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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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【有獎(jiǎng)直播】onsemi SiC 和 PIM 產(chǎn)品介紹及其在光伏和儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用
01直播介紹直播時(shí)間2026/03/201430直播內(nèi)容onsemiSiC和PIM產(chǎn)品介紹及其在光伏和儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用直播技術(shù)亮點(diǎn)1.豐富的產(chǎn)品規(guī)格,多樣...
業(yè)內(nèi)首款可商用10kV SiC MOSFET誕生!加速SST落地
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,Wolfspeed宣布,推出業(yè)內(nèi)首款可商用的10kV SiC功率MOSFET。這一里程碑式突破不僅刷新了高壓SiC器件的商業(yè)...
全液冷PCS革新:SiC模塊+液冷散熱方案在工商業(yè)儲(chǔ)能中的可靠性進(jìn)化
全液冷PCS革新:SiC模塊+液冷散熱方案在工商業(yè)儲(chǔ)能中的可靠性進(jìn)化 引言:工商業(yè)儲(chǔ)能高功率密度與極端環(huán)境的雙重挑戰(zhàn) 在全球能源轉(zhuǎn)型與新型電力系統(tǒng)建設(shè)的...
新品 | 適用于300kW+集中式光伏逆變器的EconoPACK? 3系列模塊
新品適用于300kW+集中式光伏逆變器的EconoPACK3系列模塊產(chǎn)品描述:■EconoPACK3B950V,600A,IGBT模塊,采用三電平NPC...
低電壓儲(chǔ)能系統(tǒng):基于 650V SiC 的高倍率多相交錯(cuò)并聯(lián) DC-DC 技術(shù)研究
低電壓儲(chǔ)能系統(tǒng):基于 650V SiC 的高倍率多相交錯(cuò)并聯(lián) DC-DC 技術(shù)研究 宏觀架構(gòu)演進(jìn)與 48V 儲(chǔ)能系統(tǒng)的技術(shù)范式轉(zhuǎn)移 在全球能源結(jié)構(gòu)向去中...
2026-03-07 標(biāo)簽:DC-DCSiC儲(chǔ)能系統(tǒng) 991 0
中央空調(diào)變頻器:SiC碳化硅化開(kāi)啟低碳建筑新篇章
中央空調(diào)變頻器:SiC碳化硅化開(kāi)啟低碳建筑新篇章 引言:商用建筑能效挑戰(zhàn)與寬禁帶半導(dǎo)體的歷史性機(jī)遇 在全球應(yīng)對(duì)氣候變化、致力于實(shí)現(xiàn)凈零排放的宏觀經(jīng)濟(jì)與政...
2026 年 AI 數(shù)據(jù)中心電源范式:全 SiC 高頻主動(dòng)前端、液冷直貼技術(shù)與雙向直流微網(wǎng)架構(gòu)的深度解析
2026 年 AI 數(shù)據(jù)中心電源范式:全 SiC 高頻主動(dòng)前端、液冷直貼技術(shù)與雙向直流微網(wǎng)架構(gòu)的深度解析 導(dǎo)言:算力爆發(fā)與數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)的物理極限與重...
2026-03-04 標(biāo)簽:電源數(shù)據(jù)中心AI 199 0
高開(kāi)關(guān)頻率下的SiC三電平逆變器短路保護(hù)與故障容錯(cuò)機(jī)制研究
高開(kāi)關(guān)頻率下的SiC三電平逆變器短路保護(hù)與故障容錯(cuò)機(jī)制研究 1. 引言 在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型與工業(yè)電氣化深度發(fā)展的背景下,高功率密度、高效率以及高電能質(zhì)量...
2026-03-04 標(biāo)簽:逆變器SiC開(kāi)關(guān)頻率 153 0
高效全SiC碳化硅20kW Vienna(維也納)整流器工程方案
基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)碳化硅器件數(shù)據(jù)手冊(cè)( B5D40120H 二極管、 B3M035120ZL 1200V MOSFET...
固變SST與雙向SiC技術(shù)在兆瓦級(jí)電動(dòng)重卡超充站的深度融合及DAB高頻化演進(jìn)分析
傾佳楊茜-死磕固變:固態(tài)變壓器SST與雙向SiC技術(shù)在兆瓦級(jí)電動(dòng)重卡超充站的深度融合及DAB高頻化演進(jìn)分析 引言:電動(dòng)重卡時(shí)代的能源基礎(chǔ)設(shè)施革命與技術(shù)躍...
新品 | CoolSiC? MOSFET M1H共源配置62mm模塊
新品CoolSiCMOSFETM1H共源配置62mm模塊英飛凌推出1200V和2000VCoolSiCMOSFET62mm半橋模塊,結(jié)合M1H芯片技術(shù),...
E2B封裝SiC碳化硅模塊構(gòu)建125kW三相四線制儲(chǔ)能PCS中的多維優(yōu)勢(shì)
傾佳楊茜-儲(chǔ)能方案:E2B封裝SiC碳化硅模塊BMF240R12E2G3構(gòu)建125kW三相四線制儲(chǔ)能PCS中的多維優(yōu)勢(shì) 1. 宏觀行業(yè)背景與工商業(yè)儲(chǔ)能P...
SiC固變PEBB對(duì)中國(guó)SST固邊變壓器行業(yè)發(fā)展的技術(shù)價(jià)值和商業(yè)價(jià)值
SiC固變PEBB對(duì)中國(guó)SST固邊變壓器行業(yè)發(fā)展的技術(shù)價(jià)值和商業(yè)價(jià)值 行業(yè)演進(jìn)與電力電子積木架構(gòu)的歷史必然性 在全球能源互聯(lián)網(wǎng)的深度構(gòu)建、新型電力系統(tǒng)的...
SiC碳化硅MOSFET規(guī)格書參數(shù)解析與系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用指南
SiC碳化硅MOSFET規(guī)格書參數(shù)解析與系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用指南 核心物理邊界與安全工作區(qū)(SOA)的工程學(xué)定義 在現(xiàn)代電力電子變換器設(shè)計(jì)中,碳化硅(SiC)MO...
SiC功率模塊的“標(biāo)稱電流”(在數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常標(biāo)記為連續(xù)漏極電流 ID,或 Inom)是評(píng)估器件功率等級(jí)的核心參數(shù)。
SiC模塊構(gòu)建固態(tài)變壓器(SST)的 AC-DC 級(jí)方案及優(yōu)勢(shì)
傾佳楊茜:SiC模塊構(gòu)建固態(tài)變壓器(SST)的 AC-DC 級(jí)方案及優(yōu)勢(shì) 基本半導(dǎo)體 1200V/540A SiC MOSFET 模塊 (BMF540R...
SiC半橋模塊構(gòu)建2.5MW 功率輸出的ANPC儲(chǔ)能變流器 (PCS)
傾佳楊茜-儲(chǔ)能方案:SiC半橋模塊構(gòu)建2.5MW 功率輸出的ANPC儲(chǔ)能變流器 (PCS)? 基本半導(dǎo)體 1200V/540A SiC MOSFET 半...
2026-02-27 標(biāo)簽:SiCANPC儲(chǔ)能變流器 372 0
ED3半橋SiC模塊構(gòu)建固態(tài)變壓器(SST)的隔離級(jí)DAB DC-DC的設(shè)計(jì)方案
傾佳楊茜-固變方案:ED3半橋SiC模塊固態(tài)變壓器(SST)的隔離級(jí)DAB DC-DC的設(shè)計(jì)方案 基本半導(dǎo)體 1200V/540A SiC MOSFET...
2026-02-27 標(biāo)簽:DC-DCSiC固態(tài)變壓器 390 0
62mm半橋SiC模塊設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器 (SST) DAB的工程落地
傾佳楊茜-固變方案:62mm半橋SiC模塊設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器 (SST) DAB的工程落地 基本半導(dǎo)體 1200V/540A 碳化硅半橋模塊 (BMF540...
2026-02-27 標(biāo)簽:SiC固態(tài)變壓器 381 0
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