近日，三星電子在美建立尖端存儲研發機構，專攻全新3D DRAM領域，力圖保持其超強的科技競爭力。

據了解，該公司日前在美國加州硅谷成立的半導體美洲分部（DSA）已開始推行此項研發項目。該機構還計劃積極招募全球最優秀的專家加入團隊，攜手推動存儲產業的發展。

原有的DRAM采用2D結構，即大量元件密集排布在同一平面。然而，為了提升性能，儲存行業正致力于開發高密度的3D DRAM。這項技術包括水平堆積和垂直堆積兩種方式，均能有效地增加存儲空間。

憑借2013年全球首發的、領先業界的3D垂直結構NAND（3D V-NAND）的巨大成功為基礎，三星力求在DRAM 3D垂直結構研發中取得領導者地位。

在去年的“內存技術日”大會上，三星進一步宣布計劃在未來10納米甚至更精細制程的DRAM產品中應用全新的3D結構，取代傳統2D布局。此舉將助力解決3D垂直結構芯片面積受限問題，大幅提升性能表現，實現單件芯片存儲擴容至百GB級別。

此外，三星曾在日本舉辦的“VLSI研討會”上發布一篇關于3D DRAM研究成果的學術文章，并提供了實際半導體制造的3D DRAM詳盡演示圖片。