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SiC MOSFET

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UCC23711：高性能單通道隔離保護(hù)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

UCC23711：高性能單通道隔離保護(hù)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選在電力電子領(lǐng)域，對(duì)于碳化硅（SiC）MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的驅(qū)動(dòng)需求日益...

2026-02-26 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)器 SiC MOSFET UCC23711 177 0

UCC5880-Q1：汽車應(yīng)用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅(qū)動(dòng)器

UCC5880-Q1：汽車應(yīng)用中IGBT/SiC MOSFET的理想柵極驅(qū)動(dòng)器在汽車電子的發(fā)展浪潮中，尤其是電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）領(lǐng)...

2026-01-20 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET UCC5880-Q1 1.6k 0

浮思特 | 電動(dòng)主驅(qū)逆變器設(shè)計(jì)中，至信微 SiC MOSFET 能帶來(lái)什么?

在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中，主驅(qū)逆變器常被稱為“電驅(qū)系統(tǒng)的心臟”。它直接決定了電機(jī)的響應(yīng)速度、整車效率以及能量利用水平。隨著新能源汽車對(duì)性能、續(xù)航和集成度要求...

2026-01-16 標(biāo)簽：MOSFET 電動(dòng)SiC MOSFET 147 0

氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對(duì)比：300W快充應(yīng)用選型避坑手冊(cè)

在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能、專業(yè)設(shè)備供電等多元需求，已成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...

2025-12-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)IC GaN SiC MOSFET 999 0

浮思特 | 至信微 SiC MOSFET 賦能三相組串式逆變器：高效升級(jí)與選型實(shí)踐

三相組串式逆變器是工商業(yè)分布式光伏與地面電站的核心設(shè)備，憑借模塊化設(shè)計(jì)、靈活部署的優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了75%以上的市場(chǎng)份額。其功率覆蓋范圍廣泛，單模塊通常為30...

2025-11-25 標(biāo)簽：逆變器設(shè)備 SiC MOSFET 1.3k 0

浮思特 | SiC MOSFET 賦能電動(dòng)主驅(qū)逆變器：效率與動(dòng)力的雙重突破

在電動(dòng)汽車的核心動(dòng)力鏈中，主驅(qū)逆變器被譽(yù)為“動(dòng)力心臟”。它承擔(dān)著將電池直流電轉(zhuǎn)換為電機(jī)交流電的關(guān)鍵職責(zé)，其性能直接決定了車輛的動(dòng)力響應(yīng)、續(xù)航能力和空間利...

2025-11-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC MOSFET 1.1k 0

浮思特 | SiC MOSFET 如何重塑電動(dòng)車熱泵空調(diào)，替代IGBT的核心優(yōu)勢(shì)

在新能源汽車行業(yè)，冬季續(xù)航縮水、低溫制熱效率低一直是用戶關(guān)注的核心痛點(diǎn)。而熱泵空調(diào)作為解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵配置，其性能表現(xiàn)直接取決于核心部件——壓縮機(jī)控制...

2025-11-07 標(biāo)簽：電動(dòng)車 IGBT SiC MOSFET 1.6k 0

浮思特|SiC MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析

在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中，MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高...

2025-09-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC SiC MOSFET 855 0

浮思特 | 為什么新能源離不開(kāi)碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

大家可能經(jīng)常聽(tīng)到這樣一句話：“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么，為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件，能讓電動(dòng)車跑得更遠(yuǎn)，光伏逆變器更高效，甚至讓充電...

2025-08-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 SiC MOSFET 767 0

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析：一、T2PAK-7兼容HU3PAK封...

2025-08-10 標(biāo)簽：封裝 SiC MOSFET AB3M040065C 1.6k 0

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麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

標(biāo)簽：SiC MOSFET 1179 0

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SiC MOSFET并聯(lián)均流及串?dāng)_抑制驅(qū)動(dòng)電路的研究立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2025-08-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 636 0

1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-01-03 標(biāo)簽：Nexperia SiC MOSFET 446 0

NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 423 0

NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明立即下載

類別：電子資料 2023-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 350 0

用于直流變換器的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2023-11-30 標(biāo)簽：直流變換器驅(qū)動(dòng)電路 SiC MOSFET 611 0

基于SiC MOSFET的精確分析模型立即下載

類別：電源技術(shù) 2018-03-13 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1.7k 0

SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態(tài)模型立即下載

類別：電工論文網(wǎng) 2018-02-01 標(biāo)簽：SiC MOSFET 1.1k 0

sic mosfet資訊

SiC MOSFET 與貼片封裝助力戶用儲(chǔ)能逆變器高功率密度革命

傾佳楊茜-戶儲(chǔ)方案：SiC MOSFET 與貼片封裝助力戶用儲(chǔ)能逆變器高功率密度革命一、引言：全球戶用儲(chǔ)能市場(chǎng)的爆發(fā)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)的演進(jìn) 在全球能源結(jié)構(gòu)...

2026-02-27 標(biāo)簽：貼片封裝 SiC MOSFET 儲(chǔ)能逆變器 161 0

基于功率評(píng)估法（PEM）的固態(tài)斷路器SiC MOSFET短路保護(hù)方案

傾佳楊茜-固斷方案：基于功率評(píng)估法（PEM）的超快保護(hù)方案突破固態(tài)斷路器SiC MOSFET“短路耐受時(shí)間”瓶頸引言：固態(tài)斷路器與碳化硅功率器件的可靠...

2026-02-27 標(biāo)簽：斷路器 PEM SiC MOSFET 90 0

380V工業(yè)電機(jī)控制中心的SiC MOSFET固態(tài)斷路器與軟啟動(dòng)器融合技術(shù)

傾佳楊茜-固斷方案：基于SiC MOSFET與先進(jìn)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的交流380V工業(yè)電機(jī)控制中心（MCC）固態(tài)斷路器與軟啟動(dòng)器融合技術(shù) 工業(yè)電機(jī)控制中心（MCC...

2026-02-27 標(biāo)簽：電機(jī)斷路器軟啟動(dòng)器 177 0

基于SiC MOSFET和低寄生電感 PCB 層疊母排的 50kHz變頻器設(shè)計(jì)

傾佳楊茜-變頻方案：基于SiC MOSFET和低寄生電感 PCB 層疊母排的 50kHz變頻器設(shè)計(jì)對(duì)數(shù)控加工表面質(zhì)量的提升分析在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化與高端制...

2026-02-26 標(biāo)簽：PCB 變頻器 SiC MOSFET 69 0

高壓革命：英偉達(dá)800V平臺(tái)架構(gòu)與SiC MOSFET的商業(yè)技術(shù)共生

高壓革命：英偉達(dá)800V平臺(tái)架構(gòu)的深層價(jià)值重構(gòu)與SiC MOSFET的商業(yè)技術(shù)共生全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor...

2026-02-17 標(biāo)簽：英偉達(dá)SiC MOSFET 5.5k 0

SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析

工業(yè)功率半導(dǎo)體技術(shù)變革研究報(bào)告：SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC S...

2026-02-16 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 239 0

邁向極致效率：SiC MOSFET與LLC諧振變換器的協(xié)同設(shè)計(jì)與優(yōu)化

邁向極致效率：SiC MOSFET與LLC諧振變換器的協(xié)同設(shè)計(jì)與優(yōu)化 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子（Changer...

2026-02-08 標(biāo)簽：LLC 諧振變換器 SiC MOSFET 434 0

SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)五萬(wàn)億電網(wǎng)投資的賦能作用

十五五期間五萬(wàn)億電網(wǎng)投資中的SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對(duì)電網(wǎng)投資的賦能作用 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳...

2026-01-31 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 1.4k 0

1400V SiC MOSFET市場(chǎng)再添新玩家

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，杰平方半導(dǎo)體正式推出兩款1400V 碳化硅SiC MOSFET 新品，分別實(shí)現(xiàn) 40mΩ 和 80mΩ 的導(dǎo)通電阻，為 80...

2026-01-19 標(biāo)簽：功率器件 SiC SiC MOSFET 6.9k 0

德州儀器UCC21710：先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的深度剖析

德州儀器UCC21710：先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的深度剖析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，一款性能卓越的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于提升系統(tǒng)的可靠性和效率至關(guān)重要。德州儀器（T...

2026-01-08 標(biāo)簽：SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21710 408 0

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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DCDC電源

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

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