1. 目的和應用

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險，建議用戶使用在執行工藝之前，請仔細閱讀材料安全數據表。

BOE / HF的三個主要用途是:

1)去除硅表面懸浮微結構的犧牲氧化層晶片。

2)去除圖案硅片上多余的二氧化硅。

3)去除硅片上的原生寄生二氧化硅

4) 40%的HF用于快速去除氧化物。

5) BOE對氧化物的去除速度較慢，但可以延長光刻膠掩模的壽命。 腐蝕速率通常為30 - 80 nm/min。

6)稀釋HF蝕刻——比如5% HF——用于在大約30秒內去除天然氧化物。

BOE過程基于絡合反應:

SiO2 + 6 HF à H2SiF6 + 2h2o其中H2SiF6溶于水。該反應是在稀HF溶液中進行的，用NH4F緩沖，以避免耗盡氟離子。 也有報道說，這也減少了光抗蝕劑的攻擊氫氟酸。熱生長的SiO2和沉積的SiO2都可以在緩沖氫氟酸中蝕刻或直接蝕刻氫氟酸。 然而，沉積薄膜的蝕刻過程要比薄膜的蝕刻快得多熱氧化。

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　　審核編輯：湯梓紅