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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點(diǎn)推向下一個階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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EUV的失敗挑戰(zhàn)者，NIL站穩(wěn)腳跟

NIL 與光學(xué)光刻的不同之處在于，NIL 使用由電子束系統(tǒng)圖案化的主印模副本將圖像直接轉(zhuǎn)移到硅晶片和其他基板上。低粘度光刻膠通過噴射沉積在基板上，類似于...

2023-04-23 標(biāo)簽：光學(xué)生物技術(shù)EUV 2.3k 0

ASML真的壓貨太多了嗎？

最近聽到一則消息說是ASML說是壓貨太多，但是其實(shí)我們買都買不到。

2023-04-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 1.6k 0

下一代EUV***，關(guān)鍵技術(shù)拆解！

但imec先進(jìn)成像、工藝和材料高級副總裁斯蒂芬·希爾（Steven Scheer）在接受采訪時非常理性地指出，要經(jīng)濟(jì)高效地引入High NA EUV光刻...

2023-03-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 2.2k 0

淺談下一代***工藝相關(guān)的突破性解決方案

High NA EUVL 的出現(xiàn)將進(jìn)一步提高分辨率并減小特征尺寸，同時降低焦深。這當(dāng)然會導(dǎo)致薄膜（film）厚度縮小，這需要實(shí)施新的光刻膠和underl...

2023-03-08 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 光刻膠 1k 0

我國順利突破EUV***技術(shù) 哈工大突破***核心部件

眾所周知，光刻機(jī)主要包括：光源系統(tǒng)、浸液系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、工件臺掩模臺系統(tǒng)。

2023-03-02 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 3.1萬 0

光刻掃描儀吞吐量的成本模型

我們一直在我們的私人咨詢業(yè)務(wù)上花費(fèi)大量時間，試圖為各種邏輯和內(nèi)存工藝節(jié)點(diǎn)的工具類型建立一個半導(dǎo)體工廠資本支出的模型。

2023-02-22 標(biāo)簽：amd 半導(dǎo)體掃描儀 1.4k 0

EUV***的核心光源大功率光源也提上日程

EUV要解決的不僅是波長問題，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要達(dá)到20kW的功率，而這樣的發(fā)射功率經(jīng)過重重反射，達(dá)到焦點(diǎn)處的功率卻...

2023-02-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 8.9k 0

三星研發(fā)下一代EUV關(guān)鍵組件

半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實(shí)驗(yàn)室于11月14日宣布，其已開發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜（pellicles）的技術(shù)，并已準(zhǔn)備好量產(chǎn)新型薄膜。

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子石墨烯 1.1k 0

EUV不能只靠高NA，大功率光源也該提上日程了

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，EUV光刻機(jī)的誕生是由各個部件在技術(shù)上的集體突破才最終成型的，比如光刻膠、掩膜板和鏡組...

2023-02-13 標(biāo)簽：光源 EUV EUV光刻機(jī) 6.1k 0

EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者，誰扛大旗？

過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...

2023-02-02 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 4k 0

Intel 4/3/20A/18A四種新工藝都來了！

大家知道，RISC-V已經(jīng)成為繼x86、ARM之后冉冉升起的第三大CPU架構(gòu)，盡管此前試圖收購RISC-V內(nèi)核公司SiFive的努力失敗，但I(xiàn)ntel找...

2023-01-31 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV RISC-V 2.2k 0

DRAM制程分享

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對于 D12 節(jié)點(diǎn)，DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無...

2023-01-30 標(biāo)簽：電容器 DRAM EUV 7.2k 0

EUV的壟斷終將結(jié)束 EUV***逐步走向“落末”

從出貨量的不斷增多，再到產(chǎn)品的更新?lián)Q代。ASML嘗到了EUV帶給他的紅利，但是ASML的首席技術(shù)官透露EUV即將走到盡頭，之后的技術(shù)可能根本實(shí)現(xiàn)不了。

2023-01-30 標(biāo)簽：臺積電光刻機(jī)EUV 3.1k 0

密度提升近3倍，高NA EUV光刻機(jī)有何玄機(jī)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）到了3nm這個工藝節(jié)點(diǎn)之后，單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。為了實(shí)現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶...

2022-12-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 3.7k 0

影響2023年半導(dǎo)體供應(yīng)鏈發(fā)展的八大趨勢

半導(dǎo)體行業(yè)波動性可能減弱。動蕩的2022年引發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)庫存調(diào)整，企業(yè)紛紛應(yīng)對短期下行周期，但背后的發(fā)展趨勢值得關(guān)注。由于人工智能（AI）、AR/VR、...

2022-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體內(nèi)存 EUV 2.2k 0

華為突破EUV光刻機(jī)核心技術(shù)！

2022年華為前三季度研發(fā)投入超1100億，10年來華為研發(fā)投入近萬億！華為最近在光芯片、量子芯片方面頻頻突破，讓外媒感到震驚！

2022-11-25 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 1.0萬 0

時速965公里！超級高鐵進(jìn)入測試；英特爾年底使用EUV的intel 4工藝量產(chǎn)！

? 審核編輯?黃昊宇 ?

2022-11-25 標(biāo)簽：英特爾 EUV 626 0

華為最新消息 EUV光刻技術(shù)新專利面市

對于光刻機(jī)難道我們真就毫無還手之力了？其實(shí)也不見得，華為最新的專利端上來了，看看這道硬菜。日前，華為一項(xiàng)名為“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”的新專利公開...

2022-11-21 標(biāo)簽：華為專利光刻機(jī) 3.9k 0

國產(chǎn)光刻膠市場前景國內(nèi)廠商迎來發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價格差異大。以國內(nèi) PAG 對應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF ...

2022-11-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EUV 光刻膠 5.1k 0

ASML擴(kuò)產(chǎn)EUV與DUV設(shè)備

根據(jù) ASML 的說明，盡管目前整體環(huán)境呈現(xiàn)短期的不確定性，仍見長期在晶圓需求與產(chǎn)能上的健康增長。ASML 提到，各個市場的強(qiáng)勁增長、持續(xù)創(chuàng)新、更多晶圓...

2022-11-15 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 1.2k 0

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3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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