USB-A的快充協議是通過D+D-通道來傳輸協議的，所以一般采用A-C數據線，內部是4芯線：VBUS、GND、D+、D-。 QC協議是通過在D+D-上給不同的電壓獲取快充協議。 三星AFC協議是通過
2025-12-24 16:50:55
975 
在消費電子快充領域，300W USB-C PD快充憑借適配筆記本、便攜式儲能、專業設備供電等多元需求，已成為市場增長核心賽道。功率器件作為快充方案的“心臟”，直接決定產品的效率、體積、成本與可靠性
2025-12-24 11:38:33403 
產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現，在高頻高功率場景中讓傳統硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54729 
與系統成本
3. 應用環境要求：考慮溫度范圍、可靠性標準
4. 未來發展空間：預留技術升級和功能擴展能力
對于追求最佳用戶體驗的產品，推薦采用PW4000+PW6606的快充兼容方案；對于成本敏感型
2025-12-20 16:22:12
： 一、性能適配：專為快充高頻需求設計 超低ESR，減少能量損耗 合粵固態電容的等效串聯電阻（ESR）低至1-5mΩ（液態電容>100mΩ），在高頻充放電（如氮化鎵快充的100kHz-10MHz頻段）中，能量損耗減少60%以上，發熱降低30%。例如，在12V轉
2025-12-13 14:17:38186 前言最近充電頭網拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支持小米120W澎湃秒充，滿足全家桶設備同時充電
2025-12-09 09:23:181411 
在追求高效能、高可靠性功率半導體技術的道路上邁出關鍵一步，打破車規級功率半導體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 CG65140DAA增強型氮化鎵功率器件650V140mR封裝形式DFN8*8用于PD快充開關電源
2025-11-26 09:32:50
電子發燒友網站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-24 16:47:18
1 什么區別？ 什么是QC協議 QC協議是一種高壓快充技術，最初主要基于USB Type-A接口，但隨著USB Type-C接口的QC協議版本出現，這使得QC協議的應用范圍更加廣泛，QC協議支持多種不同的快
2025-11-22 11:20:282714 
在電氣化、可再生能源和人工智能數據中心的推動下，電力電子領域正經歷一場變革。安森美(onsemi)憑借創新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術引領這一浪潮，推出的高能效系統重新定義了性能與可靠性的行業標準。本文將解答關于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術對能源與電源解決方案未來發展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 近日，綠聯新推出了一款速顯充160W多口氮化鎵充電器，這款充電器具備4個USB-C接口和1個USB-A接口，總輸出功率為160W。機身一側設有LCD屏幕，支持總輸出功率顯示和功率分配顯示，支持充電協議顯示。機身設有觸摸按鍵，可以旋轉屏幕顯示角度和內容，同時還支持充電器溫度顯示，使用更加安心。
2025-11-17 15:08:41669 
增至約30億美元，復合年增長率（CAGR）高達42%，未來六年將實現六倍增長。這種增長態勢主要由三大驅動力：消費電子電子對快充的剛需、AI數據中心對高效電源的迫切需求、新能源汽車的電氣化浪潮。在快充之外，氮化鎵功率芯片在家電領域的應用點也出現突破。 近日，英諾賽
2025-11-16 00:40:0013349 
現在氮化鎵材料技術比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:082781 
6G技術作為第六代移動通信標準，將在多個領域得到廣泛應用，其核心優勢在于通感算智深度融合、空天地一體全域覆蓋，以及從“單一通信服務”到“一站式按需服務”的跨越。以下是6G技術的主要應用領域及具體場景
2025-11-05 17:21:041227 在移動設備與移動網絡高速發展的背景下，用戶對設備續航與充電效率的需求持續提升，這直接推動了快充技術成為當前消費電子領域的重要發展方向。在此趨勢下，傳統 USB 充電方案正逐步向新一代快充方案迭代
2025-11-03 09:28:36
在半導體材料的研究領域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細節——這種第三代半導體材料，正是現代快充設備、5G通信
2025-10-31 12:00:073848 
在快充技術飛速發展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術的出現，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
近日，國內頂尖游戲硬件品牌機械革命（MECHREVO）重磅推出了旗下首款140W氮化鎵快充充電器——AY140AA-1C-CH。這款新品以其強大的供電能力，迅速成為滿足高性能筆記本電腦輕度游戲與重度
2025-09-17 17:35:563640 
、物聯網和新能源汽車等新興產業的發展，PD快充技術將在未來的消費電子、工業控制、汽車電子等諸多領域發揮重要作用。永銘液態引線型鋁電解電容作用永銘液態引線型電容具備體
2025-09-01 10:08:22455 
氮化鎵（GaN）技術為電源行業提供了進一步改進電源轉換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導體一直主導著電子行業。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業
2025-08-21 06:40:348324 
近日，應充電頭網邀請，在行業目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術展開深度分享，為行業發展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發表了他對氮化鎵材料發展的寄語。
2025-08-14 15:31:223001 制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰。
2025-07-25 16:30:444488 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412963 
通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應擴大。因為內置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協議多、節能高等特點，所以快充充電器比我們設想的要小、要薄。今天推薦的是一款集成E-GaN的高頻高性能準氮化鎵快充ic U8733L，特別適應于快速充電器和適配器上！
2025-07-15 15:26:062542 
近日，全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業務，預計在未來兩年內完成這一過渡。這一決定引起了行業的廣泛關注，尤其是在當前競爭激烈的半導體市場環境中。據供應鏈
2025-07-07 10:33:223474 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯寶科技研發生產的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導體（Navitas）宣布，其650V元件產品將在未來1到2年內，從當前供應商臺積電（TSMC）逐步過渡至力積電半導體（PSMC）。臺積電回應稱，經全面評估
2025-07-04 16:12:10659 充電寶快充協議是充電寶與設備之間實現快速充電的通信規則，它定義了電壓、電流、功率等參數的傳輸標準，確保設備與充電寶高效匹配，實現安全快充。 以下是主流快充協議的詳細解析： 一、快充協議的核心作用
2025-06-30 09:17:087757 如果你想了解氮化鎵如何引領便攜光儲市場？那么一定不能錯過這場由大聯大詮鼎集團和英諾賽科原廠聯合舉辦的線上研討會。“InnoscienceSolidGaN領航氮化鎵技術，煥新便攜光儲市場”。7月8日
2025-06-27 16:31:353806 
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設計，否則就要重新設計PCB板
2025-06-26 16:11:111777 
GaNext助力|極簡桌面生活 當桌面充電邁入“高效與美學并存”的時代，鎵未來以尖端氮化鎵技術再次引領革新。近日，我們攜手全球消費電子巨頭 Anker，共同打造兩款高顏值、便攜型桌面充電產品
2025-06-25 10:31:151191 就一定支持USB-PD協議快充。PD快充主要廣泛應用于手機，平板電腦，多口充電器，移動電源，車載充電器，智能排插，便捷式儲能等設備中。PD快充典型LLC諧振拓撲電路
2025-06-25 09:34:45573 
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設備充電需求，還可以兼容傳統USB-A設備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調整為SOP-8，集成完備的保護功能：VDD過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸出欠壓保護(DEM UVP)、輸入過壓保護
2025-06-16 18:00:561374 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
版、Lenovo YOGA Air 15 Aura Al元啟版 等多款筆記本電腦，均INBOX標配 65W 49cc氮化鎵快充充電器 ，這是迄今為止聯想筆記本電腦 最小體積的65W INBOX電源
2025-06-13 14:00:13806 
電源芯片U8722CAS采用了打嗝噪音優化技術，可自適應的調節打嗝VSKIP_OUT的閾值，實現噪音和紋波的最優化！氮化鎵電源芯片U8722CAS在輕載和空載狀態下
2025-06-12 15:46:16962 LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
引言
氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導體，為開關電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術具有高介電強度、低開關損耗、高
2025-06-11 10:07:24
充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！
2025-06-09 10:54:231101 半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體，憑借高功率密度與能效優勢，正推動電子設備技術革新。
2025-06-05 10:33:562488 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 D+和D-走快充協議（華為快充）和音頻信號傳輸有沖突嗎？如果有沖突，是否有解決法案，謝謝。
2025-06-03 13:40:33
前不久，納微半導體剛剛發布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502384 
恒功率控制方式通過精確的控制策略和先進的電子技術，實現了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過調節系統的輸入或輸出參數（如電壓、電流等），使得系統在負載變化時能夠維持輸出功率不變。銀聯寶氮化鎵
2025-05-29 16:53:04911 IPAD 同時支持PD9V快充的OTG芯片有合適的嗎
2025-05-29 08:00:49
開關損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化！
2025-05-26 18:02:421062 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應用方案，立馬就有小伙伴發出了全電壓應用方案的需求。深圳銀聯寶科技有求必應，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發時，該引腳會產生一個信號。通過檢測該引腳的狀態，可以判斷芯片是否處于欠壓保護狀態。深圳銀聯寶氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。
2025-05-21 11:55:37755 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應力優化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅動電流檔位時），減緩開關動作的瞬態變化，從而減小次級側SR器件的電壓尖峰，通過分壓電
2025-05-19 17:29:50735 
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
一、什么是快充協議？ 快充協議是一種通過提高充電效率來縮短設備充電時間的電池充電技術。它是通過在充電器和設備之間建立一種溝通機制，充電器能夠根據設備的需求和狀態，調整輸出的電壓和電流。這種溝通機制由
2025-05-12 14:02:454585 
芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳銀聯寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設備出現過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設備中構建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！
2025-04-29 18:17:541107 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發熱低等優勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 快充技術已突破充電邊界，從手機標配升級為智能生態的能源中樞。快充技術正從消費電子向新能源汽車、無人機、AR/VR設備、便攜儲能及工業機器人等多元領域滲透。通過與AIoT深度融合，快充技術將從單一充電
2025-04-29 18:02:001278 
在輕載和空載狀態下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統進入打嗝模式工作,，停止開關動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 時，氮化鎵快充芯片
2025-04-29 16:09:41544 4月24日，廣東省終端快充行業協會第二屆會員大會暨換屆選舉會議在深圳舉行，會上表彰了2025年度UFCS融合快充技術發展中作出突出貢獻、創新應用的優秀企業。芯海科技（股票代碼：688595）榮膺年度
2025-04-27 09:12:301099 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。
2025-04-18 17:06:54837 氮化鎵的應用已經從消費電子的快充向工業級功率領域滲透，這給了國內廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產品和市場近況以及行業趨勢等話題
2025-04-16 15:12:491442 氮化鎵20WPD快充方案
2025-04-10 11:06:04731 
防止過熱。這種功能可以與OTP協同工作，提供雙重保護。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯合開發協議，致力于為AI數據中心、可再生能源發電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。 ??英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產能，意法半導體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023806 
深圳市三佛科技有限公司供應CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關器件
2025-03-31 14:26:10
5V供電的STC單片機串口引腳（TX/RX）接到快充適配器的D+/D-上面后，導致快充適配器輸出9V電壓，這是什么原因導致的？
2025-03-26 10:34:01
深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 未來，隨著電池材料革新（如固態電池）和快充技術迭代，這一矛盾有望進一步緩解。
2025-03-14 16:54:098045 
GaN驅動技術手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅動電路設計方案
2025-03-13 18:06:0046941 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054784 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發總監馬歡應半導體在線邀請，分享了關于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業的廣泛關注。隨著全球半導體領域對高性能、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優越的性能使其在電源轉換和射頻應用中展現出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 PD快充，作為USB-IF組織制定的快速充電規范，已成為當今主流的快充協議之一。它能夠將Type-C接口的默認功率從5V/2A提升至高達100W。采用PD快充技術制作的充電頭，不僅智能，更能確保充電
2025-03-10 10:36:532528 
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?：并聯開關管廣泛應用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破，成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334530 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現突破，成為快充技術的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491181 海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優點，轉換效率高達91%，應用廣泛，性價比高。一、產品介紹40WACDC系列氮化鎵電源模塊
2025-02-24 12:02:321020 
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
2025-02-19 14:20:431084 
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發的最新進展以及相關的可靠性挑戰。
2025-02-17 14:27:362014 
在現代快節奏的生活中，快速充電技術已成為我們日常生活中不可或缺的一部分。其中，PD快充技術憑借其高效、安全的特點，逐漸成為了市場上的主流選擇。那么，PD快充究竟是什么呢？本期與大家分享MOS管在PD快充上的應用。
2025-02-15 08:37:052160 
前言 近期充電頭網拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產品基于華源智信氮化鎵方案設計，因此整體做到相當小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
2025-02-08 15:51:231015 
深圳銀聯寶科技氮化鎵芯片2025年持續發力氮化鎵芯片YLB銀聯寶/YINLIANBAO無線通信領域，設備往往需要在有限的空間內實現強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081232 
在半導體產業這片高精尖的領域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅動著光電器件、功率器件等諸多領域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰
2025-01-22 09:43:37449 
在半導體制造這一微觀且精密的領域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應用蓬勃發展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當今高速發展的半導體產業浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應用天地。然而，要想充分發揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業發展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和高頻率的開關能力，能夠迅速地切換電路狀態，實現
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習社主辦的線上直播。我們的技術專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準。
2025-01-15 15:41:09898 隨著智能手機的普及和快充技術的發展,USBPowerDelivery(PD)快充和USBType-C接口已成為現代移動設備的標配。然而,這些先進技術在帶來便利的同時,也為設備的靜電防護帶來了新的挑戰
2025-01-13 18:21:432466 
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