電子發燒友網報道（文/周凱揚）作為目前最先進的半導體制造設備，EUV***的誕生是由各個部件在技術上的集體突破才最終成型的，比如光刻膠、掩膜板和鏡組等等。但最為關鍵的還是EUV名號中的極紫外光的生成方式，也就是EUV***的光源。

EUV***的核心光源

與傳統的準分子激光直接生成的DUV光源不同，EUV采用的是一臺二氧化碳氣體激光器，通過轟擊液態錫形成等離子，從而產生13.5nm的EUV光源，傳入EUV的光學系統中。這也就是我們目前最為成熟的EUV光源，利用激光等離子體（LPP）的原理來實現。

在現有的EUV***路線圖中，我們看到ASML這樣的廠商已經開始在著手開發高NA的EUV***了。這是因為在***曝光分辨率的公式R=kλ/NA中，進一步提高NA就能提高分辨率，而k為工藝因子，存在著0.25的理論極限值。那么為何不進一步減小EUV光源的波長呢？

在***冗長的發展歷史中，減小光源波長確實是跨越世代的核心突破之一，比如365nm的i-line到248nm的KrF DUV，再到193nm的ArF DUV等。但光源的波長并不是這么好減小的。

EUV光學系統 / ASML

大家可以看一下蔡司為EUV***打造的這套光學鏡組系統，包含了各種復雜的反射鏡，這是因為13.5nm的光源很容易被各種材料吸收，所以需要在真空環境中搭建這么一套系統，即便是現在的13.5nm也是不斷篩選才確定下來的。

下一步，更大功率

EUV要解決的不僅是波長問題，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要達到20kW的功率，而這樣的發射功率經過重重反射，達到焦點處的功率卻只有350W左右。

更小的功率并不是說不能正常運行，只是對于這樣一臺售價上億美元的機器來說，這樣的功率還不足以最大化利用率，尤其是到了3nm和2nm節點后。據預計，為了最大化掃描速度，克服隨機效應帶來的影響，3nm節點需要1500W的焦點功率，2nm節點需要2800W的焦點功率。而這樣的功率是目前的LPP EUV達不到的，加大EUV光源功率可以說是迫在眉睫了。

清華大學工程物理系的唐傳祥研究組與合作團隊，就提出了以新型粒子加速器光源“穩態微聚束（SSMB）”來作為EUV***光源的驗證，以實現更大的平均功率，讓未來的EUV***具備向比13.5nm更短的波長擴展的能力。

根據其論文中展示的數據，SSMB可以實現平均功率大于1kW的EUV光輸出，甚至有可能擴展到下一代采用波長6.xnm的Blue-X光刻或BEUV光刻。然而，如果想要應用于EUV這樣短波長波段，SSMB光源在激光調制器、長脈沖注入系統和直線感應加速器上都存在較大技術挑戰，所以仍需要深入研究才有機會落地。

除了SSMB外，日本等國家也在研究使用能量回收型直線加速器（ERL）的FEL（自由電子激光）方案，這種方案的極限功率更高，最高可實現10kW的EUV光，更重要的是，這套方案的碳足跡更低。根據日本高能加速器研究機構給出的數據，FEL可以做到近LPP方案7分之一的耗電成本。不過與SSMB一樣，這類光源也存在不少需要突破的技術難點，而且造價只會更高。

結語

雖然我國對于EUV***這類設備的突破需求迫切，但作為當下最復雜的半導體制造設備，需要從各個組件上都找到突破，全環節驗收后才能造出這樣一臺成本高昂的機器。哪怕是ASML，也是在蔡司為其交付首個EUV光學組件系統的5年之后，才造出首臺原型EUV***的，實機的量產更是到了七八年之后。所以我們必須尋求基礎學科上的研究創新，并長期投入，這樣才有彎道超車的機會。