電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）前段時間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動，同時在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:00
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在計算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 光纖通信作為現(xiàn)代通信技術(shù)的核心，廣泛應(yīng)用于各種網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中。光纖電纜主要分為單模光纖和多模光纖兩種類型，它們在結(jié)構(gòu)、性能、應(yīng)用等方面存在顯著差異。本文將詳細(xì)探討單模光纖與多模光纖電纜之間的區(qū)別，以便
2025-11-25 10:07:52230 TPS650061RUKR進(jìn)行電源設(shè)計。電源輸出1.2v,1.8v,3.3v均正常。
由于板子未掛載SDRAM或DDR，將程序的下載地址改為L2RAM（0x11800000）位置也沒辦法正確load，并通過JTAG調(diào)試
2025-11-19 19:53:00
信號完整性(Signal Integrity, SI)問題：隨著DDR內(nèi)存頻率的提高，信號完整性問題變得更加突出。高速信號在傳輸過程中會受到各種因素的影響，如反射、串?dāng)_、噪聲干擾等，這些問題會導(dǎo)致
2025-11-17 10:25:333397 
電機(jī)作為現(xiàn)代工業(yè)的核心動力設(shè)備，其性能差異直接影響機(jī)械系統(tǒng)的運(yùn)行效率與能耗表現(xiàn)。2極電機(jī)與4極電機(jī)的本質(zhì)區(qū)別在于磁極對數(shù)設(shè)計，這種結(jié)構(gòu)性差異引發(fā)了轉(zhuǎn)速、扭矩、效率及應(yīng)用場景的顯著分化。從空調(diào)壓縮機(jī)到
2025-11-13 07:35:021060 信號的速率更高，3倍頻下可能就到了5-6GHz以上了，這個時候從上面的插入損耗曲線來看，差異就變得慢慢明顯了。總而言之，高速先生的觀點是并不完全拒絕DDR走線參考電源平面的可行性，但是遇到這樣的非常規(guī)
2025-11-11 17:46:12
雖然我看到過DDR的走線參考電源平面也能調(diào)試成功的案例，但是依然不妨礙我還想問：到底DDR走線能不能參考電源層啊？
2025-11-11 17:44:20628 
TE Connectivity DDR5 DIMM插槽是專為高性能計算和服務(wù)器平臺設(shè)計的下一代內(nèi)存硬件產(chǎn)品。這些插槽支持高達(dá)6.4GT/s（每秒千兆傳輸）的帶寬，并提供空間間距特性，可在元件之間獲得
2025-11-07 11:04:27409 
下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 在有些情況下，我們想要把代碼放到SDRAM運(yùn)行。下面介紹在APM32的MCU中，如何把代碼重定位到SDRAM運(yùn)行。對于不同APM32系列的MCU，方法都是一樣的。
2025-11-04 09:14:184981 
本隊伍編號CICC3042，本文介紹如何為蜂鳥添加DDR內(nèi)存擴(kuò)展。一些需要大存儲空間的設(shè)計中經(jīng)常需要使用DDR，這時我們希望蜂鳥可以訪問DDR，以實現(xiàn)更好的軟硬件協(xié)同。
簡單閱讀蜂鳥的代碼發(fā)現(xiàn)
2025-10-31 06:07:38
，使DDR3成為系統(tǒng)的一部分，可以直接通過地址進(jìn)行讀寫。
在配置MIG時，主要注意以下幾點：
1. Clock Period選擇400MHz，Ratio選擇4：1，則用戶時鐘（ui_clock
2025-10-29 07:16:34
來源：深圳市興萬聯(lián)電子有限公司投稿 作者：蔡友華 很多同事、同行、客戶都曾問到：DDR與SODDR有什么區(qū)別？LPDDR SOCAMM2又是什么？今天，我來為大家整理一份簡明的資料，進(jìn)行一次系統(tǒng)性
2025-10-28 11:06:231062 
的項目，并不是基于E203_hbirdV2版本的，而是hbirdv1版本。并不能直接拿到我們的工程中使用。另外，他們的開發(fā)板和我們的也有很大區(qū)別。我們的MCU200T或者DDR200T開發(fā)板都是賽靈思
2025-10-28 07:25:32
SD卡和OV5640的數(shù)據(jù)搬運(yùn)進(jìn)DDR中。
Setting
Value
Memory Type
DDR3 SDRAM
Max. clock period
3000ps
Clock ratio
4
2025-10-28 07:24:01
DDR 的比較以及 DDR5 與 LPDDR5 的差異以及 DDR5 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 什么是 DDR5？ 先來看一下什么是 DDR 。 DDR（Double Data Rate）屬于SDRAM
2025-10-27 19:28:167360 
產(chǎn)品而言，內(nèi)存顆粒的微小差異都可能引發(fā)硬件兼容性問題，從而給系統(tǒng)穩(wěn)定性帶來了挑戰(zhàn)。別慌！眺望電子基于RK3588核心板，梳理出一套完整的【DDR顆粒五步壓力驗證法】
2025-10-24 11:59:51918 
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進(jìn)行針對e203的DDR3存儲器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
將vivado設(shè)計的DDR擴(kuò)展工程生成bitstream燒入到DDR200T中，利用芯來官方提供的Nuclei Studio編譯相應(yīng)的C語言程序進(jìn)行驗證。C語言程序主要完成對地址空間
2025-10-21 09:24:58
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
在 FPGA 中測試 DDR 帶寬時，帶寬無法跑滿是常見問題。下面我將從架構(gòu)、時序、訪問模式、工具限制等多個維度，系統(tǒng)梳理導(dǎo)致 DDR 帶寬跑不滿的常見原因及分析方法。
2025-10-15 10:17:41735 三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371034 keil+Env怎么把很大的數(shù)組定義到SDRAM中？
RTT自帶的SDRAM程序運(yùn)行正常，能夠申請里面的空間。
但是沒有辦法把很大的數(shù)組——ltdc_lcd_framebuf[1280][800]
定義到SDRAM中，一運(yùn)行就出錯，請問各位大佬怎么解決啊？
2025-10-11 16:10:01
DDR是硬件設(shè)計的重要一環(huán)，作為一名硬件工程師除了對DDR基礎(chǔ)和原理要有了解外，最重要的也就是對DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進(jìn)行描述，學(xué)習(xí)DDR的關(guān)鍵設(shè)計要注意和了解的部分。
2025-10-10 09:15:242074 
回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
景、技術(shù)參數(shù)及功能特性上均有著一定的差異，可適用于不同環(huán)境、場景及需求，具體應(yīng)用主要根據(jù)實際情況來進(jìn)行選擇。 不同局放監(jiān)測裝置其差異之處首先在于監(jiān)測原理差異，特高頻局放傳感器通過捕捉開關(guān)柜內(nèi)局部放電產(chǎn)生的特
2025-10-09 13:33:16372 
1組72位DDR4 SDRAM，PL端支持1組32位DDR4 SDRAM，支持1片32GB EMMC存儲單元，支持2片QSPI FLASH用于FPGA的加載，支持
2025-09-15 14:37:00
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應(yīng)用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應(yīng)允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
LZ-DZ300B電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置 電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的更新頻率在不同行業(yè)間存在顯著差異，這主要由行業(yè)技術(shù)迭代速度、政策導(dǎo)向、應(yīng)用場景復(fù)雜度等因素決定。以下是基于行業(yè)特性的具體分析
2025-09-03 16:37:28620 
作為主處理器，F(xiàn)PGA 外掛兩組 72 位 DDR4 SDRAM，用來實現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，DDR4 的最高數(shù)據(jù)緩存帶寬可以達(dá)到2400MHz，DDR4 的緩存
2025-08-29 15:57:37398 
DDR4SDRAM，用來實現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，F(xiàn)PGA的PS端外掛1組72位的DDR4SDRAM的高速數(shù)據(jù)緩存，用來支持操作系統(tǒng)的運(yùn)行。該平臺支持2個FMC+接口，每個F
2025-08-29 15:29:491292 
DDR4 SDRAM，用來實現(xiàn)超大容量數(shù)據(jù)緩存，F(xiàn)PGA的PS端外掛1組72位的DDR4 SDRAM的高速數(shù)據(jù)緩存，用來支持操作系統(tǒng)的運(yùn)行。該平臺支持2個FMC+接口，
2025-08-29 15:28:59
在電子測量領(lǐng)域，電流探頭是測量電流信號的關(guān)鍵工具，而傳輸比和電流衰減是其兩個重要參數(shù)。 雖然二者都與電流探頭對信號的處理有關(guān)，但在本質(zhì)、功能和應(yīng)用場景上存在顯著差異，了解這些差異對于正確選擇和使用電
2025-08-27 09:25:49488 
兩個總線能不能同時使用，用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤，但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
的性能。2024年底，JEDEC完成了DDR6主要草案標(biāo)準(zhǔn)，為后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)的正式發(fā)布奠定了基礎(chǔ)。 ? 根據(jù)規(guī)劃，DD
2025-07-31 08:32:003667 本文緊接著前一個文檔《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 ? ? ? 本文講述了使用Altium designer設(shè)計SOC和DDR等高速PCB時候，如何設(shè)計信號線等長。DDR信號線分成兩大部分。一是數(shù)據(jù)線部分，二是地址線、控制信號線部分。本文著重詳細(xì)
2025-07-28 16:33:124 ICF-PRX100-DDR硬件參考指南_V1.4_.pdf
2025-07-28 16:13:310 貼片電解電容與貼片電容（以陶瓷電容為主）在性能和可靠性上的主要差異如下： 一、核心性能差異 1、容量與體積 貼片電解電容：單位體積電容量大，可達(dá)數(shù)千微法(μF)甚至法拉(F)級，適合儲能需求高的場景
2025-07-15 16:31:54942 IPEX接口標(biāo)準(zhǔn)是射頻連接領(lǐng)域的通用規(guī)范，旨在提供高性能、可靠的連接解決方案。隨著技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，不同代際的IPEX接口在端子直徑、高度、插座尺寸及基座規(guī)格等方面存在顯著差異，這些差異直接影響其在實際
2025-07-15 09:36:11
3 的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡介
PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004539 近年來，隨著人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G通信和游戲產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長，DDR內(nèi)存市場持續(xù)升溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2023年全球DRAM市場規(guī)模已突破1000億美元，其中
2025-06-25 11:21:152010 
隨著計算密集型任務(wù)的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301918 
CJTconnDDR系列產(chǎn)品介紹長江連接器有限公司長江連接器·DDR產(chǎn)品?DDR（DoubleDataRate）內(nèi)存的主要特性包括?：雙倍數(shù)據(jù)率?：DDR內(nèi)存的核心特性是其雙倍數(shù)據(jù)率，每個時鐘周期
2025-05-17 23:35:17929 
DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種廣泛應(yīng)用于計算機(jī)和電子設(shè)備的高性能內(nèi)存技術(shù)，DDR的主要應(yīng)用于計算機(jī)系統(tǒng)，移動設(shè)備，嵌入式系臨時存儲和高速傳輸數(shù)據(jù)。因此，DDR是現(xiàn)代
2025-05-14 21:48:49622 
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達(dá)成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 LP2995 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 SSTL-3 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件包含一個高速運(yùn)算放大器 對負(fù)載瞬變提供出色的響應(yīng)。輸出級可防止擊穿，同時
2025-05-06 09:33:38715 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR
2025-04-29 18:11:05834 
LP2997 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-18 規(guī)范 DDR-II 內(nèi)存終止。該器件包含一個高速運(yùn)算放大器，可提供 對負(fù)載瞬變的出色響應(yīng)。輸出級可防止在傳輸時擊穿 根據(jù) DDR
2025-04-29 16:48:21833 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計不規(guī)范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計。
TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且
2025-04-28 16:21:07852 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計 考慮。
TPS51200-EP 保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且
2025-04-26 10:26:351335 
TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 終端穩(wěn)壓器，專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計。
該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，并且只需要 20 μF
2025-04-25 10:07:151053 
在電子測量領(lǐng)域，高壓差分探頭與傳統(tǒng)無源探頭作為兩類基礎(chǔ)測量工具，其技術(shù)特性和應(yīng)用場景存在顯著差異。本文從測量原理、系統(tǒng)適配和信號處理三個維度進(jìn)行對比分析。 一、信號拾取機(jī)制的差異 傳統(tǒng)無源探頭采用單
2025-04-24 16:15:58549 
，DDRSDRAM均作為CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和運(yùn)算的緩存發(fā)揮著不可或缺的作用。過去二十多年間，存儲技術(shù)經(jīng)歷了從SDRAM向DDRRAM的重大演進(jìn)，直至今日的DDR5。
2025-04-21 11:24:412282 
The issue was i need to run data from external SDRAM memory instead of using internal RAM(DTCM). I
2025-04-14 12:21:59
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
使用的sdram型號是IS42S16160 32mb的是正常的但是更改到IS4216400 8mb的sdram后不能使用，請問1052支持嗎？需要修改哪些配置，請大神講解一下
2025-04-08 19:40:06
FS32K148HFT0VLQT 和 FS32K148HAT0MLQT 之間的傳導(dǎo)/輻射發(fā)射有何差異（如果有）？
2025-04-04 06:22:13
RT1176 與 DDR SDRAM 兼容嗎？
2025-04-04 06:09:26
在進(jìn)行DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）信號測試時，普源DHO1072示波器是一款功能強(qiáng)大的工具，能夠幫助用戶準(zhǔn)確分析和調(diào)試信號。以下是使用普源DHO1072示波器進(jìn)行DDR信號測試的幾個關(guān)鍵要點。 一
2025-03-14 12:06:00942 
SDRAM和NAND都使能了，都能正常工作，但是讀取Nand數(shù)據(jù)然后存放到SDRAM中，發(fā)現(xiàn)SDRAM中的數(shù)據(jù)是錯誤的。但是將數(shù)據(jù)存到內(nèi)部的IRAM中數(shù)據(jù)是正確的。請問NAND跟SDRAM不能同時訪問么？該問題同時存在于STM32F767跟STM32H743中。請幫忙解答，謝謝！
2025-03-11 08:13:19
：NT5CC256M16EP-EKI DDR3(L) 4Gb SDRAM CL-TRCD-TRP｛13-13-13｝
手冊要求 933MHz Clock但是STM32MP13x 最高給 DDRC 頻率
2025-03-11 07:11:03
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
GPIO的控制等等。只有熟悉了這一個個的模塊，才能讓系統(tǒng)正常的轉(zhuǎn)起來。 研究SDRAM也是一樣，首先看看電源系統(tǒng)部分。 ? ? ? ? ? ?? DDR的電源 ? 主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般
2025-03-04 14:44:461115 
前言 SDRAM控制器里面包含5個主要的模塊，分別是PLL模塊，異步FIFO 寫模塊，異步FIFO讀模塊，SDRAM接口控制模塊，SDRAM指令執(zhí)行模塊。 其中異步FIFO模塊解讀
2025-03-04 10:49:012301 
評估模塊和DLP650LNIR DMD 評估模塊的結(jié)合也可以用于像素控制，那這兩者有什么差異呢，比如開發(fā)難度，耐受功率，我們想最好用matlab或Labview控制。謝謝
2025-02-28 06:19:37
為了加深讀者對 FPGA 端控制架構(gòu)的印象，在數(shù)據(jù)讀取的控制部分，首先我們可以將SDRAM 想作是一個自來水廠，清水得先送至用戶樓上的水塔中存放，在家里轉(zhuǎn)開水龍頭要用水時，才能及時供應(yīng)，相同
2025-02-26 15:27:091813 
command.v文件對應(yīng)圖中SDRAM指令執(zhí)行模塊，它會從SDRAM接口控制模塊接收指令，然后產(chǎn)生控制信號直接輸出到SDRAM器件來完成所接收指令的動作。
2025-02-25 10:32:121034 
DLP651NE與DLP6500FLQ雖是兩種不同類型的產(chǎn)品，但兩者尺寸皆為0.65英寸，鏡片數(shù)目相同。兩者主要存在哪些性能差異導(dǎo)致顯示幀率和價格差異較大？
2025-02-20 06:31:56
特點DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM。請參閱DDR3（1.5 V）SDRAM磨合時（模具版本：E）數(shù)據(jù)表規(guī)格1.5V兼容模式。特征?VDD=VDDQ=1.35V
2025-02-19 16:19:23
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513465
我們在使用DLP650NE系列1910-623AE使用過程中出現(xiàn)過：亮點、紅邊、臟污，燒壞等不良現(xiàn)象，實際使用不良率高達(dá)30%以上；
而DLP650NE系列1910-6237E極少出現(xiàn)，正常使用，請問1910-623AE和1910-6237E型號之間是否有差異？出現(xiàn)紅邊，亮點可能原因？
2025-02-17 07:35:19
DLP4710與DLP4711在應(yīng)用、驅(qū)動方案、引腳之間是否存在差異？
目前新設(shè)計的機(jī)器中，DLP4711可以正常點亮、DLP4710無法點亮。是否由于各引腳功能不是相同的導(dǎo)致兩者間有差異？
2025-02-17 06:36:51
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
更高的帶寬和更低的功耗，適用于各種筆記本電腦和小型計算設(shè)備。產(chǎn)品技術(shù)資料型號：M425R1GB4PB0-CWM內(nèi)存類型：DDR5 SDRAM容量：8GB工作頻率：5
2025-02-10 07:47:57
按鍵KEY1觸發(fā)寫，將計數(shù)器產(chǎn)生的0到255的數(shù)據(jù)寫到FIFO寫模塊里面，繼而寫到SDRAM 器件里面。
2025-02-07 09:33:411192 
最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時的注意事項。
2025-01-24 11:14:141479 
本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-178：ADSP-TS101S TigerSHARC片上SDRAM控制器.pdf》資料免費下載
2025-01-14 15:00:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-326: Blackfin處理器與SDRAM技術(shù).pdf》資料免費下載
2025-01-07 14:38:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286：SDRAM存儲器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:47:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-127：ADSP-21065L片內(nèi)SDRAM控制器.pdf》資料免費下載
2025-01-06 15:45:000
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