一、引言
在半導體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應力會導致晶圓變形,進一步惡化 TTV 均勻性。淺切多道工藝作為一種先進的晶圓切割技術(shù),在控制 TTV 均勻性與釋放應力方面展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢,深入研究其相關(guān)技術(shù)對提升晶圓加工質(zhì)量意義重大。
二、淺切多道工藝對 TTV 均勻性的控制機制
2.1 精準材料去除
淺切多道工藝通過分層切削,每次切削深度較小,可更精準地控制晶圓表面材料的去除量。相較于傳統(tǒng)單次大深度切割,該工藝能有效避免因局部材料去除過多或過少導致的厚度偏差,逐步修正晶圓表面輪廓,實現(xiàn) TTV 均勻性的有效控制 。
2.2 降低切削力波動
由于單次切削深度淺,刀具與晶圓接觸時產(chǎn)生的切削力較小且波動幅度低。穩(wěn)定的切削力減少了晶圓在切割過程中的振動和變形,使切割過程更平穩(wěn),有助于維持晶圓厚度的一致性,從而提升 TTV 均勻性 。
三、淺切多道工藝下的應力釋放機制
3.1 分散應力產(chǎn)生
淺切多道工藝將整體切削力分散到多次切割中,降低了單次切削產(chǎn)生的應力。每次切割產(chǎn)生的應力較小,不易引發(fā)應力集中現(xiàn)象,避免了因應力過大導致的晶圓變形和損傷,從源頭上減少了應力對 TTV 均勻性的影響 。
3.2 分步應力釋放
在多道切割過程中,后序切割可對前序切割產(chǎn)生的應力進行一定程度的釋放和調(diào)整。隨著切割的推進,晶圓內(nèi)部應力逐步得到釋放,使晶圓內(nèi)部應力分布更加均勻,有效降低了因應力積累導致的變形風險,保障 TTV 均勻性 。
四、TTV 均勻性控制與應力釋放技術(shù)策略
4.1 工藝參數(shù)優(yōu)化
通過實驗和仿真,確定最佳的切削深度、切割道次、進給速度等工藝參數(shù)組合。合理的參數(shù)設(shè)置既能保證切割效率,又能最大程度地控制 TTV 均勻性和釋放應力 。例如,在保證加工效率的前提下,適當減小切削深度、增加切割道次,可進一步分散應力,提升 TTV 均勻性。
4.2 輔助應力釋放技術(shù)
結(jié)合熱處理、激光沖擊等輔助技術(shù),進一步釋放晶圓內(nèi)部應力。在淺切多道切割后,對晶圓進行低溫退火處理,可消除切割過程中產(chǎn)生的殘余應力;利用激光沖擊技術(shù)在晶圓表面產(chǎn)生塑性變形,也能有效釋放應力,從而提高 TTV 均勻性 。
4.3 實時監(jiān)測與反饋控制
在切割過程中引入在線監(jiān)測系統(tǒng),實時監(jiān)測晶圓的 TTV 和應力狀態(tài)。根據(jù)監(jiān)測數(shù)據(jù),及時調(diào)整切割工藝參數(shù)或啟動輔助應力釋放措施,實現(xiàn)對 TTV 均勻性和應力的動態(tài)控制 。
高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術(shù),精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?
對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?
點掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?
通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5435瀏覽量
132568 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3519瀏覽量
52584
發(fā)布評論請先 登錄
切割深度動態(tài)補償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應力釋放技術(shù)
評論