一文讀懂：白光干涉儀vs共聚焦顯微鏡的優(yōu)劣勢(shì)差異

在半導(dǎo)體、鋰電、光伏、航空航天等高端制造領(lǐng)域，高精度光學(xué)測(cè)量技術(shù)是把控產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)化生產(chǎn)工藝的核心支撐，直接關(guān)系到產(chǎn)業(yè)升級(jí)與技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)程。白光干涉儀與共...

2025-09-11 標(biāo)簽：測(cè)量顯微鏡干涉儀 792 0

案例分享 | 基于Sagnac-ppln的寬光譜偏振糾纏光子源

在之前的文章《案例分享|聚焦PPLN:1.48GHz通信波段糾纏光子源的技術(shù)創(chuàng)新與商業(yè)價(jià)值》，我們分享了英國(guó)Covesion公司展示的基于MgO:PPL...

2025-08-12 標(biāo)簽：量子干涉儀通信波段 787 0

白光掃描干涉法在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝混合鍵合表面測(cè)量中的應(yīng)用研究

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷縮小，三維（3D）封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。銅-介質(zhì)混合鍵合（HybridBonding）通過直接連接銅互連與介電...

2025-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測(cè)量干涉儀 1k 0

PPLN應(yīng)用于惡劣環(huán)境中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換

在我們上一篇文章中《應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應(yīng)用》，我們分享了昊量光電提供的英國(guó)CovesionMgO：PPLN波導(dǎo)組件...

2025-06-11 標(biāo)簽：干涉儀PPLN 814 0

優(yōu)可測(cè)白光干涉儀AM系列：量化管控納米級(jí)粗糙度，位移傳感器關(guān)鍵零件壽命提升50%

位移傳感器模組的編碼盤，其粗糙度及碼道的刻蝕深度和寬度，會(huì)對(duì)性能帶來關(guān)鍵性影響。優(yōu)可測(cè)白光干涉儀精確測(cè)量表面粗糙度以及刻蝕形貌尺寸，精度最高可達(dá)亞納米級(jí)...

2025-05-21 標(biāo)簽：傳感器編碼器干涉儀 952 0

應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應(yīng)用

基于MgO:PPLN波導(dǎo)的1560nm至780nm高效倍頻技術(shù)，冷原子干涉技術(shù)通過銣原子冷卻與物質(zhì)波干涉，實(shí)現(xiàn)了對(duì)于重力加速度的精密測(cè)量。憑借由昊量光電...

2025-05-21 標(biāo)簽：測(cè)量干涉儀PPLN 963 0

光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測(cè)量法

簡(jiǎn)單介紹光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測(cè)量法。 現(xiàn)在一般光纖端面3D干涉儀操作界面上，都有白光和單色光(比如紅光或其他顏色)的兩個(gè)選項(xiàng)。 ? 白光干...

2024-12-18 標(biāo)簽：3D測(cè)量干涉儀 1.9k 0

基于干涉儀原理的光學(xué)相干層析成像技術(shù)

光學(xué)相干層析技術(shù)它利用弱相干光干涉儀的基本原理，檢測(cè)生物組織不同深度層面對(duì)入射弱相干光的背向反射或幾次散射信號(hào)，通過掃描，可得到生物組織二維或三維結(jié)構(gòu)圖像。

2024-01-22 標(biāo)簽：圖像處理發(fā)光二極管核磁共振 2.1k 0

光波干涉的原理是什么？光波干涉的應(yīng)用有哪些？

介紹了光波干涉的原理是什么，以及該原理可以應(yīng)用于什么領(lǐng)域。

2024-01-07 標(biāo)簽：光波干涉儀光學(xué)元件 4.1k 0

光學(xué)表面粗糙度，這些知識(shí)你都了解嗎？

微缺陷是可以在光學(xué)光滑表面上發(fā)現(xiàn)的凹坑和劃痕。它們通常使用光學(xué)輪廓儀、顯微鏡或顯微圖像比較儀進(jìn)行量化。ISO 10110-8表示，“微缺陷的數(shù)量N被認(rèn)為...

2023-09-19 標(biāo)簽：紅外光譜干涉儀激光系統(tǒng) 1.5萬 0

PLC平面光波導(dǎo)的圖形凹槽深度測(cè)量-3D白光干涉儀應(yīng)用

1、 引言 PLC（平面光波導(dǎo)）作為集成光學(xué)領(lǐng)域的核心器件，其內(nèi)部圖形凹槽的深度是決定光傳輸路徑、模式耦合效率及信號(hào)傳輸損耗的關(guān)鍵參數(shù)。在PLC制備過程...

2026-02-02 標(biāo)簽：plc干涉儀 275 0

太陽能電池片柵線的高寬比測(cè)量-3D白光干涉儀應(yīng)用

1 、引言 柵線作為太陽能電池片收集與傳輸光生載流子的核心結(jié)構(gòu)，其高寬比（高度與寬度的比值）直接決定電池的串聯(lián)電阻、光學(xué)遮蔽損失及光電轉(zhuǎn)換效率。高寬比不...

2026-01-28 標(biāo)簽：太陽能干涉儀電池片 92 0

以設(shè)計(jì)鑄品質(zhì)！優(yōu)可測(cè)白光干涉儀AM-8000榮膺2025德國(guó)紅點(diǎn)獎(jiǎng)

優(yōu)可測(cè)白光干涉儀AM-8000打破了傳統(tǒng)精密儀器“輕設(shè)計(jì)” 的固有認(rèn)知，憑借技術(shù)沉淀與創(chuàng)新設(shè)計(jì)，斬獲2025德國(guó)紅點(diǎn)獎(jiǎng)！

2025-11-21 標(biāo)簽：干涉儀白光干涉儀紅點(diǎn)獎(jiǎng) 2.2k 0

電壓放大器：相位調(diào)制零差干涉儀性能評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

實(shí)驗(yàn)名稱： 相位調(diào)制零差干涉儀性能評(píng)價(jià)及實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?測(cè)試相位調(diào)制零差干涉儀在測(cè)量鏡靜止時(shí)，由環(huán)境參數(shù)變化引起測(cè)量干涉儀與參考干涉儀之間干涉信號(hào)的相...

2025-09-22 標(biāo)簽：電壓放大器干涉儀 472 0

1um 以下的光刻深度，凹槽深度和寬度測(cè)量

一、引言 在半導(dǎo)體制造、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等高新技術(shù)領(lǐng)域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和寬度的精確測(cè)量至關(guān)重要。這類微小尺寸的測(cè)量精度直接影響產(chǎn)品...

2025-08-11 標(biāo)簽：光刻干涉儀白光干涉 721 0

通縮壓力下的 “逆行者”：新啟航如何用國(guó)產(chǎn) 3D 白光干涉儀破解半導(dǎo)體行業(yè)降本困局？

一、引言 全球半導(dǎo)體行業(yè)正面臨通縮壓力，市場(chǎng)需求增速放緩與制造成本上升的雙重?cái)D壓，使降本增效成為企業(yè)生存的核心命題。3D 白光干涉儀作為半導(dǎo)體晶圓、精密...

2025-07-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體干涉儀 647 0

?武漢昊衡科技OLI系列白光干涉儀——賦能CPO時(shí)代光互聯(lián)高可靠檢測(cè)?

在高速光通信向CPO（共封裝光學(xué)）技術(shù)躍遷的進(jìn)程中，光模塊與器件內(nèi)部光纖鏈路的微米級(jí)缺陷已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心痛點(diǎn)。傳統(tǒng)檢測(cè)手段受限于靈敏度不足、效...

2025-07-04 標(biāo)簽：檢測(cè)干涉儀昊衡科技 1.7k 0

硅片的 TTV，Bow, Warp,TIR 等參數(shù)定義

引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，硅片作為核心基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量參數(shù)對(duì)芯片性能和生產(chǎn)良率有著重要影響。TTV、Bow、Warp、TIR 等參數(shù)是衡量硅片質(zhì)量與特性的...

2025-07-01 標(biāo)簽：硅片干涉儀 4.2k 0

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...

2025-06-30 標(biāo)簽：光刻干涉儀 962 0

針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹...

2025-06-25 標(biāo)簽：晶圓干涉儀 1k 0