隨著PCIe Gen5, Gen6的普及，SSD的速度會越來越快。NAND Flash自身的速度也在增加，2年前一個Channel只能支持1.2GB/s, 現(xiàn)在支持1.6GB/s, 而明年會支持2.4GB/s. ONFI規(guī)范已經(jīng)規(guī)劃4.8GB/s, 目前這個這個生態(tài)非常健康。

基于DDR的存儲，這個概念已經(jīng)提了20年，但是一直沒有真正落地。最大的阻礙來自成本，以及性能與其他方案的對比上。

如果只看性能，對于CPU來說最快的數(shù)據(jù)傳輸接口就是內(nèi)部的DDR總線，ATTO的方案是把存儲放在網(wǎng)絡(luò)接口后面，這樣會顯著增加單個命令的時延，而且成本也很高。從數(shù)據(jù)成本來看，DDR大約是5刀/GB, 而NAND只需要0.15刀/GB. 目前絕大多數(shù)應(yīng)用使用SSD即可滿足，假設(shè)1塊8TB SSD可以在1毫秒內(nèi)完成一個命令，那么24塊SSD就可以實現(xiàn)平均每41微秒完成一個命令。192TB數(shù)據(jù)容量，SSD方案費用是3萬刀，而DDR方案則超過98萬刀。

反過來說，如果我們的預(yù)算是3萬刀，那么基于SSD的方案我們可以獲得192TB的容量，而基于DDR的方案我們只能獲得6TB的容量。

最后，DDR是易失性存儲，更適合做高速緩存，或者投入額外成本另外考慮備份方案。基于DDR的存儲方案目前有市場，但是非常小。這個領(lǐng)域，Phison有技術(shù)儲備，但在市場認(rèn)可前不會進(jìn)入這個市場。

原文標(biāo)題：Phison眼里的存儲2 – 如何看待RAM-based Storage，是否會進(jìn)入這個市場？

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