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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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?兆易創(chuàng)新擬5億增資用于推進(jìn)DRAM業(yè)務(wù)
近日,兆易創(chuàng)新發(fā)布公告稱(chēng),擬與睿力集成及其原股東長(zhǎng)鑫集成、石溪集電和合肥集鑫等簽署《關(guān)于睿力集成電路有限公司之增資協(xié)議》,對(duì)睿力集成增資5億元人民幣,本...
本篇主要針對(duì)Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口,從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹,最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆...
硬件中存在DDR4校準(zhǔn)后數(shù)據(jù)錯(cuò)誤
本篇博文中的分析是根據(jù)真實(shí)客戶(hù)問(wèn)題撰寫(xiě)的,該客戶(hù)發(fā)現(xiàn)硬件中存在 DDR4 校準(zhǔn)后數(shù)據(jù)錯(cuò)誤,此問(wèn)題顯示為與時(shí)序有關(guān),但時(shí)序報(bào)告中并未顯示任何違例,最初并未...
由于時(shí)鐘域交匯處理不當(dāng)所導(dǎo)致罕見(jiàn)的比特翻轉(zhuǎn)
本篇博文中的分析是根據(jù)真實(shí)客戶(hù)問(wèn)題撰寫(xiě)的,該客戶(hù)發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)罕見(jiàn)的比特翻轉(zhuǎn), 本篇博文旨在演示用于縮小根本原因范圍以及修復(fù)此問(wèn)題的部分調(diào)試技巧。 最終...
從原理上講,DD馬達(dá)是非常簡(jiǎn)單的,它將普通的旋轉(zhuǎn)電機(jī)沿其軸的平面方向展開(kāi),然后展開(kāi)成一面。由原來(lái)旋轉(zhuǎn)電機(jī)的定子轉(zhuǎn)換而成的一面(即電能饋人部分)稱(chēng)為初級(jí);...
如何修復(fù)硬件中存在DDR4校準(zhǔn)錯(cuò)誤
本篇博文中的分析是根據(jù)真實(shí)客戶(hù)問(wèn)題撰寫(xiě)的,該客戶(hù)發(fā)現(xiàn)硬件中存在 DDR4 校準(zhǔn)錯(cuò)誤,不同板以及不同構(gòu)建 (build) 之間出現(xiàn)的故障并不一致。 本篇博...
眾所周知, DDR電機(jī)是一種高精度、速比、高扭矩的直驅(qū)電機(jī)。電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子與健身運(yùn)動(dòng)介質(zhì)即時(shí)連接,正中間無(wú)銜接連接。DDR電機(jī)輸出扭矩大,又稱(chēng)力矩電機(jī)。因?yàn)?..
FPGA外設(shè)DDR2/DDR3硬件設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容
引言:本文我們介紹FPGA外設(shè)DDR2/DDR3硬件設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容,包括PCB板層數(shù)估計(jì),信號(hào)端接、信號(hào)完整性及時(shí)序考慮等問(wèn)題。 1.介紹 Artix-7...
DDR電源設(shè)計(jì),什么是拉電流什么是灌電流?
一、DDR電源 DDR的電源可以分為三類(lèi): 1.1 主電源VDD和VDDQ 主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO ?buffer供電的電源,...
2021-08-18 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)DDR拉電流 5.9k 0
高性能計(jì)算中,計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)三大部件不可或缺。長(zhǎng)久以來(lái),追求更高的算力一直是產(chǎn)業(yè)的主要?jiǎng)?chuàng)新方向。如今,多樣性算力打破了算力瓶頸,HPC、云計(jì)算、AI技...
魏少軍、劉雷波團(tuán)隊(duì)提出了DIMM間廣播技術(shù)
2021年6月14日~6月17日,第48屆國(guó)際計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)大會(huì)(ISCA)通過(guò)線上模式順利召開(kāi)。清華大學(xué)魏少軍、劉雷波教授團(tuán)隊(duì)作了題為“ABC-DIM...
DapuStor推出Haishen3 E1.S form factor 企業(yè)級(jí)SSD
近日,DapuStor推出Haishen3 E1.S form factor 企業(yè)級(jí)SSD。E1.S憑借小巧的外形、較低的產(chǎn)品成本、高適配靈活度、支持熱...
Versal ACAP:精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)進(jìn)程的最佳實(shí)踐
隨著AI、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等技術(shù)在各行各業(yè)廣泛應(yīng)用 相應(yīng)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)內(nèi)容也變得日益復(fù)雜 目前的應(yīng)用開(kāi)發(fā)速度已無(wú)法滿(mǎn)足企業(yè)的需求 如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)進(jìn)程,提高...
2021-05-31 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)RAM 2.6k 0
1. 為什么使用PCIe傳輸 在FPGA需要和處理器打交道時(shí),無(wú)論是X86,還是PowerPC,以及一些嵌入式的ARM等,對(duì)外的接口常見(jiàn)如下表。 而PC...
2021-05-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)DDR 2.0萬(wàn) 0
存儲(chǔ)器以及DDR5技術(shù)及完整的測(cè)試方案
· 寄語(yǔ) ·? 小伙伴們,我們又見(jiàn)面了,上一期?「IC手記 ? 點(diǎn)沙成金的半導(dǎo)體行業(yè)」給大家介紹了芯片簡(jiǎn)史和PA測(cè)試的內(nèi)容,這一期,我們繼續(xù)為大家?guī)?lái)數(shù)...
前言 上文中,我們介紹了DDR芯片的物理層及協(xié)議測(cè)試,本文我們繼續(xù)給大家揭秘如何利用是德科技的ADS仿真軟件輔助進(jìn)行DDR的電路仿真,驗(yàn)證和分析。 是德...
Phison會(huì)進(jìn)入RAM-based Storage這個(gè)市場(chǎng)嗎?
隨著PCIe Gen5, Gen6的普及,SSD的速度會(huì)越來(lái)越快。NAND Flash自身的速度也在增加,2年前一個(gè)Channel只能支持1.2GB/s...
關(guān)于DDR應(yīng)用的一般注意要點(diǎn)的詳細(xì)介紹
DDR應(yīng)用的一般注意要點(diǎn) 上周的文章我們介紹了應(yīng)用 DDR 時(shí)需要先從電源、時(shí)鐘兩個(gè)方面必須遵循的固定法則,以保證存儲(chǔ)的正常使用。本次文章,我們主要圍繞...
DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)
回顧2020年,在新基建的驅(qū)動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并...
2021-05-01 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DDR服務(wù)器 3.2k 0
關(guān)于DDR3和FPGA部分的20個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)范總結(jié)
DQ0-7 八根線必須連到同一T塊(也稱(chēng)為字節(jié)組)上,一旦分在一起,這個(gè)字節(jié)組就不能放地址線和控制線了,只能放數(shù)據(jù)線。 每組數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的DQS必須連到N...
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