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電子發燒友網>今日頭條>納米圖形襯底對AlGaN基深紫外LED中光子輸運的影響

納米圖形襯底對AlGaN基深紫外LED中光子輸運的影響

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深紫外(DUV)激光器憑借其高光子能量和短波長特性,在半導體光刻、高分辨率光譜學、精密材料加工和量子技術等領域發揮著關鍵作用。與準分子激光器或氣體放電激光器相比,這類激光器具有更高的相干性和更低
2025-04-11 06:26:07651

JCMsuite應用:介質超表面的仿真

這是一個簡單但常見的超原子結構的案例:襯底上包含一個納米圓盤的雙重周期方形晶格。示例和參數均取自Berzins等的文章[1],單元格在X和Y方向上均是周期性的。它包含一個位于基板上的圓盤(或圓柱體
2025-04-08 08:52:05

光子倍增技術核心:量子裁剪在鐿摻雜金屬鹵化物鈣鈦礦的光線追蹤分析,16.27%功率躍升

UbiQD公司正在開發用于太陽能電池組件的新型聚合物封裝技術,通過集成熒光量子點來提升光伏性能。摻鐿鈣鈦礦材料CsPb(Cl???Br?)?具有量子裁剪下轉換特性,可將紫外光子轉換為近紅外光子,從而
2025-03-31 09:01:251531

紫外線對產品的影響及紫外老化試驗的重要性

紫外線對產品的危害紫外線,作為電磁波譜紫光之外的不可見光,其對產品的破壞性不容忽視。在眾多外界因素紫外線是導致材料性能劣變的關鍵因素之一。材料或產品在加工、貯存或使用過程,會受到熱、光、氧
2025-03-26 15:34:441506

JCMSuite應用-利用微柱和量子點產生單光子

這個例子的靈感來自Gregersen等人[1],其中將量子點放置在微柱以產生單光子源。但是,我們簡化了問題,以便3D計算可以在筆記本電腦上流暢地運行: 微腔的幾何形狀 下圖顯示了放置在腔中心的x
2025-03-24 09:05:20

深入解析硅光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

在信息技術日新月異的今天,硅光子芯片制造技術正逐漸成為科技領域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術”,硅光子集成技術不僅融合了電子芯片與光子芯片的優勢,更以其獨特的高集成度、高速率、低成本等
2025-03-19 11:00:022673

氮化鈦在芯片制造的重要作用

)、抗腐蝕性和熱穩定性,使其成為芯片制造的關鍵材料。此外,TiN在紫外深紫外波段(UV-DUV)具有高吸收系數(約10^5 cm?1),遠高于SiO?或Al?O?等材料,這一特性使其在光刻工藝中發揮重要作用。
2025-03-18 16:14:432327

JCMSuite應用——微透鏡(Micro lens)仿真

該示例是對 Gschrey 等人的單光子源設計[1]的改編。 該幾何結構由多層襯底構成,襯底為布拉格反射鏡,在襯底頂部有一個微透鏡,量子點位于頂層內: 由布拉格反射鏡組成的微透鏡幾何結構示意圖
2025-03-13 08:54:56

集成電路和光子集成技術的發展歷程

本文介紹了集成電路和光子集成技術的發展歷程,并詳細介紹了鈮酸鋰光子集成技術和硅和鈮酸鋰復合薄膜技術。
2025-03-12 15:21:241689

新成果展示:發光-探測雙功能AlGaN集成光電子器件模型的開發與應用

開發了 發光-探測雙功能物理模型 ,同時提出并設計了具有非對稱多量子阱結構的AlGaN發光-探測雙功能集成光電子器件:在發射區采用極化自屏蔽的有源區結構,在探測區采用常規有源區結構。 ? ? ? 圖1展示了LED與PD原位集成光電子器件結構
2025-03-03 11:45:22713

上海光機所在高能量深紫外激光研究方面取得進展

Letters。 高能深紫外激光具有脈沖能量高、波長短的優勢,不僅能夠在材料中產生強烈的非線性展寬、多光子電離、光化學反應等豐富物理機制,也是高能密度物理中等離子體診斷的理想光
2025-03-03 09:08:54644

EastWave應用:自動計算光子晶體透反率

本案例使用“自動計算透反率模式”研究光子晶體的透反率,將建立簡單二維光子晶體結構以說明透反率的計算方法。 模型示意圖: 預覽網格劃分效果如下: 觀察到下面的實時場: 記錄得到數據如下: 雙擊
2025-02-28 08:46:25

納米銅燒結為何完勝納米銀燒結?

在半導體功率模塊封裝領域,互連技術一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關鍵因素。近年來,隨著納米技術的快速發展,納米銀燒結和納米銅燒結技術作為兩種新興的互連技術,備受業界關注。然而,在眾多應用場景
2025-02-24 11:17:061760

Lightmatter借助Cadence工具構建光子芯片

生成式 AI 日益普及,托管和訓練這些算法所消耗的能源也隨之增加。光子技術以光子為主要計算源,基于光子的系統具有低功耗的優勢,有助減少碳排放,改善地球生態環境,提升居民生活質量,更適用于最先進的 AI 和 HPC 工作負載。
2025-02-24 10:37:181103

保密通信之紫外光無線通信!

,為作戰行動提供有力支持。在智能交通領域,紫外光通信也有著巨大的潛力。未來的智能交通系統,車輛之間可以通過紫外光進行快速、準確的信息交互。比如,在交叉路口,車輛
2025-02-21 13:32:511000

Moku實現單光子對符合計數實驗指南

前言光子對的符合計數是量子光學和量子信息科學的一項重要技術,它檢測通過量子過程(通常是參量下轉換)同時產生的光子對并對其進行計數。在諸如量子密碼學、量子傳輸和量子計算的實驗和應用,這項技術
2025-02-20 10:29:531130

紫外老化試驗箱:模擬陽光,預見未來

紫外老化試驗箱是現代工業不可或缺的環境測試設備,它通過模擬陽光紫外輻射,對材料進行加速老化試驗。這種設備能夠精確控制紫外線強度、溫度、濕度等參數,在短時間內模擬材料在戶外長期暴露的老化效果
2025-02-19 09:44:06611

365nm紫外點光源固化燈的特點、優勢與應用

在現代制造業紫外光固化技術已成為一種高效、環保的固化方式,廣泛應用于涂料、油墨、膠水等多個領域。紫外點光源固化燈,尤其是365nm波長的紫外燈,因其獨特的光學性能和應用優勢,成為高精度固化過程
2025-02-13 15:44:392484

納米壓印技術:開創下一代光刻的新篇章

光刻技術對芯片制造至關重要,但傳統紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術應運而生。本文將介紹納米壓印技術(NIL)的原理、發展、應用及設備,并探討其在半導體制造
2025-02-13 10:03:503709

日本國立材料所成功研發金剛石DUV探測器

在超寬帶隙半導體領域,研究者們正致力于開發具有超高增益的深紫外(DUV)光電探測器,以期達到與光電倍增管(PMT)相媲美的性能。這些探測器對于200-280納米波長范圍內的日盲檢測和通信至關重要
2025-02-11 09:55:47976

如何在光子利用電子生態系統

本文介紹了如何在光子利用電子生態系統。 這一目標要求光子學制造利用現有的電子制造工藝和生態系統。光子學必須采用無晶圓廠模型、可以在焊接步驟幸存下來的芯片以及電子封裝和組裝方法。 ? 無晶圓廠
2025-02-10 10:24:231111

300 nm 以下激光驅動光源的操作:臭氧緩解

介紹 深紫外線源,例如 Energetiq 的 LDLS?,會產生臭氧,這會對與 LDLS 連接的儀器和實驗的性能產生不利影響。儀器光路的臭氧會吸收不同量的紫外光,具體取決于臭氧濃度。本應用說明
2025-02-07 06:36:111064

紫外線輻射傳感器:為環保監測注入 “智慧” 力量

線信號轉化為電信號。紫外線照射光敏元件,使電子吸收光子能量產生電子 - 空穴對,在電場作用下定向移動形成電流,通過測量電流確定紫外線輻射強度。常見材料有 GaN 和 ZnS,其中 ZnS 材料傳感器精度比 GaN 系提升近 10^5 倍 。按對不同波
2025-02-06 15:57:39958

碳化硅襯底的生產過程

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性,在半導體產業得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料,其生產過程復雜
2025-02-03 14:21:001979

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

方案會對測量結果產生不同程度的影響。 二、常見吸附方案概述 在碳化硅襯底測量,常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產生負壓將襯底固定,操作相對簡
2025-01-23 10:30:54286

納米管在EUV光刻效率的作用

數值孔徑 EUV 光刻的微型化挑戰 晶體管不斷小型化,縮小至 3 納米及以下,這需要完美的執行和制造。在整個 21 世紀,這種令人難以置信的縮小趨勢(從 90 納米到 7 納米及更小)開創了技術進步的新時代。 在過去十年,我們見證了將50
2025-01-22 14:06:531153

Jcmsuite應用:光場遇到納米球的散射與吸收

、sources.jcmt、materials.jcmt、project.jcmpt)。 請注意,在這種情況下,JCMsuite是在Daemon模式下使用的,它允許同時執行各種波長的波長掃描。 有了適當的硬件和許可證,所有波長響應可以同時計算,允許快速計算整個參數掃描。 襯底頂部納米球基于波長的吸收和散射
2025-01-22 08:57:00

不同的氮化鎵襯底的吸附方案,對測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在當今高速發展的半導體產業浪潮,氮化鎵(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學與光學性能,在眾多高端芯片制造領域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應用天地。然而,要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420

氮化鎵襯底的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域的璀璨星河中,氮化鎵(GaN)襯底正憑借其優異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應用場景嶄露頭角,成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當今蓬勃發展的半導體產業,碳化硅(SiC)襯底作為關鍵基礎材料,正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數猶如精密天平上的砝碼,細微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質量的精準把控愈發關鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

工業級PERC、SHJ與TOPCon太陽能電池的紫外線UVID穩定性評估研究

現代電池架構PERC、TOPCon和SHJ因依賴近乎完美的表面鈍化來提高效率,可能對紫外線誘導的降解(UVID)更敏感。UVID由能量大于3.4eV的高能光子引起,高能光子可通過多種機制降解
2025-01-10 09:03:312066

納米壓印光刻技術旨在與極紫外光刻(EUV)競爭

來源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學會 9月,佳能交付了一種技術的首個商業版本,該技術有朝一日可能顛覆最先進硅芯片的制造方式。這種技術被稱為納米壓印光刻技術(NIL
2025-01-09 11:31:181280

組成光刻機的各個分系統介紹

納米級別的分辨率。本文將詳細介紹光刻機的主要組成部分及其功能。 光源系統 ? 光源系統是光刻機的心臟,負責提供曝光所需的能量。早期的光刻機使用汞燈作為光源,但隨著技術的進步,目前多采用深紫外(DUV)或極紫外(EUV)光源,
2025-01-07 10:02:304530

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