三星電子已在美國硅谷設立R&D實驗室，專精于研發下一代3D DRAM芯片。

此實驗室隸屬硅谷Device Solutions America（DSA）旗下，負責管理韓國科技巨頭在美的半導體產業，并助推新世代DRAM產品研發。憑借去年九月發布業界容量最大的32 Gb DDR5 DRAM芯片，運用12nm制程生產，預計產出容量高達1 TB的內存產品，為三星穩固DRAM技術的市場領先地位。

值得強調的是，Gb是DRAM存儲密度單位，非GB；常見的內存卡容量通常為8GB至32GB，而服務器級內存亦有128GB，均由不同數量DRAM構成。如美光官網所示，DDR5 SDRAM產品為16Gb和24Gb兩種規格，三星官網上線的則全數為16Gb規格，SK Hynix主營之品同樣為16Gb。

受早前全球首次市場化的3D垂直結構NAND（3D V-NAND）的成功案例啟發，三星電子致力于主導DRAM 3D垂直結構研發。去年十月，“內存技術日”活動期間，三星公布將在下次10納米或以下的DRAM中導入新型3D架構，而非沿用2D平面結構，以突破3D垂直結構在縮小芯片體積同時提升性能的難度，預期一片芯片的容量增至逾百G。

此外，據述，三星去年在日本VLSI研討會上分享了關于3D DRAM研究成果論文，并揭示了3D DRAM的實際半導體呈現效果圖。

分析師預測，未來數年間，隨著3D DRAM市場的高速增長，至2028年時該市場規模將大大超過千億美元。在此領域，包括三星在內的各大內存芯片制造商正展開激烈競爭，力求引領市場新潮流。