的應用，已通過AEC-Q101認證且具備PPAP能力
• NSVR0170MX2WT5G - 可濕性側翼封裝，可實現最佳的自動光學檢測（AOI）
• 無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑，符合RoHS標準

原理圖

NSR0170肖特基勢壘二極管技術解析與應用指南?

?一、產品概述與核心優勢?

NSR0170是一款針對高效率場景優化的肖特基勢壘二極管，其核心特性包括極低正向壓降（560 mV@10 mA）與漏電流（25 nA@50 V），支持70 mA連續正向電流，適用于DC-DC轉換器、電壓鉗位及保護電路。該器件提供SOD-323、SOD-923和X2DFNW2三種微型封裝，助力空間受限的PCB設計。

?二、關鍵電氣參數深度分析?

1. ?正向特性?
   • ?低導通損耗?：在1 mA/10 mA/15 mA電流下，典型正向電壓分別為0.34 V/0.56 V/0.65 V（圖1曲線顯示溫度升高時壓降進一步降低）。
   • ?動態響應?：開關速度極快，得益于僅2 pF的結電容（@VR=0 V, f=1 MHz），顯著降低高頻開關損耗。
2. ?反向特性?
   • ?泄漏控制?：在70 V反向電壓下泄漏電流保持納安級，25℃時典型值25 nA（圖2展示溫度對泄漏電流的影響趨勢）。
3. ?熱管理能力?
   • 結到環境熱阻：標準測試條件下分別為520℃/W（4英寸FR-4板）與175℃/W（1英寸銅箔優化板）。
   • 功率耗散：對應熱阻下最大允許功耗為240 mW與710 mW，需根據實際散熱條件降額使用。

?三、典型應用場景設計要點?

1. ?DC-DC變換器優化?
   • ?同步整流?：在Buck/Boost拓撲中作為續流二極管，利用低VF特性提升輕載效率。例如在10 mA負載時，導通損耗比常規肖特基二極管降低30%以上。
   • ?布局建議?：SW節點與二極管陽極距離需<2 mm，以減小寄生電感引起的電壓尖峰。
2. ?保護電路設計?
   • ?反壓保護?：串聯于電源輸入端，70 V耐壓可覆蓋多數便攜設備浪涌要求。
   • ?鉗位應用?：配合TVS管構建二級防護，利用快速響應特性吸收ESD能量（ESD等級：HBM Class 2, MM Class B）。
3. ?** automotive應用**?
   • AEC-Q101認證型號（NSV前綴）適用于發動機控制單元（ECU），需注意-55℃至+150℃的結溫范圍。

?四、封裝選型與生產指導?

?五、可靠性設計注意事項?

1. ?降額規范?：實際工作電流建議≤56 mA（80%額定值），反向電壓≤56 V。
2. ?焊接工藝?：SOD-923封裝需控制回流焊峰值溫度≤260℃（Pb-Free要求）。
3. ?靜電防護?：盡管具備ESD防護能力，仍需在倉儲和組裝中遵循JEDEC標準。