存儲(chǔ)技術(shù)
存儲(chǔ)器行業(yè)2016年發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)
對(duì)未來的存儲(chǔ)市場(chǎng)做精準(zhǔn)的預(yù)測(cè)是很難的，但現(xiàn)在我依然要做這件事情。首先，我將先回顧我過去的預(yù)測(cè)，你看過我過去的預(yù)測(cè)之后你才會(huì)相信我。
SSD要取代HDD還需解決這三大問題
當(dāng)下的存儲(chǔ)領(lǐng)，SSD從一個(gè)概念的提出到產(chǎn)品化的完成，再到觸手可及的企業(yè)規(guī)模化應(yīng)用，到底距離這兩者完成歷史使命交接的時(shí)刻還有多遠(yuǎn)？
中國“3+1”存儲(chǔ)器版圖初現(xiàn) 誰能走到最后？
對(duì)中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲(chǔ)器元年。武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫光。三個(gè)地方加一個(gè)企業(yè)牽頭的“3+1”存儲(chǔ)器版圖已初現(xiàn)端倪。
存儲(chǔ)新世紀(jì)，中國的主控短板誰來補(bǔ)？
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展，注定在2016年會(huì)寫下屬于中國的濃墨重彩的一頁。進(jìn)入2016年，特別是在進(jìn)入三月份以來，中國企業(yè)先后宣布的幾筆巨額投資勢(shì)將影響未來全球存儲(chǔ)行業(yè)的格局——紫光集團(tuán)宣布制定了規(guī)模達(dá)300億美元的投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)要在深圳興建12寸晶圓廠
核“芯”存儲(chǔ)技術(shù)彌補(bǔ)中國的主控短板
業(yè)界普遍擔(dān)心中國企業(yè)在核心技術(shù)上相對(duì)落后的局面，想在市場(chǎng)上突破面臨諸多困難。“Marvell在存儲(chǔ)控制芯片領(lǐng)域， 包括HDD和SSD， 擁有二十年以上的技術(shù)積累，并在市場(chǎng)上獲得了成功。
2016-05-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù) 821
11年的積淀 華為閃存技術(shù)發(fā)展如何？
云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測(cè)，到2020年，全球移動(dòng)寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動(dòng)寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模將高達(dá)2000億美元。
中國搶進(jìn)DRAM存儲(chǔ)器 海力士恐成最大潛在受害者
工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
三個(gè)HDD新技術(shù)能夠回應(yīng)未來嚴(yán)苛資料儲(chǔ)存需求
在新興的HDD技術(shù)中，能夠回應(yīng)未來嚴(yán)苛資料儲(chǔ)存需求的儲(chǔ)存技術(shù)包括疊瓦式磁記錄 （Shingled Magnetic Recording， SMR）、氦氣以及熱輔助磁記錄技術(shù)（Heat-Assisted Magnetic Recording， HAMR）。
2016-05-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)SSDHDD 1746
DRAM存儲(chǔ)器面臨的商業(yè)及四大技術(shù)問題
DRAM一直是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的行業(yè)。多年來，在競(jìng)爭環(huán)境下DRAM供應(yīng)商已經(jīng)經(jīng)歷了多次繁榮和蕭條的循環(huán)。但是現(xiàn)在，該行業(yè)面對(duì)著一個(gè)陰晴不定，甚至可以說是無法確定的未來。
DNA存儲(chǔ)技術(shù)優(yōu)劣解析 微軟為何深耕？
DNA存儲(chǔ)技術(shù)究竟是什么？與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)相比，它具備哪些優(yōu)勢(shì)，存在哪些缺點(diǎn)？未來DNA存儲(chǔ)技術(shù)又是否能夠引領(lǐng)新的存儲(chǔ)時(shí)代的到來呢？
2016-04-29 標(biāo)簽：微軟存儲(chǔ)技術(shù)DNA存儲(chǔ) 5847
紫光/武漢新芯布局NAND Flash 中國存儲(chǔ)器產(chǎn)能閃耀
中國大陸廠商在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國芯（原同方國芯）投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。
2016-04-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器nand flash武漢新芯紫光 1702
誰能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局？
本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
武漢新芯能拯救國產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)？沒那么簡單！
武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動(dòng)，瞄準(zhǔn)記憶體，目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬片的半導(dǎo)體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Flash，對(duì)武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢(mèng)，一個(gè)躋身記憶體大廠的夢(mèng)。
2016-04-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)NAND FLASH武漢新芯 5071
順應(yīng)大數(shù)據(jù)浪潮 美光強(qiáng)攻汽車存儲(chǔ)
美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Kris Baxter表示：“整個(gè)汽車產(chǎn)業(yè)嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)是要具有超前的眼光的，我們今天所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品其實(shí)都已經(jīng)為2020年之后的汽車產(chǎn)業(yè)更新做足準(zhǔn)備，我們現(xiàn)在已經(jīng)有非常明確的產(chǎn)品路線圖來滿足2017、2018年的產(chǎn)品要求，說到過去兩年汽車產(chǎn)業(yè)要求的變化主要有以下幾點(diǎn)：首先，要耐超高溫。其次，有非常大的帶寬，可以滿足ADAS系統(tǒng)處理海量傳感器的數(shù)據(jù)。”
2016-04-15 標(biāo)簽：美光車聯(lián)網(wǎng) 924
從半導(dǎo)體并購風(fēng)潮管窺未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展樣貌
在終端應(yīng)用市場(chǎng)趨于成熟下，半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長性恐將逐年減低。根據(jù)資策會(huì)MIC估計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長幅度將低于3%，遠(yuǎn)低于2014年的10%。往后三年半導(dǎo)體市場(chǎng)之年成長率亦難有起色，甚至可能開始出現(xiàn)負(fù)成長。
DRAM市場(chǎng)或?qū)⑹Ｏ氯且患要?dú)霸天下？
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)整合，外界本以為三大廠能和平共存，坐享更高獲利，沒想到三星電子趁著對(duì)手SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際，增產(chǎn)搶市占，意圖趕盡殺絕。Bernstein Research悲觀預(yù)測(cè)，三星下手太狠，DRAM恐怕只剩三星一家獨(dú)活
中國存儲(chǔ)器崛起之路注定困難重重
中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3D NAND閃存記憶體。整個(gè)建設(shè)計(jì)劃預(yù)計(jì)耗資２４０億美元，資金來源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個(gè)財(cái)團(tuán)，XMC方面指出。
存儲(chǔ)新態(tài)勢(shì)！PCIe SSD與SATA SSD同價(jià)
大數(shù)據(jù)時(shí)代，個(gè)人、企業(yè)、服務(wù)器等對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求與日俱增，對(duì)SSD的需求正以每年20%的增速成長。日前，國內(nèi)最大的存儲(chǔ)廠商江波龍發(fā)布了一款P800系列PCIe SSD，據(jù)介紹可與SATA SSD同價(jià).
ROHM旗下LAPIS Semiconductor開發(fā)出搭載...
近年來，隨著節(jié)能化的發(fā)展趨勢(shì)，不僅車載、工業(yè)設(shè)備，幾乎在所有應(yīng)用中均要求實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的低電壓化。同時(shí)，隨著高性能化發(fā)展，數(shù)據(jù)量日益增加，還要求更高速地將信息讀取/寫入到存儲(chǔ)器。
賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶...
賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù)，具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲(chǔ)單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場(chǎng)導(dǎo)致的數(shù)據(jù)損壞，因此可為醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用提供軟錯(cuò)誤免疫能力。
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