1. 經化學表面處理后的水痕缺陷

根據水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對于用光學顯微鏡觀察到產生水痕缺陷的晶圓，選用熱磷酸重新進行表面化學處理五分鐘（REWORK）， 對處理前后的樣品用 KLA-tencor surfscan SP1 TB1 型表面缺陷掃描儀進行觀察并進行缺陷數量統計，結果如下圖所示。

根據處理前后的樣品用表面缺陷掃描儀顯微鏡進行觀察到的缺陷數量進行統計，其結果表明： 對于產生水痕缺陷的晶圓用熱磷酸重新進行表面化學處理五分鐘（REWORK）， 可以有效去除大部分水痕缺陷。

2. 怎樣通過重新化學表面處理改善水痕缺陷

對在金屬鎢硅化物沉積前的清洗產生的水痕缺陷， 進行對于產生水痕缺陷的晶圓采用熱磷酸重新進行表面化學處理五分鐘（REWORK）， 并對處理前后的樣品用掃描顯微鏡進行觀察結果可以看出： 水痕缺陷數目明顯減少， 可以有效改善缺陷。因此我們可以看出， 對于在不同工藝步驟產生的水痕缺陷， 選用適當的化學品，此化學藥液應具備兩個條件：

1) 從水痕缺陷的成份為二氧化硅可知， 這類化學品對二氧化硅應有一定的蝕刻率， 能有效洗去主要成分為二氧化硅的水痕缺陷。

2) 這類化學品應對二氧化硅有較高的蝕刻選擇比， 也就是說， 它對晶圓表面的其它結構不會有損傷， 這樣才能在不破壞芯片本身結構的前提下， 可以有效減少甚至消除水痕缺陷。

　　審核編輯：湯梓紅