新興MRAM市場的主要參與者之一已經開發了專有技術，該技術表示將通過增加保持力并同時降低電流來增強任何MRAM陣列的性能。自旋轉移技術（STT）的進動自旋電流（PSC）結構，它有潛力提高MRAM的密度和零泄漏能力。該結構可以應用于移動，數據中心CPU和存儲，汽車，物聯網和（IoT）以及人工智能等領域。

PSC結構將使任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。這意味著它不僅具有更高的數據保留能力，而且將消耗更少的電量。Pinarbasi說，增益轉化為保留時間延長了10，000倍以上，因此一小時變成一年以上，但是寫入電流卻減少了。此外，隨著垂直磁隧道結（pMTJ）變小，PSC的效率更高。開發的結構是模塊化結構，實際上是PMTJ設備的擴展。

其進動自旋電流結構可將任何MRAM器件的自旋扭矩效率提高40％至70％。從一開始就設計了這種模塊化的方法。這意味著可以將PSC添加到其他任何人的pMTJ中。可以將其視為現有MRAM實現的渦輪增壓器。

PSC結構被設計成可以整合到任何MRAM制造商的現有工藝中。除了在STT-MRAM生產中已經使用的材料或工具外，沒有其他材料或工具，因此該結構實際上不會增加鑄造廠的復雜性或成本。在PSC結構中，有兩個特定的作用正在起作用。一個是靜態的，另一個是動態的。靜電效應可以大大提高設備的保持力。

動態效應會從零切換到一，反之亦然，這很重要，因為靜態保持力和電流之間始終存在相關性。將這兩種影響分開了。可以獨立地提高保留率，同時降低電流。盡管PSC結構使STT-MRAM能夠解決SRAM的尺寸和成本缺陷，以及DRAM的易變性和功耗復雜性，但STT不僅將支持PSC的MRAM視為現有存儲技術的替代品，還可以使用它。 這為物聯網，汽車和AI帶來了新的機遇。

對于給定電流，PSC結構可提供顯著的速度增益。當使用4Kbit芯片和40nm器件尺寸時，在125μA時，PSC速度為?4 ns，而pMTJ速度為?30ns。

總體而言，將會有針對MRAM開發的本地市場，特別是嵌入式應用程序，并且已經取代了可能是SRAM或設備內部不同內存緩存的產品。由于這些設備及其非易失性存儲功能，市場份額將發生變化，但新的市場發展也將發生。

雖然MRAM已經確立了自己在存儲器設備未來的重要地位，但它仍處于初期階段，MRAM仍主要用于利基應用中。時間將證明Spin Transfer的PSC結構將產生多大影響。絕對有必要制造出比傳統MRAM產品更緊湊的結構，并且可以進一步擴展。必須徹底解決問題，看看它在實踐中如何工作。

將有很多MRAM產品可用，尤其是隨著代工廠和主要的半導體公司的興起，并將重點放在嵌入式市場上。人們將尋求差異化，以便使他們尋找減輕他們可以在這些產品中使用的技術的方法，從而使自己與其他人的產品區分開。在這種環境中存在一些潛在的近期機會。展望五年，MRAM將是一個更大的利基市場。

Everspin是設計制造和商業銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎。Everspin代理商宇芯電子可提供專業的技術支持及產品應用解決方案。

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