探索AFBR - S4N44P164M 4×4 NUV - MT硅光電倍增管陣列的卓越性能 在如今的電子工程領域,對于高精度、高靈敏度的光子檢測設備的需求日益增長。博通(Broadcom)的AFBR
2025-12-30 16:10:09
102 光電倍增管.pdf 產品概述 AFBR - S4N66P014M是一款單通道硅光電倍增管,主要用于單光子的超靈敏精密測量。它基于NUV - MT技術,與NUV - HD技術相比,在提高光探測效率(PDE)的同
2025-12-30 15:45:06
91 概述 AFBR - S4N22P014M采用了NUV - MT技術,與NUV - HD技術相比,它在提高光檢測效率(PDE)的同時,降低了暗計數率和串擾。其SPAD間距為40μm,并且可
2025-12-30 15:30:06
86 DS40MB200:高速信號處理的理想之選 在高速數據通信領域,信號的完整性和傳輸距離一直是工程師們關注的重點。今天,我們就來詳細探討一下德州儀器(TI)的DS40MB200這款器件,它在解決高速
2025-12-29 11:15:03
106 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET:高效能與可靠性的完美結合 引言 在當今電子技術飛速發展的時代,功率半導體器件的性能和可靠性對于各種電子設備的運行
2025-12-29 10:05:22
92 深度解析DS25MB200:2.5 Gbps雙路CML復用器/緩沖器的卓越性能與應用 在高速數據傳輸領域,信號的穩定與準確傳輸至關重要。TI的DS25MB200作為一款雙路2.5 Gbps 2:1
2025-12-27 17:20:06
962 2.5 Gbps 2:1/1:2 CML Mux/Buffer,憑借其出色的信號調理能力和豐富的特性,在背板驅動、電纜驅動以及冗余和信號調理等應用中展現出強大的優勢。本文將深入剖析DS25MB100的特點
2025-12-27 14:10:15
410 探索DS25CP104A/DS25CP114 3.125 Gbps 4x4 LVDS交叉點開關的奧秘 在高速信號路由和切換的領域里,DS25CP104A和DS25CP114這兩款由德州儀器推出
2025-12-24 17:45:06
471 的DF4-19MR20W3M1HF_B11 EasyPACK?模塊,就是這樣一款集多種優勢于一身的產品,它在太陽能等應用中展現出了卓越的性能。 文件下載: Infineon Technologies
2025-12-20 15:40:20
726 全球企業和政府正積極尋求解決方案,應對數據中心能耗迅速增長問題,開發下一代“綠色”數據中心——既具備高性能,又兼具高能效的設施。全球科技巨頭富士通在先進處理器開發領域已領先 60 年,致力于開發更節能、更可持續的數據中心。
2025-12-17 10:26:53
424 探索DS560MB410:低功耗56Gbps PAM4 4通道線性轉接驅動器的卓越性能 在高速數據傳輸的時代,電子工程師們不斷尋求能夠滿足高性能、低功耗需求的解決方案。今天,我們將深入探討德州儀器
2025-12-16 11:50:06
297 在存儲技術快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機存取存儲器)以其獨特的性能,逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來存儲數據,兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04
242 Engineering) 》。其中,富士通在該指南的《Gartner 生成式AI工程新興市場象限報告 (Gartner Emerging Market Quadrant for Generative AI
2025-12-02 11:50:51
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寬溫自適應超級電容(-40℃~85℃穩定工作)是極端環境下的理想儲能選擇,其技術突破與工業應用價值顯著,具體分析如下 : 一、技術突破:物理儲能機制賦予寬溫適應性 雙電層儲能原理 超級電容通過
2025-12-01 10:03:38
452 Cypress賽普拉斯512Kbit FRAM憑借微秒級寫入、10^14次擦寫壽命及151年數據保留,為車載黑匣子EDR提供高可靠數據存儲。其-40℃~105℃車規級工作范圍確保碰撞數據完整記錄,滿足汽車安全法規嚴苛要求。
2025-12-01 09:47:00
246 
Gb 33K;
MX30LF1G28AD-TI128M NAND 46K;
MT40A512M8RH-083E IT:B DDR4 25K;
ESD8104MUTAG ON 240K
2025-11-27 15:58:19
羅森伯格發布新一代高壓連接器HVR25,在匹配4㎜2銅線時可實現40A@85℃的持續載流。該產品采用緊湊設計,在同類產品中體積具備明顯優勢,且擁有良好的性價比。
2025-11-25 10:22:00
2854 MR-16LED燈專用LED降壓型恒流驅動器H5441B方案調光高輝度65536級
H5441B 為一款平均電流型 LED 恒流驅動芯片,適配非隔離式 LED 驅動場景,輸入電壓適用范圍為
2025-11-25 09:11:03
在嵌入式存儲應用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表,Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41
146 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級寫入速度與10萬億次擦寫壽命,為圖傳模塊提供高可靠性數據存儲。其SPI接口與工業級溫度范圍(-40℃~85℃)完美適配無人機、安防監控等場景的實時數據記錄需求。
2025-11-18 09:48:00
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DR-25-1-0-SP-RS 是 TE Connectivity 的一款DR-25系列黑色單壁熱縮管,型號中的“RS”后綴表示該物料通過 RS Components 渠道銷售。包裝方式為30 m卷
2025-11-18 09:29:47
在需要高速數據讀寫與高可靠性的現代電子系統中,傳統存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片,以其獨特的磁阻存儲技術,為工業控制、汽車
2025-11-13 11:23:46
210 CW32L010F8P600的優勢包括:
超大Flash存儲容量:擁有64K超大Flash存儲容量,數據可保持25年@-40℃至+85℃,還支持多種保護功能。它能確保高訪問速度,滿足實時性要求高
2025-11-13 07:07:48
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片,基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建,這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統SRAM
2025-11-05 15:31:48
285 在當今對數據持久性與系統可靠性要求極高的企業基礎設施和數據中心中,Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨特的技術優勢,成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28
280 TE Connectivity (TE) 的FP40 Ultra 4x4 MiMo天線 具有面向未來的功能,可應對從4G和5G頻率推出,直至7125MHz頻率。這些天線提供多達14端口的多端
2025-11-05 13:49:19
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富士通本周四發布了2025財年上半年財報。根據財報顯示,2025財年上半年整體營收為1.5665兆日元 ,調整后營業利潤達到1,213億日元,較去年同期大幅增長83.6%,營業利潤率為7.7%,較去年同期增長3.4個百分點。
2025-11-04 16:30:44
921 H5412B 是一款多功能平均電流型 LED 恒流驅動器,其外圍電路設計較為簡單,適用于電壓范圍在 5-85V 的非隔離式恒流 LED 驅動場景。
該芯片采用平均電流模式控制,輸出電流精度為
2025-10-28 14:31:25
在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達35
2025-10-24 16:36:03
532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數據,同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一,是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 作為磁阻存儲器領域的重要分支,SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計,正成為高性能MRAM研發的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層,通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉,從而實現高效、可控的數據寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24
338 MX25L25645GM2I-08G是旺宏電子推出的256Mb大容量SPI NOR Flash存儲芯片,工作電壓2.7V–3.6V,支持最高133MHz時鐘頻率與芯片內執行(XIP),具有工業級溫度
2025-10-24 09:55:00
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富士通近日宣布,將與英偉達(NVIDIA)擴大戰略合作,共同打造集成AI Agent的全棧式AI基礎設施。此舉旨在利用AI能力增強企業競爭優勢,同時確保企業在AI應用上的自主性與靈活性。
2025-10-23 17:49:37
748 RAYSON RS70BT7G4S16G工業級128GB eMMC,-20~85℃寬溫,400MB/s高速,斷電保護,適用車載、電網、工控,高可靠低功耗。
2025-10-21 09:22:00
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有強大的熱插拔功能。 該收發器采用標準SO-8封裝,工作溫度范圍為-40°C至+125°C (ST4E1216) 和-40°C至+85°C (ST4E1240)。
2025-10-21 09:14:31
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### NP40N10VDF-VB 產品簡介NP40N10VDF-VB 是一款高性能的單極 N 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,設計用于高壓和高電流應用。憑借其低導通電阻和高漏源電壓能力
2025-10-14 15:10:19
富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業級FRAM,150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫,I2C接口低功耗,SOP-8小封裝,為PLC、電表、編碼器等邊緣節點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00
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富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統提供高速、高耐久性數據存儲方案,支持納秒級寫入與10^12次擦寫,解決傳統存儲器延遲高、壽命短問題,適用于智能交通、戶外廣告等嚴苛環境,顯著提升系統響應與可靠性。
2025-09-11 09:45:00
480 
/ LTE(頻段1、3、4、7、8、12、13、20、25、26、28、30、38、34/39、40、41)真值表,用于雙模四頻GSM/EDGE – WCDMA / HSDPA / HSUPA / HSPA
2025-09-10 18:30:35

Cypress 64Kbit FRAM以納秒寫入、萬億次擦寫、微瓦功耗,破解手持檢測器數據丟幀、壽命及續航痛點,覆蓋-40℃~85℃,50G抗震,直接替代EEPROM,30天續航,零掉電丟數。
2025-08-28 09:45:00
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電子發燒友網站提供《st25dx-mb原理圖資料.pdf》資料免費下載
2025-08-25 15:43:19
0 富士通于7月30日發布了2025財年第一季度財報。根據財報顯示,2025財年第一季度整體營收為7,498億日元,調整后營業利潤351億日元,較上一年度同期增長111.9%,利潤率提升至4.7%(+2.5%)。
2025-08-07 15:01:09
1364 兆易創新GD25Q64ESIG NOR FLASH憑借64Mb容量、8Mbx8架構及2.7V 3.6V寬電壓支持,其SOP 8封裝適配緊湊設計,高速SPI接口(133MHz)確保快速數據讀取,滿足
2025-08-07 09:45:00
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賽普拉斯2 Mbit FRAM FM25V20A-DG以40 MHz SPI總線、1012次擦寫壽命和100 krad(Si)抗輻射能力,取代呼吸機中EEPROM與SRAM加電池的傳統方案,為智能生命支持系統提供原子級可靠的數據存儲基石。
2025-07-24 11:25:44
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,頻率穩定度達±25ppm,適用于-40~85℃寬溫度環境,具備高穩定性、低抖動、小體積等優勢,是高速數字系統理想的時鐘源選擇。產品參數參數規格頻率156MHz輸出類
2025-07-10 15:11:11
極米 RS20 Plus 搭載 MT9681 旗艦投影芯片,該芯片采用 12nm 制程,規格進一步提升的 CPU、GPU 與 NPU 助力性能實現大幅躍升,讓流暢體驗時刻在線;在 AI 超分辨率
2025-07-07 18:14:38
2308 Texas Instruments THVD9491-SEP航天增強型 ±40V RS-422/RS-485收發器是一款 ±40V故障保護全雙工RS-422/RS-485收發器,數據和使能邏輯信號
2025-07-06 17:48:31
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Texas Instruments F29H85X-SOM-EVM MCU評估板用于TI C2000? MCU系列中的F29H85x和F29P58x器件。該模塊化系統設計非常適合用于初始評估和原型
2025-07-04 11:17:01
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富士通株式會社發布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技術與服務愿景2025)》,對商業與社會的未來愿景進行了總結與展望。借助人機智能協作驅動的跨行業
2025-06-28 10:15:08
1235 (RTU)設備中。常見頻點如24 MHz / 50 MHz,用于Modbus、CAN、PLC系統。在高溫環境(-40~85°C)下仍保持±25ppm以內穩定性,適配TI Sitara、STM32H7等工業級
2025-06-24 17:11:20
兩臺主機同時讀取同一RS485設備的可行方案及關鍵實施要點,ZP-1301-MR/ZP-1303-MR多主機模塊基于工業通信實踐整理如下:
?萬能型透傳版?(ZP-1301-MT):支持3個主機及任意協議,無緩存限制;
2025-06-23 10:17:11
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新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅動器
2025-06-12 17:33:23
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電子發燒友網站提供《MT7615 802.11ac Wi-Fi4x4 雙頻單芯片資料.pdf》資料免費下載
2025-06-08 10:06:36
4 MAX14853/MAX14855隔離RS-485/RS-422收發器為器件的電纜側(RS-485/RS-422驅動器/接收器側)和UART側之間提供2750V~RMS~ (60s)電隔離。當端口
2025-06-04 10:34:58
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使用擴展指令調用NICE協處理器完成預定操作,給出的優勢通常為代替CPU處理數據,但其實使用片上總線掛一個外設,然后驅動外設完成操作也可以實現相同的功能,所以想問一下協處理器相比于外設實現還有沒有其它方面的優勢
2025-05-29 08:21:02
使用擴展指令調用NICE協處理器完成預定操作,給出的優勢通常為代替CPU處理數據,但其實使用片上總線掛一個外設,然后驅動外設完成操作也可以實現相同的功能,所以想問一下協處理器相比于外設實現還有沒有其它方面的優勢
2025-05-28 08:31:12
本案例是使用開疆智能Profient轉RS485網關連接西門子1200PLC與富士變頻器配置的案例。 用于將PLC發出來的控制命令轉換成RS485總線發送到變頻器。配置過程如下。 配置過程: 首先
2025-05-22 15:06:05
526 
銘芯微電子-國產RS485通信接口IC芯片的技術優勢:1. IEC?靜電保護16kV、2. 超大輸出電壓擺幅?VOD、3.?熱插拔功能、4.?低功耗關斷、5.輸入阻抗、6.超高速傳輸
2025-05-16 13:33:46
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適用于差異化半導體基礎測試應用的干簧繼電器,采用單一表面貼裝封裝,相比SANYU現有的表面貼裝產品線節省了25%的組裝空間。MT系列表面貼裝采用轉換觸點形式,提供了卓越的性能、可靠性和信譽。
2025-05-09 13:39:20
1 電子發燒友網為你提供()Sky5? NR MB/HB LNA 前端模塊(B3、B39、B2/25、B34、B1、B66、B40、B30、B41 和 B7)相關產品參數、數據手冊,更有Sky5? NR
2025-05-07 18:35:53

TPS4H82H85-Q1 器件是完全受保護的雙通道智能高側開關,帶有兩個集成的 85mΩ NMOS 功率 FET,適用于 24V 和 48V 汽車電源系統。保護和診斷功能包括精確的電流感應、可選的電流限制水平、OFF 狀態開路負載和電池短路檢測以及熱關斷。
2025-05-06 10:35:33
2311 
多軸控制器可使用國產鐵電存儲器SF25C20(MB85RS2MT)
2025-05-06 09:47:26
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富士通 2024財年財報 富士通于4月24日發布了2024年度財報。根據財報顯示,調整后的2024財年整體營收為35,501億日元,較上一年度增長2.1%;營業利潤3,072億日元,較上一年度增長
2025-04-25 19:31:16
1233 集成8核Arm Cortex-A55 CPU、GPU、NPU、MCU 支持最高4K@25fps編碼,可實現多路攝像頭輸入 集成MCU可獨立運行實時系統進行運動控制 支持
2025-04-24 14:58:26
3233 
與 FCO-3C-HP 系列高精度晶體振蕩器,具備±10ppm頻率穩定度(@-40℃~85℃)、RMS抖動小于0.5ps的出色性能,適用于各類對時鐘精準度和長期穩定性有嚴格要求的系統設計。
產品特點
頻率范圍廣
2025-04-23 11:20:33
抖動要求,包括抖動傳遞、抖動產生和抖動容差。所有規格均相對于?40°C至+85°C環境溫度而言,除非另有說明。
2025-04-15 10:26:56
1245 
Leadway電源模塊和TI(德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優勢?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國產電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點。擅長替代TI
2025-04-14 10:17:47
替換MB85RS128和FM25V01,舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應用方案
2025-04-14 09:46:36
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電子發燒友網為你提供()Sky5? LB/LMB/MB/HB 和 4x4 MIMO 分集接收模塊相關產品參數、數據手冊,更有Sky5? LB/LMB/MB/HB 和 4x4 MIMO 分集接收模塊
2025-04-11 15:21:46

SD-WAN技術相比傳統網絡具有多方面的顯著優勢,以下是詳細對比: 1、成本方面 傳統網絡:依賴昂貴的專線(如MPLS)和高端硬件設備,建設和維護成本高。擴展網絡時,需要增加更多硬件設備和專線,成本
2025-04-01 09:47:35
985 電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA25-220S26V5H2D4相關產品參數、數據手冊,更有FA25-220S26V5H2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
2025-03-24 18:42:34

電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600D24H1N4相關產品參數、數據手冊,更有BK25-600D24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,BK25-600D24H1N4真值表,BK25-600D24H1N4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:59

電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600S24H1N4相關產品參數、數據手冊,更有BK25-600S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,BK25-600S24H1N4真值表,BK25-600S24H1N4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:33

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2025-03-24 18:40:57

電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK15-600S24H1N4相關產品參數、數據手冊,更有BK15-600S24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,BK15-600S24H1N4真值表,BK15-600S24H1N4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:54:50

兼容FM25V20A/MB85RS2MT,國產鐵電存儲器SF25C20助聽器應用方案
2025-03-20 09:55:16
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TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 均為四通道比較器,可提供低輸入失調電壓和出色的速度功率比組合,且傳播延遲為 100ns。工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V,每個通道的靜態電源電流為 25μA。
2025-03-19 10:02:14
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電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA40-220S24W2N4相關產品參數、數據手冊,更有FA40-220S24W2N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FA40-220S24W2N4真值表,FA40-220S24W2N4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:58:37

電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA40-220S15W2D4相關產品參數、數據手冊,更有FA40-220S15W2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FA40-220S15W2D4真值表,FA40-220S15W2D4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:57:39

電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA40-220S24H3N4相關產品參數、數據手冊,更有FA40-220S24H3N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,FA40-220S24H3N4真值表,FA40-220S24H3N4管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-18 18:56:17

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2025-03-18 18:55:26

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2025-03-18 18:52:22

with 64 KB of tightly coupled RAM
Memory
?2 MB non-volatile MRAM (2 independent banks)
?912 KB Global
2025-03-13 09:36:52
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數字前端( DFE )器件來提供具有成本效益、高容量和高能效的無線電,以滿足不同市場需求。
2025-03-12 17:12:14
1256 TLV4H290-SEP 和 TLV4H390-SEP 均為四通道比較器,可提供低輸入失調電壓和出色的速度功率比組合,且傳播延遲為 100ns。工作電壓范圍為 1.65V 至 5.5V,每個通道的靜態電源電流為 25μA。
2025-03-06 17:43:37
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性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應用介紹
2025-03-06 10:06:58
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富士通與SNP合作,采用BLUEFIELD?方法,五個月內成功合并兩家德國子公司SAP系統,實現快速遷移、高效合作、極短停機時間和業務連續性,增強了數字化轉型競爭力。
2025-03-05 17:00:57
753 鐵電存儲器SF24C64對標MB85RC64性能、應用深度分析
2025-02-25 09:40:59
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MT25QL512ABB8E12-0SIT是一款高性能的串行閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各種電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:31:33
MT25QU512ABB1EW9-0SIT是一款高性能的串行閃存存儲器,由MICRON制造,專為滿足各種電子設備的存儲需求而設計。該產品具備出色的存儲密度和快速的讀寫速度,適用于多種應用場景。目前
2025-02-14 07:29:12
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20:替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:09
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電子發燒友網站提供《74HC85;74HCT85 4位幅度比較器規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:55:57
0 鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優勢顯著
2025-02-07 09:29:33
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富士通近日發布了2024財年第三季度財報。根據財報顯示,2024財年前三季度整體營收為2.6214兆日元,調整后營業利潤為1,576億日元,創歷史新高。營業利潤率為6.0%,較去年同期增長1.5個百分點。
2025-02-06 09:17:08
1348 BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
施耐德M241與MR20-MT-1616的組態過程
2025-01-14 12:00:38
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一、系統概述 MR30分布式IO是一個高度靈活的可擴展分布式 I/O 系統,MR30-FBC-MT用于通過 Modbus TCP 總線將過程信號連接到上一級控制器。 具有以下特點: 結構緊湊
2025-01-13 14:32:23
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舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應用優勢有哪些?
2025-01-10 09:12:15
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國產舜銘存儲SF25C20對標MB85RS2MT性能、優勢全面解析
2025-01-06 10:20:57
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