存儲技術
打造一個好的存儲產品，真“芯”不改！
做存儲將近17年歷史江波龍電子，一直堅持對存儲產品的耕耘，目前產品包含U盤、卡類、SSD以及eMMC，公司秉持DMS的服務理念，不斷創新存儲產品設計與研發，一直為消費者、客戶以及合作伙伴帶來更具競爭力的產品和更專業的服務，致力為客戶產品創造更多的價值。
富士通FRAM“上天入地” 拓展更多低功耗、高可靠性應用空間
據富士通展臺工程師介紹，從要抗宇宙輻射的衛星裝置，到頗接地氣的無電池舒適智能家居設備，已處處可見這種先進非易失性嵌入式存儲技術的身影。除FRAM外，在本次展會上富士通還展示了繼電器Relay、設計可追溯管理工具SQTRACER等領先技術。
重拳出擊，江波龍推出一體化模塊產品SDP
江波龍SSD產品總監鐘孟辰表示，SDP?就是SATA Disk in Package，是將SSD主控芯片、Flash芯片在封裝廠封裝成一體化模塊，經過開卡量產、測試后出廠，這種產品形態相當于SSD的半成品，只需要加上外殼就能成為完整的SSD產品。
SSD與HDD價格已持平！再也不用擔心買不起固態硬盤了
據最新報告稱，SSD固態硬盤價格已經降至非常合理的位置，預計2018年將有超過一半的筆記本電腦標配SSD，使得筆記本速度大幅提升。
公有云和私有云的區別 如何搭建云存儲
名字的改變不會改變其本質，它仍然是一種能提供更好服務的存儲架構技術。我們不得不承認的是，不管選擇的是哪個品牌的產品，企業都會受益于所選擇的私有云架構。
2016-08-22 標簽：云存儲 2351
西部數據表示：電阻式內存技術并非徒勞一場
在完成對SanDisk公司的收購之后，西部數據正積極利用ReRAM——即電阻式RAM技術——對英特爾與美光打造的XPoint發起沖擊。
新研究成果相變內存 比傳統DRAM快1000倍
下一代內存的讀取速度會比現在快多少?來自美國斯坦福大學的研究人員認為，相變內存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現在DRAM內存性能的1000倍。
2016-08-18 標簽：相變內存 1330
英特爾牽手大連市政府生產Nand flash芯片
英特爾投資 55 億美元轉型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工，并于 25 日正式投產。報導指稱，位于遼寧省大連市金普新區的該廠區，為全球首座以 12 寸（300mm）晶圓生產 NAND Flash 的制造中心，目前有逾千名英特爾員工與數千名設備項目建設正加緊工作，以期早日量產。
2016-08-17 標簽：Nand flash 1322
希捷推出60TB固態硬盤 直接碾壓三星15TB世界紀錄
基于閃存的固態硬盤（SSD）開始取代古老的機械硬盤，而幾家固態硬盤制造商，似乎展開了一場“存儲容量軍備競賽”。日前，希捷公司宣布推出60TB固態硬盤，這創造了新的固態硬盤容量世界紀錄。
入門級SSD井噴在即，Marvell加強與中國廠商合作
“Marvell是獨立SSD控制器廠商的NO.1，是行業創新的領導者，Marvell選擇與longsys合作是對我們實力的肯定，固件和封裝是longsys的強項，我們相信結合雙方優勢的產品必將在未來的市場中取得更大的成功。”longsys SSD產品總監鐘孟辰表示。
DRAM壟斷化加劇，臺灣存儲產業下滑
過去三、四年來，DRAM市場主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷，三巨頭在全球的合并市占率達90%，但情勢可能改變。在DRAM市場景氣不佳的局面下，市場龍頭三星電子的營業利益仍達數十兆韓元，排行第三的美光則開始虧損。
英特爾大連項目提前實現投產 帶動新項目投資
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。
2016-07-26 標簽：英特爾 1064
打造先進存儲芯片 紫光集團收購武漢新芯多數股權
紫光集團已收購武漢新芯集成電路制造有限公司多數股權。之前，武漢新芯曾打造規模為240億美元的存儲芯片制造中心。現在中國建造先進存儲芯片工廠的兩大主要項目已進行了合并。
2016-07-26 標簽：存儲芯片 1558
儲存新技術：原子儲存信息正在變為現實
現在，原子儲存信息的技術正在變為現實。荷蘭代爾夫特理工大學科維理納米科學研究所桑德·奧特領導的研究小組，證明利用原子儲存大量信息是可行的。
2016-07-25 標簽：IBM 1592
RRAM：走向新型嵌入式存儲之路
據Web-Feet Research等分析公司預測，到2018年，消費類電子設備的嵌入式內存市場將突破28.8億美元，現在是我們為這一問題想出解決方案的時候了。如果傳統內存技術無法滿足未來需求，那么哪種技術能夠滿足？隨著閃存在消費類電子產品設計中無處不在的應用，是否可以考慮替代現有的過時技術？
三星發布UFS存儲卡 速度比肩SSD是microSD卡五倍
UFS存儲卡在多媒體資料傳輸上具有優勢，其連續讀取速度可達每秒530MB，與SATA固態硬碟相當，是一般microSD卡的5倍，連續寫入速度則是高階microSD卡的2倍。以讀取5GB的Full HD電影時，UFS卡只要10秒，而microSD則需50秒。
企業級SSD儲存容量超越傳統硬盤 新局面到來
企業級SSD儲存容量正式超越傳統硬盤，10TB以上超大容量SSD時代已將到來，將給企業儲存應用帶來新的局面。
西數/希捷/QLogic等廠商高管談存儲器未來發展
各位高管人員探討了磁盤驅動器市場需求、HAMR磁盤驅動器技術、NVMe over Fabrics、第六代光纖通道以及其它行業所關注的重要議題。
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