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電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年春節期間，EPC宣布與瑞薩達成一項全面的技術授權協議。 ? 根據協議，瑞薩電子將取得 EPC 成熟的低壓 eGaN 技...
2026年GaN行業八大預測：市場規模暴增50%；襯底和封裝是投資熱點
電子發燒友網綜合報道 英飛凌近期發布白皮書《2026年GaN技術展望》，從市場走勢、產品創新到應用場景，全面剖析氮化鎵（GaN）功率半導體技術的未來潛力...
2026-03-01 標簽：GaN 4.4k 0
650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉換器評估板
云鎵半導體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應用1.MBDS器件介紹云鎵半導體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優異特性，已在5G通信基站、數據中心電源及消費電子快充等領域實現規模化應...
在文章"提升開關頻率（一） 芯導科技MOSFET工藝結構的發展與演進"中，我們介紹了芯導科技MOSFET產品針對高頻需求的工藝發展路線。
橢偏儀在半導體的應用|不同厚度m-AlN與GaN薄膜的結構與光學性質
Ⅲ族氮化物半導體是紫外至可見光發光器件的關鍵材料。傳統c面取向材料因極化電場導致量子限制斯塔克效應，降低發光效率。采用半極性（如m面）生長可有效抑制該效...
氮化鎵（GaN）vs 硅MOS vs SiC MOSFET性能全對比：300W快充應用選型避坑手冊
在消費電子快充領域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業設備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心...
2025-12-24 標簽：驅動ICGaNSiC MOSFET 971 0
太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。...
光伏發電（PV）是一種將陽光轉化為電能的技術，這個過程涉及使用太陽能電池來捕獲太陽能并將其轉化為可用的電力；然后，使用逆變器將太陽能電池產生的電力從直流...
超越防護：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導體封裝中扮演更關鍵角色？
隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗。傳統的離子防護理念亟待升級。本文將探討在此背景...
2026年2月，美鎵傳感在新一輪股權融資中獲得國新國證投資的領投，這是公司自合肥市產投資本和合肥高新投投資后的第二輪融資。 國新國證投資是中國國新、國新...
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）今年春節期間，EPC宣布與瑞薩達成一項全面的技術授權協議。 ? 根據協議，瑞薩電子將取得 EPC 成熟的低壓 eGaN 技...
2026年GaN行業八大預測：市場規模暴增50%；襯底和封裝是投資熱點
電子發燒友網綜合報道 英飛凌近期發布白皮書《2026年GaN技術展望》，從市場走勢、產品創新到應用場景，全面剖析氮化鎵（GaN）功率半導體技術的未來潛力...
2026-03-01 標簽：GaN 4.4k 0
喜報 | 東科半導體入選安徽省2025年度表現突出的創新型企業名單
2月24日，在安徽省委、省政府高規格召開的“新春第一會”——全省科技創新引領新質生產力發展大會暨省管干部學習貫徹黨的二十屆四中全會精神研討班開班式上，備...
白皮書下載｜使用PSOC? Control C3和CoolGaN?解決方案，打造可靠、節能、安全的家電設計
在家電應用中，可靠性、安全性和使用壽命至關重要。隨著開關頻率和功率密度不斷提升，短路、過電流以及電壓尖峰帶來的災難性故障的風險也隨之增加。為了避免MOS...
近日，“傳音千里 聲聲不息”傳音控股2025年度供應商頒獎典禮在深圳隆重舉行。作為長期戰略合作伙伴，芯導科技（股票代碼：688230.SH）憑借卓越的產...
聯想moto X70 Air Pro應用芯導科技40V雙向GaN產品
近日，聯想正式發布了旗下當前周期內規格最高的直板機型聯想 moto X70 Air Pro，堪稱一款“輕薄機身下的六邊形戰士”。這款產品選用芯導科技40...
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統硅基半導體的多項關鍵優勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業電源應用領域中的變革性技術。
高頻交直流探頭與光隔離探頭在SiC/GaN測試中的性能對比與應用選擇
本文對比分析了高頻交直流探頭與光隔離探頭在技術原理、性能參數及應用場景上的差異，為SiC/GaN器件測試提供選型參考。
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級集成于小型6×8mmQFN-32封裝...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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