RF430FRL15xH是一款工作在13.56 - MHz的應答器芯片,集成了可編程的16位MSP430?低功耗微控制器。它具有嵌入式通用FRAM非易失性存儲器,可用于
2026-01-05 15:05:16
38 FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應用解析 在電子設計領域,找到一款性能卓越、功能豐富且穩定可靠的非易失性存儲器至關重要。今天,我們就來深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09
367 探索FM24V05:高性能I2C F - RAM的卓越之選 在電子設備設計中,存儲器的選擇至關重要,它直接關系到系統的性能、可靠性和使用壽命。今天,我們將深入探討一款出色的串行存儲器
2025-12-31 16:40:23
730 探索FM25L16B:高性能16-Kbit串行F-RAM的魅力 在電子設計領域,尋找一款高性能、可靠且耐用的非易失性存儲器是許多工程師的追求。今天,我將帶大家深入了解一款令人矚目的產品
2025-12-23 15:55:09
139 域主要用于存放應用程序代碼和用戶數據,用戶可編程。
2、啟動程序存儲器,共 2.5KB,地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區域主要用于存儲 BootLoader 啟動程序,在芯片出廠時已編程,用戶不可更改。
2025-12-23 08:28:04
全球存儲器缺貨、價格飆漲的風口下,力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產能余量的工廠快速落地存儲器產能,雙方已敲定三種合作方向,只待力積電最終確認。
2025-12-22 11:43:22
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在存儲技術快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機存取存儲器)以其獨特的性能,逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來存儲數據,兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04
242 如何利用CW32L083系列微控制器的內部Flash存儲器進行程序升級和數據存儲?
2025-12-15 07:39:51
CW32F030 內核為 32 位的 ARM? Cortex?-M0+ 微處理器,最大尋址空間為 4GB。芯片內置的程序存儲器、數據存儲器、各外設及端口寄存器被統一編址在同一個 4GB 的線性
2025-12-11 07:03:49
探索VITA 78 SpaceVPX連接器:太空電子系統的理想之選 在電子工程師的設計工作中,為特定的應用場景選擇合適的連接器至關重要。特別是在太空電子系統領域,對連接器的性能和可靠性有著極高的要求
2025-12-10 11:30:10
425 在計算機和電子設備中,存儲器扮演著數據臨時存放與快速交換的關鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數據速率同步動態隨機存取存儲器)已成為現代內存的主流技術之一。它不僅在速度上顯著超越前代產品,更憑借其高效傳輸機制,廣泛應用于電腦、服務器、移動設備及各類嵌入式系統中。
2025-12-08 15:20:44
293 概述CW32L052內部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲應用程序和用戶數據。
芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護和讀保護。
芯片內置 FLASH 編程
2025-12-05 08:22:19
CW32的22 字節 OTP 存儲器一般都怎么使用?
2025-12-02 06:39:44
在嵌入式系統與智能設備中,小容量、可重復擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標準化的接口、穩定的性能與極低的功耗,成為存儲配置參數、用戶設置、運行日志等
2025-11-28 18:32:58
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在各類存儲設備中,SRAM(靜態隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中,雙口SRAM靜態隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計,在高帶寬和多任務場景中表現尤為出色,成為提升系統效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
275 在存儲技術快速演進的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器)的新型非易失存儲器,正逐步走入產業視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性,更通過“自旋電流”技術實現了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術的代表。
2025-11-20 14:04:35
248 在嵌入式存儲應用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表,Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41
146 在需要高速數據讀寫與高可靠性的現代電子系統中,傳統存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片,以其獨特的磁阻存儲技術,為工業控制、汽車
2025-11-13 11:23:46
210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。
●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區
2025-11-12 07:34:35
半導體、電氣設備、成型機等制造生產線上溫度調節器(溫控器)至關重要,它通過精密的溫度控制提高產品的合格率、可靠性和生產效率。在溫度調節器(溫控器)中FeRAM(鐵電體存儲器)的優異特性也得以發揮。
2025-11-11 09:23:06
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在要求高性能與高可靠性的電子系統中,存儲器的選擇往往成為設計成敗的關鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現與獨有的錯誤校正(ECC)能力,為工業控制、通信設備及高精度計算等應用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片,基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建,這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統SRAM
2025-11-05 15:31:48
285 在當今對數據持久性與系統可靠性要求極高的企業基礎設施和數據中心中,Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨特的技術優勢,成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28
280 在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達35
2025-10-24 16:36:03
532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數據,同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一,是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 作為磁阻存儲器領域的重要分支,SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計,正成為高性能MRAM研發的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層,通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉,從而實現高效、可控的數據寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24
338 QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設備;而PSRAM(偽靜態隨機存儲器)則結合了快速隨機訪問與動態存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17
379 PSRAM之所以被稱為"偽靜態"存儲器,主要是因為其采用類SRAM的接口協議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實現數據存取,無需像傳統DRAM一樣需要內存控制器定期刷新數據單元。
2025-10-23 14:29:00
296 本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器,具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現SRAM讀寫測試,包括設計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:38
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一次性可編程(OTP)非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術相比,OTP的占用面積更小,且無需額外的制造工序,因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內容的熱門選擇。盡管聽起來簡單,但隨著人工智能(AI)的大規模部署和對更先進技術的需求日益增長,平衡OTP的各項需求變得極具挑戰性。
2025-10-21 10:38:11
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Texas Instruments TPS53689降壓多相控制器符合VR14 SVID標準,具有兩個通道、內置非易失性存儲器 (NVM) 和PMBus?接口。該器件完全兼容TI NexFET?電源級。
2025-09-26 10:27:05
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安徽京準:探索NTP網絡授時服務器在智慧城市中的應用
2025-09-17 15:47:06
520 在科技迅猛發展的當下,數據已然成為驅動各行業進步的核心要素。從日常生活中的智能手機、電腦,到工業生產里的自動化設備,再到前沿的人工智能與大數據處理系統,海量數據的存儲與高效管理需求與日俱增。存儲器
2025-09-09 17:31:55
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NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術,主要用于數據存儲。與傳統的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數據。它通過電荷的存儲與釋放來實現數據的存儲。
2025-09-08 09:51:20
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一次只能啟用一個驅動器。
LED 驅動器輸出電流設置可以存儲到集成的非易失性存儲器中,允許獨立運行,無需 I^2^C 接口。非易失性存儲器是可重寫的,因此可以根據需要更改當前設置。
2025-09-01 11:31:57
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Keysight MSOS204A是德MSOS204A存儲器示波器2GHz keysight是德MSOS204A存儲器示波器, S 系列示波器配備 2 GHz 存儲器、15 英寸 XGA
2025-08-12 15:48:29
隨著全球二氧化碳減排的推進,可再生能源,尤其是太陽能發電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調節器可將太陽能板產生的電壓轉換成正確的電流及電壓波形并入電網。由于需要連接到電網基礎設施,因此對可靠性、易維護性和使用壽命有所要求,FeRAM(鐵電體存儲器)的優異特性得以發揮。
2025-08-08 14:41:06
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HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM(動態隨機存取存儲器)。其核心設計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
2025-07-18 14:30:12
2949 存儲器在半導體技術探討中一直是備受關注的焦點。這些器件不僅推動了下一代半導體工藝的發展,還實現了廣泛的應用。然而,快速發展和多樣化的特性可能對長生命周期應用構成挑戰。
2025-07-17 15:18:14
1464 伴隨空天信息產業的高速發展,太空計算正成為戰略新興技術高地。在此背景下,近日,中科曙光與中科星圖在合肥“2025空天信息大會”上,簽署了《太空計算領域的合作開發框架協議》。按協議,雙方將圍繞技術研發、太空算網建設等課題,共同推動“太空計算”技術創新與應用落地。
2025-07-11 10:56:38
1023 、 存儲單元結構 和 高壓電子學 。以下是詳細解析: 一、 物理基礎:非易失性存儲器(NVM) 芯片程序存儲在 Flash存儲器 (可重復擦寫)或 OTP存儲器 (一次性可編程)中: Flash
2025-06-24 11:16:51
7436 )、SRAM (靜態隨機存取存儲器)。
非易失性存儲器:斷電后數據能長期保存。
特點:速度相對慢(但也有高速類型),用作數據的“永久或半永久倉庫”。
代表:NAND Flash (閃存)、NOR
2025-06-24 09:09:39
CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運行及μA級休眠功耗三重突破,成為高清語音設備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23
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單片機實例項目:AT24C02EEPROM存儲器,推薦下載!
2025-06-03 20:50:02
近日,深圳市存儲器行業協會秘書長劉琳走訪SGS深圳分公司,深入參觀了SGS微電子實驗室,并與SGS技術專家展開深度交流,分享了行業發展的最新動態與趨勢,雙方共同探討了在存儲產業快速發展的背景下,SGS與協會如何攜手共進,推動行業高質量發展。
2025-05-29 17:25:46
817 ? ? ? ?MCU的存儲器層次結構通過整合不同性能與功能的存儲單元,優化系統效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內核中,直接參與運算
2025-05-09 10:21:09
618 在半導體存儲器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據測試序列長度與存儲單元數N的關系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:37
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CYPD3177-24LQXQT 是否實現內部存儲器?(例如 內存)?
BCR 數據表中似乎沒有提及這一點。
2025-05-07 07:23:10
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器(保存FSBL和app),因為eMMC不支持內存映射,那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里?還有
2025-04-28 08:02:23
STM32N6 使用SDMMC1-eMMC作為外部存儲器(保存FSBL和app),因為eMMC不支持內存映射,那么使用STM32CubeProgrammer下載bin文件時地址選擇哪里?還有
2025-04-22 11:31:33
UV-EPROM的結構與使用方法,閃速存儲器的結構與使用方法,EEPROM的結構與使用方法, SRAM的結構與使用方法, 特殊的SRAM的結構與使用方法 ,DRAM的結構與使用方法,
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲器映射 前文所述,寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內部的一種存儲設備。那么,當我們需要訪問它們的時候,我們需要知道它們的存儲地址。 3.3.1 存儲器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:09
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非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應用于各種設備中,從智能手機、個人電腦到服務器和工業控制系統,都是不可或缺的關鍵組件,它們不僅提高了數據的安全性和可靠性,還極大地增強了系統的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 單片機與存儲器的關系像什么?單片機里的存儲都是一樣的嗎?為什么有的單片機既有EEPROM又有Flash?
2025-04-10 10:06:01
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人工智能與高性能計算(HPC)正以空前的速度發展,將動態隨機存取存儲器(DRAM)和NAND閃存等傳統存儲技術發揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求,業界正在探索超越傳統存儲技術的新興存儲技術。
2025-04-03 09:40:41
1709 非易失性存儲器(NVM)和 96KB RAM-全面的外設集合,包括在系統關閉 (System OFF)模式下可用全新的全局實時時鐘(Global RTC)、14位模數轉換器(ADC)和高速串行接口-安全啟動
2025-03-25 11:26:48
加賀富儀艾電子旗下代理品牌RAMXEED有限公司的ReRAM在與傳統EEPROM相比,芯片尺寸相當的情況下實現了2到6倍的存儲容量。在對芯片尺寸要求嚴格且同時需要高功能的助聽器領域,RAMXEED的ReRAM被廣泛應用于全球。
2025-03-18 14:19:00
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、三態 DATA 驅動器(用于接口)、地址鎖存器和微處理器兼容控制邏輯組成。 特征8 位分辨率片上 8×8 雙端口存儲器在整個溫度范圍內無漏碼直接連接到
2025-03-17 10:39:29
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計算中應用
2025-03-13 09:46:30
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優化的架構設計和成熟的制程技術,具備內置的硬擦除器、錯誤檢測和校正機制,為用戶提供了可靠的開發環境。用戶可利用最新的Radiant工具,直接實現MRAM的編程接口,支持多種存儲容量和數據速率。利用這些FPGA器件,用戶可以受益于低功耗FPGA架構和快速安全的位流配置/重新配置。 ? 為
2025-03-08 00:10:00
1803 本書主要介紹了UV-EPROM的結構和使用方法,閃速存儲器的結構和使用方法,EEPROM的結構和使用方法, SRAM的結構與使用方法,特殊的SRAM的結構與使用方法,DRAM的結構與使用方法,
2025-03-07 10:52:47
3 月 6 日消息,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:16
1078 鐵電存儲器SF24C64對標FM24C64性能、應用和成本分析
2025-03-03 10:25:45
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DS1315幻象時間芯片集成了CMOS計時器和非易失性存儲器控制器。在沒有電源的情況下,外部電池可維持計時操作并為CMOS靜態RAM提供電源。該計時器可記錄百分之一秒、秒、分、時、星期、日期、月和年
2025-02-28 10:23:08
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DS28E80是一款用戶可編程的非易失性存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比,DS28E80采用了抗伽馬輻射的存儲單元技術。DS28E80有248字節的用戶內存,這些內存以8字節為單位進行組織。單個塊可以
2025-02-26 11:43:10
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DS1992/DS1993內存iButtons(以下簡稱DS199x)是堅固的讀/寫數據載體,充當本地化數據庫,易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:39:06
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DS1992/DS1993內存iButtons(以下簡稱DS199x)是堅固的讀/寫數據載體,充當本地化數據庫,易于用最少的硬件訪間。非易失性存儲器和可選的計時功能為存儲和檢索與iButton所連接
2025-02-26 10:32:24
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DS1996 Memory iButton是一種堅固的讀/寫數據載體,可作為本地化的數據庫,使用最少的硬件即可輕松訪問。非易失性存儲器為存儲和檢索與iButton所連接的對象相關的重要信息提供了一種
2025-02-26 10:17:41
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鐵電存儲器SF24C64對標MB85RC64性能、應用深度分析
2025-02-25 09:40:59
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旋轉編碼器選用國產鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03
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? 動態隨機存取存儲器(DRAM)是現代計算機系統中不可或缺的核心組件,廣泛應用于個人計算機、服務器、移動設備及高性能計算領域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結構及制造工藝演進,并分析
2025-02-14 10:24:40
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MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應用場景。目前可提供數量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備出色的存儲性能和能效,適用于多種應用場景。目前可提供數量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應用場景。目前可提供數量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備卓越的存儲性能和能效,適用于多種應用場景。目前可提供數量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲器,由MICRON制造,專為滿足現代電子設備對大容量存儲的需求而設計。該產品具備出色的存儲性能和能效,適用于多種應用場景。目前可提供數量
2025-02-14 07:42:49
? 非易失性存儲器是一種應用于計算機及智能手機等設備中的存儲裝置(存儲器),其特點是在沒有外部電源的情況下仍能保存數據信息。本文將介紹非易失性存儲器的類型、特點及用途。 什么是非易失性存儲器
2025-02-13 12:42:14
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:09
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數顯千分表的數據如何用存儲器進行接收
2025-02-11 06:01:54
MX25U12832FMI02 產品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生產的一款高性能 NOR Flash 存儲器,專為需要大容量存儲和快速讀取的應用而設計。該
2025-02-09 10:21:26
初學者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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在數字存儲技術的快速發展中,閃速存儲器(Flash Memory)以其獨特的性能和廣泛的應用領域,成為了連接隨機存取存儲器(RAM)與只讀存儲器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術特性、分類及其在現代電子設備中的應用。
2025-01-29 16:53:00
1683 本文旨在深入探討閃速存儲器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時詳細闡述閃速存儲器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:00
1590 閃速存儲器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統的EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)在擦除數據時,往往需要較長的時間,且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:00
1378 在信息技術飛速發展的今天,閃速存儲器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數據存儲領域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲器的一種常見應用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1452 高速緩沖存儲器(Cache)是內存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲器(RAM)有所不同。在計算機存儲體系中,Cache位于CPU和主存儲器之間,用于存儲CPU近期訪問過的數據或指令,以加快數據的訪問速度。
2025-01-29 11:48:00
3395 隨著AI技術的快速發展,特別是大規模語言模型(如ChatGPT和Sora)的出現,對數據處理能力和存儲技術提出了全新的需求。傳統存儲器架構在能效比和計算效率上的限制,逐漸成為瓶頸。如何實現更高
2025-01-23 17:30:31
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29
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產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:55
1095 舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數分析及應用
2025-01-16 10:17:06
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2025-01-14 16:12:44
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2025-01-10 09:12:15
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2025-01-07 14:18:17
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0 電子發燒友網站提供《EE-349:ADSP-2146xDDR2存儲器電路板設計指南.pdf》資料免費下載
2025-01-05 09:21:41
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