功率晶體管(GTR)
2009-12-10 14:22:43
9447 電路中,晶體管常常被用來當做開關使用。晶體管用作開關時有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在電路中的位置決定的。晶體管可以是雙極性晶體管(BJT)或者場效應管(MOSFET)。
2023-02-16 16:00:31
6851 
該晶體管功率放大器電路僅使用準互補放大器配置中的四個晶體管,即可以低成本向 4 歐姆負載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:34
3837 
、航空航天和國防應用提供產品和解決方案。高電壓、高功率、堅固耐用的晶體管,具有無與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無可爭議且可靠的無線電覆蓋范圍?從我們專為 0.4-1 GHz 操作而設計的完整移動
2021-06-28 18:02:51
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
及制造工藝分類 晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
,發射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發射極E接黑表筆。正常時,鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關二極管,肖特基二極管,穩壓二極管等。有意都請聯系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時,實際功耗不允許超過PCM,通常還應留有較大余量,因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”,不過根據制造工藝和結構,還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
彩色電視機中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應大于或等于1200V,耗散功率應大于或等于50W,最大集電極電流應大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機行輸出管的耗散功率應大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
TR的情況,除此之外,還有5V以下(突破此耐壓范圍,會發生hFE低下等特性的劣化,請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義:是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
,使得同等功率量級固態發射機的體積、成本大大降低,電路形式也隨之簡化。這一切極大地推動了固態發射機在各個領域的應用。微波晶體管輸出功率提高意味著它的輸入、輸出阻抗變小,尤其是未進行內匹配的晶體管,這給
2019-07-04 07:15:45
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下,所有設備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時,此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管,該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時,該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
材料生長和加工技術的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個機場部署先進的空中交通管制雷達系統。從那時起,我們每年都有這種經驗,而今天,Integra為雷達應用提供廣泛的高功率晶體管產品組合
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80%的效率,并利用GaN-on-SiC,Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件,從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管,指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小40W的峰值脈沖功率,50V和3%的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-05-21 15:49:50
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-07-06 09:46:43
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-07-06 09:47:57
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療
2018-07-13 14:16:37
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療
2018-11-12 11:02:34
配對電路以產生連續功率。用于重型電機以控制電流。用于機器人應用。IX. PNP 晶體管的優勢為了提供電流,使用PNP晶體管。由于它產生的信號以負電源軌為基準,因此簡化了電路設計。與NPN晶體管相比,它們
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率,易于匹配,更高的一致性和更寬的帶寬,并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內容,繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同,因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
放大電路的設計與制作,下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計》(上)面向實際需要,理論聯系實際,通過大量具體的實驗,通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
的制造商生產半導體(晶體管是該設備家族的成員),因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管,用于高頻和低頻工作,用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝,晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當前容量根據目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達林頓晶體管是一對雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當Nb上端產生一個正的驅動電壓時,由于電容兩端電壓不能突變,上電瞬間電容如同短路,因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流,使晶體管迅速導通。之后,電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩態
2020-11-26 17:28:49
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區別是什么?例如《晶體管電路設計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現在產品設計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
)條件下,數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上",僅用IC標記沒有問題,但結合客戶實際使用狀態,合并標記為IO。因此電路設計
2019-04-22 05:39:52
額定值,在不超過VIN(max)條件下,數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上",僅用IC標記沒有問題,但結合客戶實際使用狀態,合并
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞。總之,與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
低熱阻:0.2℃/W 運用GaNonSiC高電子遷移率晶體管(HEMT)完成的零碎劣勢包括: 具有簡化阻抗婚配的單端設計,替代需求額定分解的較低功率器件 最頂峰值功率和功率增益,可增加零碎
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
電子產品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
或 MOSFET 相比,絕緣柵雙極性晶體管器件的優勢在于,它比標準雙極型晶體管提供了更大的功率增益,并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實際上,它是一種集成了雙極性晶體管的達靈頓
2022-04-29 10:55:25
所需的組件,降低系統成本,提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖,然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
。還是回到這篇文章的主題,晶體管的使用心得。由于本人所從事行業的限制,基本沒有機會像《晶體管電路設計》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路,而更多的是使用晶體管來實現功率負載的控制,還有配合運放或者其它
2016-06-03 18:29:59
描述PMP9517是高密度恒定電壓/恒定電流電源,具有 85VAC-265VAC 輸入范圍和 5V/10W 輸出。設計采用低成本功率晶體管 (BJT) 的初級側調整 (PSR)。該設計的組件數量少
2022-09-20 07:58:16
損壞晶體管。晶體管在整個開關周期中,最危險的情況是出現在晶體管關斷時。尤其是晶體管在感性負載的情況下,當晶體管截止時,會產生非常高的尖峰電壓,損壞晶體管。 為防止開關晶體管的損壞,可以采取一下措施
2020-11-26 17:26:39
大功率開關晶體管的重要任務
現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;
(1)容易關斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:49
43 功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應管又叫功率場控晶體管。一.
2009-05-12 20:36:42
3328 
大功率晶體管驅動電路的設計及其應用
摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅動電路的設計,分析了基極驅動電路的要求
2009-07-09 10:36:40
4644 
大功率開關—晶體管的重要任務
(一)控制大功率
現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;
(1)容易關斷,
2009-07-29 16:09:52
2117 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06
415 
晶體管開關的作用
(一)控制大功率 現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:52
1462 晶體管的開關作用
(一)控制大功率
現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;
2009-11-06 16:58:42
3969
晶體管的管腳如何識別?
現在市場上常見許多日本產塑封小功率晶體管,如2SC系列、2SD系列等。這些晶體管的管腳大多按照e、b、c的標準順序排列(見圖1)
2009-11-26 09:06:58
6388 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:10
8979 (high electron mobility transistor,HEMT)技術的射頻(radio frequency,RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設備中,MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。
2013-09-30 15:34:16
2478 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:09
2386 這篇文章的目的是提供一個指南,高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 功率晶體管快速關斷研究
2017-09-12 11:13:56
7 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37
738 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21
884 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08
622 安譜隆半導體(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化。
2018-04-26 09:42:00
1878 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管,用于88-108MHz頻率范圍內的廣播FM無線電應用。
2018-09-30 16:41:00
3380 現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,
2018-11-26 17:51:20
16687 的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用于各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用;由于它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW,因此
2019-01-20 16:51:01
994 埃賦隆半導體(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%,為同類最佳,其堅固耐用型設計也使其成為了工業和專業射頻能源應用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:17
3332 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2020-08-20 18:50:00
0 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2020-08-12 18:52:00
1 從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:00
1280 
功率晶體管的參數主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數都會影響功率晶體管的性能,因此在選擇功率晶體管時,應該根據實際應用來選擇合適的參數。
2023-02-17 14:29:37
3678 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:24
2247 大功率晶體管的放大倍數取決于其特定的設計和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結構、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:59
4137 的功率晶體管需要高電壓和高電流的控制,而一般的控制電路很難滿足這一需求。驅動器可以提供更高的電壓和電流,從而實現對功率晶體管的精確控制。 其次,專用驅動器可以提供更高的電路保護功能。在高功率應用中,功率晶體管容易
2023-10-22 14:47:33
1149 晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應速度快、壽命長等優點,廣泛應用于各種電子設備和系統中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關特性
2024-06-28 09:13:59
1659 產品類型。 隨著市場技術的快速迭代,基于先進技術的應用創新極具挑戰,客戶需要長期供貨支持。針對擁有長壽命系統的客戶,羅徹斯特電子與Ampleon合作支持延長產品生命周期。 羅徹斯特電子的Ampleon庫存包含已停產ICN8系列LDMOS功率射頻晶體管,適用于移動寬帶領域的基站應用
2024-08-12 10:03:50
1683 電子發燒友網站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:19:46
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