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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲芯片 1.6k 0
三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國硅谷的Devic...
三星計(jì)劃在硅谷開設(shè)實(shí)驗(yàn)室
三星電子近日宣布,在美國硅谷設(shè)立了一個(gè)新的研究實(shí)驗(yàn)室,隸屬于Device Solutions America (DSA),旨在開發(fā)新一代3D DRAM。
三星電子硅谷實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)3D DRAM研究,布局下一代芯片技術(shù)
值得強(qiáng)調(diào)的是,Gb是DRAM存儲密度單位,非GB;常見的內(nèi)存卡容量通常為8GB至32GB,而服務(wù)器級內(nèi)存亦有128GB,均由不同數(shù)量DRAM構(gòu)成。
三星電子在硅谷設(shè)立新實(shí)驗(yàn)室,開發(fā)下一代3D DRAM芯片
三星電子近日宣布,已在美國硅谷開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)(R&D)實(shí)驗(yàn)室,專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這一新實(shí)驗(yàn)室將由三星的Device Sol...
三星將展示16Gb GDDR7技術(shù),重點(diǎn)關(guān)注PAM3優(yōu)化TRX均衡和ZQ校準(zhǔn)
該款高性能的 DRAM 采用 PAM3 編碼技術(shù),兼具 PAM4 和 NRZ 的優(yōu)點(diǎn),相較于 NRZ,它能夠以更高的數(shù)據(jù)傳輸率運(yùn)行,且無需過高的內(nèi)存總線...
三星電子新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu),專攻下一代3D DRAM技術(shù)研發(fā)
原有的DRAM采用2D結(jié)構(gòu),即大量元件密集排布在同一平面。然而,為了提升性能,儲存行業(yè)正致力于開發(fā)高密度的3D DRAM。這項(xiàng)技術(shù)包括水平堆積和垂直堆積...
SK海力士第四季轉(zhuǎn)虧為盈 HBM3營收增長5倍
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報(bào)中,展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示,公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收...
泛林集團(tuán)業(yè)績創(chuàng)新高,中國市場占比48%
Yahoo Finance網(wǎng)站顯示,分析師預(yù)期泛林集團(tuán)第二季營收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。
DRAM漲價(jià)潮:廠商減產(chǎn)引發(fā)需求激增,持續(xù)尋求利潤改善
報(bào)導(dǎo)指出,因各家內(nèi)存廠商減產(chǎn)、市場過剩情況緩解,2023年11月DRAM批發(fā)價(jià)約2年半來首度呈現(xiàn)揚(yáng)升。各家內(nèi)存廠商為了改善獲利,今后將持續(xù)要求漲價(jià)。
2024-01-25 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 979 0
存儲芯片市場升溫,DRAM價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月上漲
存儲模組大廠威剛發(fā)布2023年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù),2023年全年合并營收達(dá)337億新臺幣,同比下降3.9%。
2024年DRAM、NAND Flash合約價(jià)將如何演繹呢?
存儲作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個(gè)細(xì)分之一,一直以來,它是行情晴雨表。2024年電子存儲行情如何呢?
DRAM稼動(dòng)率緩步改善,業(yè)界認(rèn)為,整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片Nand flash 1.1k 0
美光發(fā)布基于LPDDR5X的LPCAMM2內(nèi)存模塊
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAM...
TrendForce保持預(yù)設(shè)不變,認(rèn)為DRAM合約價(jià)季增幅大約為13%至18%;而NAND Flash合約價(jià)季增幅則在18%至23%之間。盡管業(yè)界對于第...
由于全球存儲芯片需求銳減,拖累了2023年全球半導(dǎo)體營收萎縮11%至5330億美元。其中,2023年全球存儲芯片營收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至...
2024-01-19 標(biāo)簽:英特爾DRAMNand flash 856 0
半導(dǎo)體市場復(fù)蘇趨勢會在什么時(shí)候?
在本文中,我們將Mos Memory分為DRAM和NAND閃存,并嘗試從各公司的價(jià)格趨勢和銷售(份額)趨勢來預(yù)測全球市場何時(shí)完全復(fù)蘇。在這個(gè)過程中,筆者...
力積電2024年?duì)I收預(yù)期較去年增長,產(chǎn)能利用率有望提升至70%-75%?
力積電近期宣布了銅鑼新廠的進(jìn)展情況,截至目前已有80%的設(shè)備進(jìn)入并進(jìn)行調(diào)試,主要涉及55nm及40nm邏輯產(chǎn)品。同時(shí),公司對2023年資本投入計(jì)劃進(jìn)行了...
2024年半導(dǎo)體行業(yè)有望回暖,資本支出與產(chǎn)能利用率提升
TechInsights進(jìn)一步揭示,盡管2024年初的半導(dǎo)體機(jī)件訂單活動(dòng)和平靜無常,但由于存儲晶片銷售額的增加得以中和全線產(chǎn)品DAO銷售量的下滑,故存儲...
2024-01-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲產(chǎn)業(yè) 1.6k 0
LLW DRAM:AI智能手機(jī)時(shí)代的財(cái)富密碼
LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存,擁有寬I/O、低延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬,與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 標(biāo)簽:智能手機(jī)DRAM片上系統(tǒng) 1.3k 0
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