大功率場景的優質選擇。
核心參數
功率：單節鋰電 15W（5V/3A），雙節鋰電 30W（12V/2.5A）。
輸入輸出：輸入 2.7-12V，輸出最高 13V 且可調。
關鍵特性：內置低阻
2025-12-31 15:06:39
3.0、DP&DM等主流快充協議，最大支持30W充電功率，電壓范圍5V~20V。兼容三元鋰電池（4.20V）和磷酸鐵鋰電池（3.65V）。內置同步升降壓轉換器，自動調
2025-12-31 09:56:59
產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
735 
在車載USB-C快充模塊中，若需滿足 30W高功率、低發熱、車規級安全認證 三大核心需求，電容選型需從 耐壓能力、ESR（等效串聯電阻）、溫度適應性、認證標準 四個維度綜合考量。以下是具體分析： 一
2025-12-17 14:50:12145 超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產品升級，更是為高密度、高性能應用量身打造的動力解決方案，重新定義15W級電源的尺寸、效率與可靠性標準。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發燒友網站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-24 16:47:18
1 有限公司深諳此道，其推出的30W超小型系列模塊電源，正是為滿足這一核心需求而打造的標桿產品。該系列產品不僅具備全球通用電壓輸入、高轉換效率、低溫升等優勢，更率先采用
2025-11-24 11:07:522005 中的性能差異源于材料物理特性，具體優劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其內部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內的消費群體對高性
2025-11-13 10:27:082783 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系
2025-11-03 18:18:052815 
在快充技術飛速發展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術的出現，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
PD3.0 和 DP&DM 輸入快充協議和同步升降壓轉換器的鋰電池充電管理芯片，充電功率高達 30W；IP2363 支持 2/3/4/5&n
2025-10-11 17:28:42
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
英集芯IP5385是一款應用于充電寶、移動電源、手機、電動工具等充電方案的30W到100W雙向充放電的移動電源管理SOC芯片。集成快充協議控制器（支持UFCS等主流協議）、同步升降壓控制器、MCU、電量計量及LED/數碼管顯示驅動。支持30W-100W雙向充放電。
2025-09-01 10:51:49944 
（15W）水平，若應用需超過15W，需要通過增加一節電池或選用驅動力更強的升壓芯片來解決。下文將介紹的兩款芯片均支持30W輸出：FP5207X和FP7208。實測
2025-08-29 15:00:02697 
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優化電源芯片的引腳在布局布線時，應當避免與其他信號線路平行敷設，以降低電磁干擾。根據芯片引腳功能和信號流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507132 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
市場對更小、更輕、更高效的交流/直流 USB 供電 (PD) 充電器的需求一直是電源設計工程師面臨的挑戰。在 100W 以下，準諧振反激結構仍然是主要的拓撲結構，氮化鎵 (GaN) 技術可以進一步提高功率密度和效率。
2025-08-20 11:17:562813 
近日，應充電頭網邀請，在行業目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術展開深度分享，為行業發展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發表了他對氮化鎵材料發展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 NTP8835是一款高集成、高保真雙通道內置DSP數字功放；供電電壓范圍在7V～28V；提供2CH?(30W x 2 BTL@24V, 6Ω)以及2.1CH?(10W x 2 + 30W @24V, 6Ω)輸出配置. 集成了多種音效算法，采用QFN40封裝。
2025-08-12 09:45:22906 
設計大電流，高開關頻率同步降壓電路時，要想設計一個穩定可靠的系統，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設計同步整流電路時建議參考下圖的內容。圖為PCB布局設計參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
2025-08-06 11:39:343561 
氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關模式電源應用。LMG3624將氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 和柵極驅動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
深圳市永阜康科技有限公司現在大力推廣國內首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時，驅動到4Ω可以在10%THD+N內輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102858 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
CS86706適用1~3節鋰電應用，內置升壓模塊，2×30W立體聲&50W單聲道R類音頻功率放大器
2025-07-16 20:42:44452 
支持PD3.0等多種快充輸入協議、支持2~5節 串聯鋰電池充電管理芯片功率30W升降壓 驅動電源管理芯片-IP2363
2025-07-12 11:13:56
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設計，否則就要重新設計PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設備充電需求，還可以兼容傳統USB-A設備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CGH27030F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它專為高效率而設計，提供高增益和寬帶能力。這款晶體管適用于VHF通訊、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX
2025-06-17 15:44:36
同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
捷捷微電核心技術再獲行業認可！近日，小米30W立式無線充電器（型號MDY-17-EM）正式搭載捷捷微電JMSL1040AGD雙NMOS功率器件，以卓越性能為無線充電效率保駕護航。作為線圈切換的核心
2025-06-11 14:19:52998 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯寶科技有求必應，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態。深圳銀聯寶氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。
2025-05-21 11:55:37755 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電
2025-05-19 17:29:50736 
谷底鎖定模式是一種應用于開關電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關鍵技術，其核心在于通過精確控制開關管的導通時機以降低損耗和提升系統穩定性。在深圳銀聯寶科技最新推出的20W氮化鎵電源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
英集芯IP2363是一款廣泛應用于儲能電源、電動工具、便攜音箱、應急電源的30W大功率多節鋰電池充電管理SOC芯片。支持2至5節鋰電池串聯充電，內置同步升降壓轉換，兼容PD3.0和DP&DM快充協議，充電功率高達30W。兼容三元鋰電池和磷酸鐵鋰電池。
2025-05-13 11:05:011165 
芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳銀聯寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 英集芯IP5385是一款適用于移動電源，充電寶，便攜式儲能設備等方案的支持30W到100W大功率雙向快充的移動電源SOC芯片。集成快充協議控制器、同步升降壓控制器、MCU、路徑管理、電量計量及LED/數碼管顯示驅動，大幅簡化外圍電路設計，降低BOM成本。
2025-04-29 10:44:35824 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 發燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達 30W/mm，是硅的150倍，開關頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%。” 西安電子科技大學廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當前，GaN作為一種性能優異的寬禁帶半導體材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦
2025-04-03 16:20:08932 防止過熱。這種功能可以與OTP協同工作，提供雙重保護。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
LoRaP30Pro 30W大功率串口數傳組網電臺規格書免費下載
2025-04-01 17:35:083 深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供應330W氮化鎵方案CE65H110DNDI，原裝現貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
1500VDC的寬幅電壓輸入設計，輸出功率高達30W，且效率卓越，可達89%。DH30W10系列轉換器具備調節輸出的功能，同時內置了多重保護電路，確保了其在高壓電源轉換場景中的穩定與安全。其出色的高壓
2025-03-31 09:23:24
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅動電流分檔功能，通過調節驅動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優化系統的整體性能和待機功耗。具體來了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
UM2062-100M 是一款 100W 應用頻率在 2.0～6.2GHz 的，基于全國產化及工藝的氮化鎵射頻功 率放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續波信號，主要用于收發
2025-03-27 10:00:11
深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 單節鋰電池15W （5V/3A）和雙節鋰電池30W（12V/2.5A）雙模式輸出，實現手持設備到工業級散熱場景全覆蓋。內置過流保護、軟啟動及0.1μA待機功耗特性，有效延長續航并應對電機沖擊，為消費
2025-03-20 14:18:052122 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 UG5060-30 是一款應用頻率在 5-6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管，具有高效率、高增益的特 性。這款放大管提供帶法蘭的封裝形式，工作在 48V 供電模式.典型射頻特性：? 最大飽和功率
2025-02-25 16:01:39
U2G5060-140P2 是一款 140W 應用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時覆蓋 5-6GHz 應用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
U2G4460-30F2 是一款 30W 應用頻率高達 4.4~6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管具 有高效率、高增益的特性。這款放大管提供帶法蘭的封裝形式，工作在 28V 供電模式.在
2025-02-25 15:47:06
此參考設計是基于氮化鎵 （GaN） 的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ） 和輸出 （5V 至 28V） 電壓。它專為 USB PD3.1 的適配器設計和電動工具的充電器等應用而設計。
2025-02-24 15:33:20876 
，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節省了設計空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 UM0762-80M 是一款 80W 應用頻率在 0.7～6.2GHz 的，基于全國產化及工藝的氮化鎵射頻功率 放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續波信號，主要用于收發組 件
2025-02-19 18:28:53
UM0660-25M 是一款 25W 應用頻率在 0.6～6.0GHz 的，基于全國產化及工藝的氮化鎵射頻功率 放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續波信號，主要用于收發組 件
2025-02-19 18:25:49
UM2060-30 是一款 30W 應用頻率 2～6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管芯片。這款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收發組件，無線電通信等，工作在 28V 供電模式。關鍵
2025-02-19 18:20:06
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
AC6951C功放30W彩燈電路
2025-02-18 15:33:054 過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充電頭網拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產品基于華源智信氮化鎵方案設計，因此整體做到相當小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
英集芯IP5385是一款專為移動電源，充電寶，戶外應急電源、平板電腦、手機、手持電動工具等便攜式設備設計的30W到100W大功率快充電源管理SOC芯片。
2025-02-13 10:21:191282 
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021106 深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420 
在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09899 高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片-DK065G一、產品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK065G檢測功率管漏極和源
2025-01-10 17:02:44
V-GaN 系列INN040W048A氮化鎵芯片，耐壓40V，導通電阻4.8mΩ，支持雙向導通。具備無體二極管、低導通阻抗等特性，僅用1顆就能代替兩顆硅MOSFET。同時采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封裝，為終端產品節省系統空間的同時，有效降低了系統能耗。
2025-01-08 15:05:03
高性能AC-DC 75W氮化鎵電源管理芯片-DK075G一、產品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率電源管理芯片。DK075G檢測
2025-01-08 10:48:52
東科半導體高性能AC-DC 45W氮化鎵電源管理芯片-DK045G 一、產品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片
2025-01-08 10:46:14
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