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UCC23711:高性能單通道隔離保護(hù)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
UCC23711:高性能單通道隔離保護(hù)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對(duì)于碳化硅(SiC)MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的驅(qū)動(dòng)需求日益...
2026-02-26 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFETUCC23711 177 0
UCC5880-Q1:汽車應(yīng)用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅(qū)動(dòng)器
UCC5880-Q1:汽車應(yīng)用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅(qū)動(dòng)器 在汽車電子的發(fā)展浪潮中,尤其是電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)領(lǐng)...
2026-01-20 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFETUCC5880-Q1 1.6k 0
浮思特 | 電動(dòng)主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)中,至信微 SiC MOSFET 能帶來什么?
在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中,主驅(qū)逆變器常被稱為“電驅(qū)系統(tǒng)的心臟”。它直接決定了電機(jī)的響應(yīng)速度、整車效率以及能量利用水平。隨著新能源汽車對(duì)性能、續(xù)航和集成度要求...
2026-01-16 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)SiC MOSFET 146 0
氮化鎵(GaN)vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對(duì)比:300W快充應(yīng)用選型避坑手冊(cè)
在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域,300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求,已成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...
2025-12-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)ICGaNSiC MOSFET 994 0
浮思特 | 至信微 SiC MOSFET 賦能三相組串式逆變器:高效升級(jí)與選型實(shí)踐
三相組串式逆變器是工商業(yè)分布式光伏與地面電站的核心設(shè)備,憑借模塊化設(shè)計(jì)、靈活部署的優(yōu)勢(shì),占據(jù)了75%以上的市場(chǎng)份額。其功率覆蓋范圍廣泛,單模塊通常為30...
2025-11-25 標(biāo)簽:逆變器設(shè)備SiC MOSFET 1.3k 0
浮思特 | SiC MOSFET 賦能電動(dòng)主驅(qū)逆變器:效率與動(dòng)力的雙重突破
在電動(dòng)汽車的核心動(dòng)力鏈中,主驅(qū)逆變器被譽(yù)為“動(dòng)力心臟”。它承擔(dān)著將電池直流電轉(zhuǎn)換為電機(jī)交流電的關(guān)鍵職責(zé),其性能直接決定了車輛的動(dòng)力響應(yīng)、續(xù)航能力和空間利...
2025-11-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC MOSFET 1.1k 0
浮思特 | SiC MOSFET 如何重塑電動(dòng)車熱泵空調(diào),替代IGBT的核心優(yōu)勢(shì)
在新能源汽車行業(yè),冬季續(xù)航縮水、低溫制熱效率低一直是用戶關(guān)注的核心痛點(diǎn)。而熱泵空調(diào)作為解決這一問題的關(guān)鍵配置,其性能表現(xiàn)直接取決于核心部件——壓縮機(jī)控制...
2025-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBTSiC MOSFET 1.6k 0
浮思特|SiC MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析
在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高...
2025-09-04 標(biāo)簽:MOSFETSiCSiC MOSFET 855 0
浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊
大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話:“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么,為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件,能讓電動(dòng)車跑得更遠(yuǎn),光伏逆變器更高效,甚至讓充電...
2025-08-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 763 0
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析: 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封...
2025-08-10 標(biāo)簽:封裝SiC MOSFETAB3M040065C 1.6k 0
SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
由于第四橋臂的引入,對(duì)比三相三橋臂變換器,負(fù)載相電壓的電平數(shù)從五個(gè)(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(gè)(±Udc,0),因此自然的,相同電路...
2025-07-14 標(biāo)簽:電流變換器SiC MOSFET 1.2k 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(七)——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200...
2025-03-24 標(biāo)簽:電源電路設(shè)計(jì)PFC 1.3萬 0
SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)
使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷,或氮化鎵HEMT的...
2025-03-21 標(biāo)簽:電源開關(guān)LLC變換器SiC MOSFET 1.2k 0
為了驗(yàn)證抑制電路的效果,將抑制電路單獨(dú)安裝在SiC MOSFET(SCT3040KR)的驅(qū)動(dòng)電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和...
2024-01-26 標(biāo)簽:電容器驅(qū)動(dòng)電路電壓浪涌 1.2k 0
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 4k 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測(cè)和絕緣監(jiān)測(cè)。該應(yīng)用場(chǎng)景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 1.3k 0
Model-Y Drive Unit的主要改進(jìn): 不再使用泄放電阻(可能使用電機(jī)繞組對(duì)母線電容放電); 使用本地隔離偏置為柵極驅(qū)動(dòng)器電路供電,以降低...
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)方案
通過對(duì)現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié),從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。
2023-04-26 標(biāo)簽:pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2.8k 0
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