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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET的溝槽柵(Trench)物理與可靠性研究
SiC MOSFET的溝槽柵(Trench)物理與可靠性研究 1. 緒論:功率半導(dǎo)體物理的范式轉(zhuǎn)移 全球能源結(jié)構(gòu)的電氣化轉(zhuǎn)型,從電動(dòng)汽車(EV)的牽引逆...
2026-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管逆變器 1.5k 0
構(gòu)網(wǎng)型(Grid-Forming)控制架構(gòu)與SiC碳化硅功率電子技術(shù)的深度協(xié)同
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
海上直流風(fēng)電匯集系統(tǒng)深度分析與碳化硅(SiC)功率模塊的技術(shù)價(jià)值研究報(bào)告
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新...
基本半導(dǎo)體SiC基PEBB架構(gòu)助推中國固態(tài)變壓器(SST)行業(yè)的發(fā)展進(jìn)程
在全球能源互聯(lián)網(wǎng)加速構(gòu)建與中國“雙碳”戰(zhàn)略深度推進(jìn)的歷史交匯點(diǎn),電力系統(tǒng)的核心節(jié)點(diǎn)——變壓器,正面臨著百年來未有之大變局。
2026-02-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC固態(tài)變壓器 8.3k 0
深耕獲認(rèn)可,開年捷報(bào)傳!英飛凌喜迎新年開門紅
2026開年,英飛凌屢獲殊榮,喜迎開門紅。依托全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)、第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)創(chuàng)新產(chǎn)品布局,收獲客戶的深度信賴,英飛凌始終秉持以...
具備內(nèi)生安全的網(wǎng)絡(luò)化變流器架構(gòu)演進(jìn)與SiC碳化硅功率器件的戰(zhàn)略價(jià)值
隨著全球能源轉(zhuǎn)型的深入,電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著從單向傳輸?shù)膫鹘y(tǒng)電網(wǎng)向雙向互動(dòng)、高度智能化的能源互聯(lián)網(wǎng)(Internet of Energy)的根本性變革。
跨越碳化硅應(yīng)用的“最后一公里”:傾佳電子帥文廣力推基本半導(dǎo)體SiC MOSFET單管及集成化驅(qū)動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)
跨越碳化硅應(yīng)用的“最后一公里”:傾佳電子帥文廣力推基本半導(dǎo)體SiC MOSFET單管及集成化驅(qū)動(dòng)生態(tài)系統(tǒng) 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Se...
破局與重構(gòu):基本半導(dǎo)體SST固態(tài)變壓器SiC Power Stack功率套件PEBB方案的戰(zhàn)略價(jià)值
破局與重構(gòu):基本半導(dǎo)體SST固態(tài)變壓器SiC Power Stack功率套件PEBB方案在的戰(zhàn)略價(jià)值 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semi...
2026-02-11 標(biāo)簽:SiC固態(tài)變壓器基本半導(dǎo)體 417 0
飛跨電容升壓技術(shù)演進(jìn)與BMFC3L120R14E3B3 SiC模塊解析報(bào)告
飛跨電容升壓技術(shù)演進(jìn)與BMFC3L120R14E3B3 SiC模塊解析報(bào)告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)...
丙午烈馬,馳騁芯途:2026年SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革
丙午烈馬,馳騁芯途:2026年SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革-以夢為馬不負(fù)韶華 —— 獻(xiàn)給電力電子行業(yè)的追夢人:歸途有光,芯中有火 第一部分:丙午馬年的...
2026-02-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 157 0
DCM及類似封裝SiC模塊在汽車牽引領(lǐng)域的終結(jié)及推銷給工業(yè)客戶的系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)
結(jié)構(gòu)性淘汰與淘汰的庫存陷阱:DCM及類似封裝SiC模塊在汽車牽引領(lǐng)域的終結(jié)與推銷給工業(yè)客戶的系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn) 當(dāng)前,全球功率半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的技術(shù)架構(gòu)...
SiC模塊與配套驅(qū)動(dòng)板協(xié)同方案在SST固態(tài)變壓器中的技術(shù)與商業(yè)分析報(bào)告
SiC模塊BMF240R12E2G3與2CD0210T12驅(qū)動(dòng)板協(xié)同方案在SST固態(tài)變壓器中的技術(shù)與商業(yè)分析報(bào)告 BASiC Semiconductor...
2026-02-07 標(biāo)簽:SiCSST固態(tài)變壓器 173 0
SiC碳化硅 MOSFET 在逆變應(yīng)用中的研究報(bào)告:體二極管脈沖電流能力的工程挑戰(zhàn)分析
SiC碳化硅 MOSFET 在逆變應(yīng)用中的研究報(bào)告:體二極管脈沖電流能力的工程挑戰(zhàn)分析 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電...
飛跨電容三電平升壓碳化硅SiC模塊在2000V光伏逆變器MPPT系統(tǒng)中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值
基本半導(dǎo)體飛跨電容三電平升壓BMFC3L120R14E3B3碳化硅SiC模塊在2000V光伏逆變器MPPT系統(tǒng)中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值 BASiC Semic...
SiC碳化硅功率器件頂部散熱封裝:TOLT與QDPAK的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢、熱電動(dòng)力學(xué)分析及工程安裝指南
SiC碳化硅功率器件頂部散熱封裝:TOLT與QDPAK的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢、熱電動(dòng)力學(xué)分析及工程安裝指南 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理...
SiC碳化硅MOSFET短路保護(hù)終極方案研究報(bào)告:為何2LTO是唯一解
SiC碳化硅MOSFET短路保護(hù)終極方案研究報(bào)告:為何2LTO是唯一解 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子(Change...
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口英飛凌IGBT模塊FF300R12KS4的研究報(bào)告
國產(chǎn)SiC模塊BMF240R12KHB3全面取代進(jìn)口英飛凌IGBT模塊FF300R12KS4的研究報(bào)告:技術(shù)優(yōu)勢、商業(yè)價(jià)值與高頻電源應(yīng)用分析 BASiC...
面向風(fēng)力發(fā)電高壓直掛的固態(tài)變壓器(SST)架構(gòu)研究:基本半導(dǎo)體SiC模塊與驅(qū)動(dòng)技術(shù)的深度融合與應(yīng)用分析
面向風(fēng)力發(fā)電高壓直掛的固態(tài)變壓器(SST)架構(gòu)研究:基本半導(dǎo)體SiC模塊與驅(qū)動(dòng)技術(shù)的深度融合與應(yīng)用分析 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體...
2026-02-04 標(biāo)簽:SiC固態(tài)變壓器 186 0
ADuM4177:高性能SiC隔離柵驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
ADuM4177:高性能SiC隔離柵驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇一款合適的柵驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要,尤其是在處理高速開關(guān)和高功率應(yīng)用時(shí)。今天...
2026-02-03 標(biāo)簽:SiC隔離柵驅(qū)動(dòng)器ADuM4177 156 0
解決SiC模塊取代IGBT模塊的最后痛點(diǎn):基于2LTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)的SiC模塊短路耐受時(shí)間延展
攻克SiC模塊取代IGBT模塊的最后壁壘:基于2LTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)的SiC模塊短路耐受時(shí)間延展研究報(bào)告 ——以BASiC BMF540R12MZA3與2LT...
2026-02-03 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)技術(shù) 396 0
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