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      博世SiC路線圖：堅守溝槽、全面轉(zhuǎn)向8英寸

      Hobby觀察 ? 來源：電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者：梁浩斌 ? 2026-04-03 07:01 ? 次閱讀
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      技術(shù)與此同時，博世也強調(diào)其路線圖并非線性迭代，而是采用并行多代開發(fā)模式，多條技術(shù)路徑同步推進，確保每一代產(chǎn)品在推向市場時已具備極高的技術(shù)成熟度和可靠性。溝槽架構(gòu)作為可擴展平臺，支撐第三代至第五代產(chǎn)品持續(xù)迭代，無需顛覆性重構(gòu)架構(gòu)，兼顧研發(fā)效率與量產(chǎn)穩(wěn)定性，是博世“多代并行研發(fā)”的基礎(chǔ)。
      路線也已經(jīng)明確。
      預(yù)計2026年送樣，2027年量產(chǎn)，核心亮點在溝槽下方引入專用的P型屏蔽區(qū)（p-type shielding region），這一設(shè)計有效控制了關(guān)態(tài)電場分布，保護柵極結(jié)構(gòu)免受高電場應(yīng)力，同時顯著提升了短路耐受時間。這使得第三代產(chǎn)品在性能與魯棒性之間實現(xiàn)了更佳的平衡。
      值得一提的是，博世第三代 SiC MOSFET將全面遷移至8英寸晶圓平臺，為低成本和大規(guī)模產(chǎn)能奠定基礎(chǔ)。
      溝槽架構(gòu)深度優(yōu)化，元胞間距從 3μm 縮至 2μm 以下，亞微米溝槽時代，實現(xiàn)極致結(jié)構(gòu)縮放第四代產(chǎn)品預(yù)計2029年進入市場，標志著博世SiC從“性能優(yōu)化”邁向“成本與規(guī)模化優(yōu)勢”階段：更小的芯片尺寸在相同功率下直接降低系統(tǒng)成本，推動SiC向更廣泛的電動車車型滲透。
      路線圖的另一關(guān)鍵支柱是晶圓尺寸升級。2024年啟動晶圓樣品交付，第二代產(chǎn)品率先轉(zhuǎn)產(chǎn) 200mm；第三代起全面基于平臺開發(fā)；第四代完全鎖定，形成大尺寸晶圓規(guī)模化制造能力。這不僅提升制造精度和均勻性，還為更復(fù)雜的超結(jié)等先進設(shè)計提供工業(yè)基礎(chǔ)，顯著降低單位成本并提升良率。
      博世半導(dǎo)體發(fā)布的SiC技術(shù)路線圖展現(xiàn)了一家百年汽車供應(yīng)商對電動化轉(zhuǎn)型的深刻理解與長期承諾。從第代的穩(wěn)健優(yōu)化，到第代的微縮突破，再到第代的超結(jié)革命，博世正在構(gòu)建一條清晰、可預(yù)測的技術(shù)演進路徑。
      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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