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      標簽　>　SiC MOSFET

      SiC MOSFET

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      2025-03-24 標簽：電源電路設計PFC 1.3萬 0

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      由于快速的開關，傳導損耗和擊穿電壓的增加，在現代工業應用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關速度和更高的頻率賦能，該框架減小了尺寸并提高...

      2021-03-19 標簽：MOSFET開關頻率SiC MOSFET 8.7k 0

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      在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。

      2022-06-29 標簽：安森美功率模塊熱管理 8.5k 0

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      2021-12-06 標簽：單電源SiC MOSFET 6k 0

      高壓SiC MOSFET發展歷程與研究現狀

      高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~4...

      2023-02-03 標簽：SiCSiC MOSFET 5.3k 0

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      SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

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      2022-01-14 標簽：驅動電源自舉電路SiC MOSFET 4.5k 0

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      Model-Y Drive Unit的主要改進： 不再使用泄放電阻（可能使用電機繞組對母線電容放電）； 使用本地隔離偏置為柵極驅動器電路供電，以降低...

      2023-06-15 標簽：變壓器逆變器特斯拉 4.1k 0

      SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

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      過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比 IGBT 更高的...

      2022-10-11 標簽：ti柵極驅動器SiC MOSFET 3.9k 0

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      富昌電子SiC設計分享（二）：碳化硅器件驅動設計之寄生導通問題探討

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      作者：富昌電子 星空 ??校稿：富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方...

      2022-06-16 標簽：富昌電子SiC驅動設計 11.0萬 0

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      2026-01-19 標簽：功率器件SiCSiC MOSFET 6.8k 0

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      環境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時，隨著電力需求持續升高，對節能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉換系統的需求也迅速增加。而在這其中，功率半導體扮演...

      2021-08-02 標簽：SiC MOSFET 5.8k 0

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      電子發燒友網報道（文/李誠）功率器件從硅基向碳化硅的轉型，成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影，對整個電力電子行業的發展具有重大的影響。 ? 碳化...

      2021-11-12 標簽：SiC二極管SiC MOSFET基本半導體 5.2k 0

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